一种存储装置制造方法及图纸

本申请公开了一种存储装置，其中，该存储装置包括：基板，包括相对的第一侧面和第二侧面；存储芯片，设置于第一侧面；控制芯片，设置于存储芯片远离基板的一侧，并与存储芯片电连接；若干个触片，设置于第二侧面，并与控制芯片电连接；封装层，覆盖基板、存储芯片和控制芯片；其中，控制芯片在基板上的第一投影区域和若干个触片在基板上的第二投影区域的重叠区域的面积，与第一投影区域的面积比值，大于设定百分比阈值。通过上述方式，避免了在对存储装置进行按压的过程造成控制芯片的损坏，提高了产品制造的良率，从而降低了成本。

A Storage Device

【技术实现步骤摘要】
一种存储装置
本申请涉及存储
，特别是涉及一种存储装置。
技术介绍
随着半导体工艺和技术的进步，各种不同存储方式的存储装置已经开始慢慢进入公众的视野，例如SD(SecureDigitalMemoryCard)卡、TF(Trans-flashCard)卡、MMC(Multi-MediaCard)卡、EMMC(EmbeddedMultiMediaCard)卡、EMCP(EmbeddedMulti-ChipPackage)、U盘(USBFlashDrive)、SSD(SolidStateDrive)、CF(CompactFlash)卡等。由于存储装置包括多层结构，在存储装置的封装过程中，会由于某一层的不平整导致其他层在按压过程中会收到损坏，降低产品的良率，增大成本。
技术实现思路
本申请主要提供一种存储装置，能够解决现有技术中存储器在封装过程中由于按压会受到损坏的问题。本申请采用的一种技术方案是提供一种存储装置，该存储装置包括：基板，包括相对的第一侧面和第二侧面；存储芯片，设置于第一侧面；控制芯片，设置于存储芯片远离基板的一侧，并与存储芯片电连接；若干个触片，设置于第二侧面，并与控制芯片电连接；封装层，覆盖基板、存储芯片和控制芯片；其中，控制芯片在基板上的第一投影区域和若干个触片在基板上的第二投影区域的重叠区域的面积，与第一投影区域的面积比值，大于设定百分比阈值。其中，第二投影区域包括若干个子投影区域，每个子投影区域对应若干个触片中的一个触片；第一投影区域在任意一个子投影区域内。其中，第一投影区域在若干个触片中面积最大的触片所对应的子投影区域内。其中，存储装置为NM卡；第一投影区域在NM卡的D2引脚对应的触片的子投影区域内。其中，第二投影区域包括若干个子投影区域，每个子投影区域对应若干个触片中的一个触片；第一投影区域与两个子投影区域重叠。其中，两个子投影区域之间的距离小于设定距离阈值。其中，两个子投影区域为若干个触片中距离最近的两个触片对应的子投影区域。其中，存储装置为NM卡；两个触片为NM卡的GND引脚和D3引脚对应的触片；或两个触片为NM卡的D0引脚和CLK引脚对应的触片。其中，第一投影区域和两个子投影区域的重叠区域的面积，与第一投影区域的面积比值，大于设定百分比阈值。其中，设定百分比阈值为80％-100％。本申请提供的存储装置包括：基板，包括相对的第一侧面和第二侧面；存储芯片，设置于第一侧面；控制芯片，设置于存储芯片远离基板的一侧；若干个触片，设置于第二侧面；其中，控制芯片在基板上的第一投影区域和若干个触片在基板上的第二投影区域的重叠区域的面积，与第一投影区域的面积比值，大于设定百分比阈值。通过上述方式，让若干个触片和控制芯片在基板上的投影尽可能多的重叠，保证了控制芯片的绝大部分区域设置在若干个触片的正上方，避免了在对存储装置进行按压的过程造成控制芯片的损坏，提高了产品制造的良率，从而降低了成本。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是本申请提供的存储装置第一实施例的结构示意图；图2是存储装置制作流程中的受力示意图；图3是本申请提供的存储装置第一实施例中控制芯片和触片的投影示意图；图4是本申请提供的存储装置第一实施例中控制芯片和触片的另一投影示意图；图5是本申请提供的存储装置第一实施例中控制芯片和触片的又一投影示意图；图6是本申请提供的存储装置第二实施例中控制芯片和触片的投影示意图；图7是本申请提供的存储装置第三实施例中控制芯片和触片的投影示意图；图8是本申请提供的存储装置第四实施例的结构示意图；图9是本申请提供的存储装置第四实施例中控制芯片和触片的一投影示意图；图10是本申请提供的存储装置第四实施例中控制芯片和触片的另一投影示意图。具体实施方式在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。参阅图1，图1是本申请提供的存储装置第一实施例的结构示意图，该存储装置10包括基板11、存储芯片12、控制芯片13、封装层14和若干个触片15。其中，该存储装置10可以是SD(SecureDigitalMemoryCard)卡、TF(Trans-flashCard)卡、MMC(Multi-MediaCard)卡、EMMC(EmbeddedMultiMediaCard)卡，EMCP(EmbeddedMulti-ChipPackage)卡、CF(CompactFlash)卡等，还可以是U盘、SSD(固态硬盘，SolidStateDisk)等。其中，基板11包括相对的第一侧面11a和第二侧面11b；存储芯片12设置于第一侧面11a；控制芯片13设置于存储芯片12远离基板11的一侧；若干个触片15设置于第二侧面11b。具体地，控制芯片13与若干个触片15电连接；控制芯片13与存储芯片12电连接；存储芯片12与若干个触片15电连接。其中，若干个触片15中的供电引脚分别给存储芯片12和控制芯片13供电。在数据写入过程中，若干个触片15中的数据引脚与外部设备电连接以获取数据信息，将数据信息发送给控制芯片13，控制芯片13将数据信息写入存储芯片12中。在数据读取过程中，控制芯片13从存储芯片12中获取数据信息，然后通过若干个触片13中的数据引脚将数据信息发送给外部设备。如图1所示，其中的若干个触片15一般是通过一层金属进行蚀刻形成的，其具有一定的厚度，形成凸起结构，而在若干个触片15相互之间的区域则会形成一凹陷区域A。结合图2，图2是存储装置制作流程中的受力示意图。在存储装置的制作过程中，会提供如图2中箭头所示的外力对存储装置进行按压，若其中的控制芯片在垂直方向上对应该凹陷区域A，而存储芯片12或者控制芯片13都是比较脆弱的，那么很有可能造成存储芯片12或者控制芯片13的损坏。如图3所示，图3是本申请提供的存储装置第一实施例中控制芯片和若干个触片的投影示意图。在本实施例中，控制芯片13在基板11上的第一投影区域13a和若干个触片15在基板11上的第二投影区域15a的重叠区域B的面积，与第一投影区域13a的面积比值，大于设定百分比阈值，即可以采用以下公式来进行表示：为了在按压过程中减小控制芯片13的损坏，需要将控制芯片13尽可能多的设置在若干个触片15的正上方。因此，重叠区域B的面积与第一投影区域13a的面积比值越大，也越符合预期的要求。可选的，在一实施例中，将该设定的百分比阈值设置为80％-100％之间。以80％为例，即要求重叠区域B的面积与第一投影区域13a的面积比值大于或等于80％，即可以采用以下的公式来进行表示：如图4所示，图4是本申请提供的存储装置第一实施例中控制芯片和触片的另一投影示意图。在另一实施例中，第一投影区域13a不仅可以与第二投影区域15a的一个长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，其特征在于，包括：基板，包括相对的第一侧面和第二侧面；存储芯片，设置于所述第一侧面；控制芯片，设置于所述存储芯片远离所述基板的一侧，并与所述存储芯片电连接；若干个触片，设置于所述第二侧面，并与所述控制芯片电连接；封装层，覆盖所述基板、所述存储芯片和所述控制芯片；其中，所述控制芯片在所述基板上的第一投影区域和所述若干个触片在所述基板上的第二投影区域的重叠区域的面积，与所述第一投影区域的面积比值，大于设定百分比阈值。

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，其特征在于，包括：基板，包括相对的第一侧面和第二侧面；存储芯片，设置于所述第一侧面；控制芯片，设置于所述存储芯片远离所述基板的一侧，并与所述存储芯片电连接；若干个触片，设置于所述第二侧面，并与所述控制芯片电连接；封装层，覆盖所述基板、所述存储芯片和所述控制芯片；其中，所述控制芯片在所述基板上的第一投影区域和所述若干个触片在所述基板上的第二投影区域的重叠区域的面积，与所述第一投影区域的面积比值，大于设定百分比阈值。2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述第二投影区域包括若干个子投影区域，每个所述子投影区域对应所述若干个触片中的一个触片；所述第一投影区域在任意一个子投影区域内。3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述第一投影区域在所述若干个触片中面积最大的触片所对应的子投影区域内。4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，所述存储装置为NM卡；所述第一投影区域在所述NM卡的CLK引脚...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宏辉，李中政，周健，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44