防崩边装置及截断机制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种防崩边装置及截断机，所述防崩边装置用于支撑截断机切下的多晶硅块的废弃层，所述防崩边装置包括支撑组件和驱动装置，支撑组件设置于多晶硅块之间，用于支撑切割下的废弃层；驱动装置与所述支撑组件固定连接，用于驱动所述支撑组件移动，以使所述支撑组件靠近或远离废弃层，以支撑脱落的废弃层，防止正常的多晶硅块出现崩边现象，减少损失。

Anti-collapse Edge Device and Cutter

【技术实现步骤摘要】
防崩边装置及截断机
本技术涉及太阳能电池晶锭制程设备
，尤其涉及一种防崩边装置及截断机。
技术介绍
多晶硅锭在制备过程中，由于杂质分凝及坩埚的影响，杂质与缺陷多分布在硅锭的头部及尾部，通过硅块少子检测与红外检测后，需要采用截断机对多晶硅块进行截断处理。其中，截断机既能够对多晶硅锭进行去头尾料处理，又能够对头尾料的废弃层进行截断处理，还能够根据配棒长度需求对用于切片的待粘棒晶砖进行截断处理。目前，多晶硅块的头尾料截断处理主要通过带锯条截断及钢线线切割两种方式完成。在长期使用过程中，实现钢线线切割方式的线切金刚线截断机存在如下缺陷：以线切金刚线截断机截断头尾料中的废弃层为例，在线切金刚线截断机截断废弃层后，废弃层脱落，容易磕碰到旁边的正常的多晶硅块，在正常的多晶硅块上出现崩边，影响生产效率，造成不必要的损失。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述问题，本技术提供一种防崩边装置及截断机，防崩边装置能够支撑脱落的废弃层，防止正常的多晶硅块出现崩边现象，减少损失。为了解决上述技术问题，本技术提供的技术方案是：一种防崩边装置，用于支撑截断机切下的多晶硅块的废弃层，所述防崩边装置包括：支撑组件，其设置于多晶硅块之间，用于支撑切割下的废弃层；驱动装置，其与所述支撑组件固定连接，用于驱动所述支撑组件移动，以使所述支撑组件靠近或远离废弃层。作为优选，所述驱动装置包括气缸或液压缸。作为优选，所述支撑组件包括固定件和设置于所述固定件上的支撑件；所述支撑件用于支撑切割下的多晶硅块的废弃层；所述截断机的机台本体包括晶托，所述晶托上设有沟槽，所述气缸或所述液压缸的缸体固定于所述沟槽内，所述气缸或所述液压缸的活塞杆的自由端与所述固定件固定连接，所述缸体控制所述活塞杆沿所述沟槽的方向进行收缩，以使所述固定件带动所述支撑件靠近或远离废弃层。作为优选，所述固定件为固定块，所述活塞杆的自由端伸入至所述固定块内，并设有第一螺纹盲孔；所述固定块上设有第一连接孔；所述防崩边装置还包括第一紧固件，所述第一紧固件穿过所述第一连接孔与所述第一螺纹盲孔，以将所述固定块和所述活塞杆固定连接。作为优选，所述固定块上还设有第二螺纹盲孔，所述支撑件上设有第二连接孔；所述防崩边装置还包括第二紧固件，所述第二紧固件穿过所述第二连接孔与所述第二螺纹盲孔，以将所述固定块和所述支撑件固定连接。作为优选，所述支撑件为挡板，所述挡板与所述固定件固定连接，以使所述挡板的板面支撑所述多晶硅块的废弃层。作为优选，所述支撑件还包括托板，所述托板固定于所述挡板的底部；在所述挡板支撑所述多晶硅块的废弃层时，所述托板位于所述多晶硅块的废弃层的底部，用于承托所述多晶硅块的废弃层。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本技术提供的防崩边装置，通过驱动装置为支撑组件提供移动的动力，在驱动装置的驱动作用下，支撑组件进行移动，即可调整支撑组件靠近或远离多晶硅块的废弃层。在多晶硅块的废弃层截断后，支撑组件能够对多晶硅块的废弃层起到支撑的作用，防止废弃层在倾倒或脱落过程中磕碰到旁边正常的多晶硅块，避免正常多晶硅块出现崩边，提高生产效率，降低损失。一种应用上述防崩边装置的截断机，所述截断机包括：机台本体，所述机台本体包括晶托，所述晶托上设有沟槽；所述晶托上沿所述沟槽并排放置多晶硅块，所述多晶硅块的废弃层的切割线与所述沟槽的中心线垂直；所述气缸或所述液压缸的缸体固定于所述沟槽内，所述气缸或所述液压缸的活塞杆的自由端与所述支撑组件固定连接，所述缸体控制所述活塞杆沿所述沟槽的方向进行收缩，以使所述支撑组件靠近或远离废弃层；所述支撑组件设置于多晶硅块之间，用于支撑切割下的废弃层。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本技术提供的截断机，将防崩边装置设置在晶托的沟槽内，通过驱动装置为支撑组件提供移动的动力，在驱动装置的驱动作用下，支撑组件进行移动，即可调整支撑组件靠近或远离待多晶硅块的废弃层。在多晶硅块的废弃层截断后，支撑组件能够对多晶硅块的废弃层起到支撑的作用，防止废弃层在倾倒或脱落过程中磕碰到旁边正常的多晶硅块，避免正常多晶硅块出现崩边，提高生产效率，降低损失。附图说明图1为相关技术中截断机的工作状态示意图；图2为本技术防崩边装置的结构示意图；图3为本技术防崩边装置的使用状态示意图。附图标记说明：1-驱动装置；11-缸体；12-活塞杆；2-支撑组件；21-固定件；22-支撑件；220-托板；3-第一紧固件；4-第二紧固件；5-机台本体；51-晶托；511-沟槽；6-多晶硅块；61-头料；610-废弃层。具体实施方式以下结合附图对本技术的实施例进行详细描述，但不作为对本技术的限定。需要说明的是，结合图1，截断机的机台本体5包括晶托51，所述晶托51上设有沟槽511，所述晶托51上沿所述沟槽511并排放置多晶硅块6，所述多晶硅块6的废弃层610的切割线与所述沟槽511的中心线垂直，废弃层610截断后，容易磕碰到旁边正常的多晶硅块6，在多晶硅块6的表面呈现崩边现象。如图2或图3所示，本实施例提供了一种防崩边装置，用于支撑截断机切下的多晶硅块的废弃层，所述防崩边装置包括支撑组件2和驱动装置1，支撑组件2设置于多晶硅块之间，用于支撑切割下的废弃层610；驱动装置1与所述支撑组件2固定连接，用于驱动所述支撑组件2移动，以使所述支撑组件2靠近或远离废弃层610。结合图2或图3，所述防崩边装置的驱动装置1位于所述沟槽511内，所述支撑组件2设置于多晶硅块之间。其中，所述支撑组件2的高度高于所述晶托51的上表面，且与待截断处理的多晶硅块的高度相适配，以便于对切割下的废弃层610具有支撑的作用。在实际应用过程中，所述支撑组件2的高度可以低于、等于或高于多晶硅块的高度。并且，结合图3，所述支撑组件2可以贴附于所述多晶硅块的废弃层610，也可以与所述多晶硅块之间存在一定的间隔距离，只要能够对切割下的废弃层610起到支撑作用即可。本实施例提供的防崩边装置，通过驱动装置1为支撑组件2提供移动的动力，在驱动装置1的驱动作用下，支撑组件2进行移动，即可调整支撑组件2靠近或远离多晶硅块的废弃层610。在多晶硅块的废弃层610截断后，支撑组件2能够对多晶硅块的废弃层610起到支撑的作用，防止废弃层610在倾倒或脱落过程中磕碰到旁边正常的多晶硅块，避免正常多晶硅块出现崩边，提高生产效率，降低损失。为了进一步提高本实施例的防崩边装置的稳定性，优化所述防崩边装置的结构，作为优选，所述驱动装置1包括气缸或液压缸。这里，以气缸或液压缸作为动力源设备，为所述支撑组件2的移动提供不同功率的源动力。在所述支撑组件2的结构设置方面，结合图2，所述支撑组件2包括固定件21和设置于所述固定件21上的支撑件22；结合图3，所述支撑件22用于支撑切割下的多晶硅块的废弃层610；所述截断机的机台本体5包括晶托51，所述晶托51上设有沟槽511，所述气缸或所述液压缸的缸体11固定于所述沟槽511内，结合图2，所述气缸或所述液压缸的活塞杆12的自由端与所述固定件21固定连接，所述活塞杆12能够沿所述沟槽511的方向进行收缩，以使所述固定件21带动所述支撑件22靠近或远离废弃层610。这里，所述支撑组件2通过所述固本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防崩边装置，用于支撑截断机切下的多晶硅块的废弃层，其特征在于，所述防崩边装置包括：支撑组件，其设置于多晶硅块之间，用于支撑切割下的废弃层；驱动装置，其与所述支撑组件固定连接，用于驱动所述支撑组件移动，以使所述支撑组件靠近或远离废弃层。

【技术特征摘要】
1.一种防崩边装置，用于支撑截断机切下的多晶硅块的废弃层，其特征在于，所述防崩边装置包括：支撑组件，其设置于多晶硅块之间，用于支撑切割下的废弃层；驱动装置，其与所述支撑组件固定连接，用于驱动所述支撑组件移动，以使所述支撑组件靠近或远离废弃层。2.根据权利要求1所述的防崩边装置，其特征在于，所述驱动装置包括气缸或液压缸。3.根据权利要求2所述的防崩边装置，其特征在于，所述支撑组件包括固定件和设置于所述固定件上的支撑件；所述支撑件用于支撑切割下的多晶硅块的废弃层；所述截断机的机台本体包括晶托，所述晶托上设有沟槽，所述气缸或所述液压缸的缸体固定于所述沟槽内，所述气缸或所述液压缸的活塞杆的自由端与所述固定件固定连接，所述缸体控制所述活塞杆沿所述沟槽的方向进行收缩，以使所述固定件带动所述支撑件靠近或远离废弃层。4.根据权利要求3所述的防崩边装置，其特征在于，所述固定件为固定块，所述活塞杆的自由端伸入至所述固定块内，并设有第一螺纹盲孔；所述固定块上设有第一连接孔；所述防崩边装置还包括第一紧固件，所述第一紧固件穿过所述第一连接孔与所述第一螺纹盲孔，以将所述固定块和所述活塞杆固定连接。5.根据权利要求4所述的防崩边装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠昌军，司天平，常传波，唐骏，
申请(专利权)人：扬州荣德新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32