一种基板清洗头及基板清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基板清洗头，包括具有一定厚度的圆盘状基座及同心连接于所述基座下表面的圆形清洁垫，所述基座沿厚度方向具有多个通道，所述清洁垫具有多个通孔，每个通孔耦合至不同的通道，不同的流体管延伸通过所述通道至所述清洁垫的通孔，使得清洗液可经由所述流体管及通孔喷射至基板表面并在与污染物结合后经由其他通孔吸走。

【技术实现步骤摘要】
一种基板清洗头及基板清洗装置
本专利技术属于化学机械抛光
，具体而言，涉及一种基板清洗头及基板清洗装置。
技术介绍
随着半导体产业的迅速发展，集成电路特征尺寸不断趋于微细化，半导体晶片向小体积、高电路密集度、快速、低耗电方向发展，集成电路现已进入特大规模集成电路亚微米级的技术阶段。伴随着硅晶片直径的逐渐增大，元件内刻线宽度逐步缩小，金属层数的增多，半导体薄膜表面的平坦化对器件的高性能、低成本、高成品率有着重要的影响，硅晶片表面的平整度要求将日趋严格。目前，化学机械抛光(CMP，ChemicalMechanicalPlanarization)作为获得全局平面化效果的平整化技术，已经发展成集抛光、基板传输、在线量测、清洗等技术于一体的化学机械抛光技术。这种化学机械抛光方法通常将基板吸合在承载头的下部，基板具有沉积层的一面抵接于旋转的抛光垫上，承载头在驱动部件的带动下与抛光垫同向旋转并给予基板向下的载荷；同时，抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在基板与抛光垫之间，在化学及机械的综合作用下完成基板全局抛光。在基板进行化学机械抛光后，会在基板表面残留加工的移除物和抛光液，为了及时去除基板表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板清洗头，包括：具有一定厚度的圆盘状基座及同心连接于所述基座下表面的圆形清洁垫，所述基座沿厚度方向具有多个通道，所述清洁垫具有多个通孔，每个通孔耦合至不同的通道，不同的流体管延伸通过所述通道至所述清洁垫的通孔，使得清洗液可经由所述流体管及通孔喷射至基板表面并在与污染物结合后经由其他通孔吸走。

【技术特征摘要】
1.一种基板清洗头，包括：具有一定厚度的圆盘状基座及同心连接于所述基座下表面的圆形清洁垫，所述基座沿厚度方向具有多个通道，所述清洁垫具有多个通孔，每个通孔耦合至不同的通道，不同的流体管延伸通过所述通道至所述清洁垫的通孔，使得清洗液可经由所述流体管及通孔喷射至基板表面并在与污染物结合后经由其他通孔吸走。2.如权利要求1所述的基板清洗头，其特征在于，所述通孔沿所述清洁垫的具有不同直径的圆周等距均匀分布。3.如权利要求1所述的基板清洗头，其特征在于，所述通孔沿所述清洁垫的半径方向等距均匀分布。4.如权利要求1至3中任一项所述的基板清洗头，其特征在于，相邻的两个通孔分别用于喷射和吸走清洗液。5.如权利要求1所述的基板清洗头，其特征在于，所述清洁垫的半径小于所述基座的半径。6.如权利要求1所述的基板清洗头，其特征在于，所述基座与清洁垫之...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋阳波，赵德文，李长坤，刘远航，路新春，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11