具有改善的热导率的介电层制造技术

在一个实施方案中，介电层包含含氟聚合物、多个氮化硼颗粒、多个二氧化钛颗粒、多个二氧化硅颗粒、和增强层。所述介电层可以包含以下至少一者：20体积百分比至45体积百分比的含氟聚合物；15体积百分比至35体积百分比的多个氮化硼颗粒；1体积百分比至32体积百分比的多个二氧化钛颗粒；10体积百分比至35体积百分比的多个二氧化硅颗粒；和5体积百分比至15体积百分比的增强层，其中体积百分比值基于所述介电层的总体积。

Dielectric layer with improved thermal conductivity

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改善的热导率的介电层技术相关申请的交叉引用本申请要求2017年11月7日提交的美国临时专利申请序列号62/586,621的权益。相关申请通过引用整体并入本文。
技术介绍
电路子组合件用于制造单层电路和多层电路，并且包括例如电路层合件、粘结片(bondply)、树脂涂覆的导电层和覆盖膜，以及封装基底层合件和积层(build-up)材料。前述子组合件各自包括介电材料层。随着电子装置及其上的特征变得更小，所产生的密集电路布局的热管理变得越来越重要。已经进行了许多努力以通过在介电层中并入导热颗粒填料来提高电路层合件的热导率。虽然已经显示添加大量的导热颗粒填料使热导率增加，但是增加量的导热颗粒填料可能不利地影响介电层的一种或更多种机械特性。因此，本领域仍然需要提高电路层合件的热导率而不使其他特性遭受不可接受的折衷。
技术实现思路
本文公开了一种包含含氟聚合物和介电填料组合物的导热介电层。在一个实施方案中，介电层包含25体积百分比至45体积百分比的含氟聚合物；15体积百分比至35体积百分比的多个氮化硼颗粒；1体积百分比至32体积百分比的多个二氧化钛颗粒；0体积百分比至35体积百分比的多个二氧化硅颗粒；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介电层，包含：25体积百分比至45体积百分比的含氟聚合物；15体积百分比至35体积百分比的多个氮化硼颗粒；1体积百分比至32体积百分比的多个二氧化钛颗粒；0体积百分比至35体积百分比的多个二氧化硅颗粒；和5体积百分比至15体积百分比的增强层；其中体积百分比值基于所述介电层的总体积。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.11.07 US 62/582,6211.一种介电层，包含：25体积百分比至45体积百分比的含氟聚合物；15体积百分比至35体积百分比的多个氮化硼颗粒；1体积百分比至32体积百分比的多个二氧化钛颗粒；0体积百分比至35体积百分比的多个二氧化硅颗粒；和5体积百分比至15体积百分比的增强层；其中体积百分比值基于所述介电层的总体积。2.根据权利要求1所述的介电层，其中所述含氟聚合物包括聚(三氟氯乙烯)、聚(三氟氯乙烯-丙烯)、聚(乙烯-四氟乙烯)、聚(乙烯-三氟氯乙烯)、聚(六氟丙烯)、聚(四氟乙烯)、聚(四氟乙烯-乙烯-丙烯)、聚(四氟乙烯-六氟丙烯)、聚(四氟乙烯-丙烯)、聚(四氟乙烯-全氟丙烯乙烯基醚)、具有四氟乙烯主链和完全氟化的烷氧基侧链的共聚物、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚(偏二氟乙烯-三氟氯乙烯)、全氟聚醚、全氟磺酸、全氟聚氧杂环丁烷、或包括前述中的至少一者的组合。3.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的介电层，其中所述含氟聚合物包括聚四氟乙烯。4.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的介电层，其中所述介电层包含15体积百分比至30体积百分比的所述多个氮化硼颗粒。5.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的介电层，其中所述多个氮化硼颗粒包括氮化硼小片，优选六方氮化硼小片。6.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的介电层，其中所述多个氮化硼颗粒的氮化硼D50值为5微米至40微米。7.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的介电层，其中所述介电层包含5体积百分比至10体积百分比的所述多个二氧化钛颗粒。8.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的介电层，其中所述二氧化钛包括金红石型二氧化钛。9.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的介电层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丽贝卡·林恩·阿加波夫，马修·雷蒙德·海姆斯，
申请(专利权)人：罗杰斯公司，
类型：发明
国别省市：美国,US