闪存的控制器及控制方法技术

本发明专利技术关于一种闪存的控制器及控制方法，控制器包含一扰乱电路与一控制电路，扰乱电路扰乱至少一输入数据而产生至少一有效数据，控制电路接收至少一无效数据与扰乱电路产生的至少一有效数据，该至少一无效数据并非为固定常数，控制电路写入该至少一有效数据至闪存的至少一有效储存区，以及写入该至少一无效数据至闪存的至少一无效储存区。藉由写入并非为固定常数的无效数据至闪存的无效储存区，可以降低无效储存区对有效储存区的干扰，如此可以提高闪存的可靠度以及可用的储存空间。

The Controller and Control Method of Flash Memory

【技术实现步骤摘要】
闪存的控制器及控制方法
本专利技术是关于一种闪存，尤指一种控制闪存的控制器及控制方法。
技术介绍
由于电子产品蓬勃发展，驱使消费者对储存媒体的需求随而增加。由于可覆写式非挥发性内存(rewritablenon-volatilememory)具有可重复写入数据、读写数据速度快、数据非挥发性、省电与体积小等特性，因此可覆写式非挥发性内存最适合作为电子产品的储存媒体，尤其是闪存(flashmemory)。一般而言，部分闪存的一些储存区在出厂时就已经损坏，虽然数据仍然可以写入至该些损坏储存区，但是从该些损坏储存区读取出的数据并不同于原先数据，其表示该些损坏储存区无法正常储存数据。因此，当写入数据至闪存时，当然需写入数据至闪存的未损坏储存区而并不需写入数据至损坏储存区。在现有技术，写入数据至闪存的未损坏储存区时，亦会写入固定的常数至损坏储存区，其表示写入相同的值至各损坏储存区，此数笔固定的常数是无效数据，而写入至未损坏储存区的数据为有效数据。写入数据至闪存是藉由电压改变闪存的储存元件的储存状态，此电压是藉由充电电路进行充电而产生，写入的数据不同，充电电路所产生的电压就会不同。在现有技术，以充电电路进行充电而写入一常数至损坏储存区时，充电电路的充电过程会因耦合效应而干扰邻近损坏储存区的未损坏储存区的储存元件，且此干扰可能会影响未损坏储存区的储存元件的储存状态，其表示未损坏储存区所储存的有效数据可能发生错误，如此即降低闪存的可靠度。换句话说，在多次写入固定的常数至复数损坏储存区的充电期间，若写入此固定的常数所对应的充电过程对邻近的未损坏储存区的储存元件有较大耦合干扰，如此多次写入此固定的常数至复数损坏储存区时，邻近的未损坏储存区的储存电压因受多次的较大耦合干扰即容易产生电压偏移的现象，如此未损坏储存区所储存的数据将可能被改变成非原储存数据。此外，若未损坏储存区位于两个损坏储存区之间，由于此两个损坏储存区被写入固定常数(无效数据)，所以此两个损坏储存区的充电电路的充电过程皆会影响位于两者之间的未损坏储存区的储存元件，而提升此未损坏储存区所储存的有效数据的错误率，在这样情况下，即会把此未损坏储存区列为损坏储存区，如此即会减少闪存的可用储存空间。另外，基于某些需求下，例如便于管理闪存的需求，闪存具有一些未利用储存区，此未利用储存区不储存有效数据。于现有技术，当写入有效数据至闪存时，有效数据即不会写入至此未利用储存区，但是系统会内定写入固定常数的无效数据至此未利用储存区。一般而言，未利用储存区邻近于可利用储存区。当邻近于未利用储存区的可利用储存区并未损坏时，有效数据即会被写入至此可利用储存区。然而，以充电电路进行充电而写入固定常数(无效数据)至未利用储存区时，充电电路的充电过程会干扰邻近的可利用储存区的储存元件，且此干扰可能会影响可利用储存区的储存元件的储存状态，其表示可利用储存区所储存的有效数据即可能错误，如此即降低闪存的可靠度。基于上述问题，本专利技术提供一种闪存的控制器及控制方法，其可降低损坏储存区对未损坏储存区的干扰，以及降低未利用储存区对未损坏储存区的干扰，如此可提高闪存的可靠度以及提高闪存的可用储存空间。
技术实现思路
本专利技术的一目的，在于提供一种闪存的控制器及控制方法，其可写入并非为固定常数的无效数据至损坏储存区，以可降低损坏储存区对未损坏储存区的干扰，如此可提高闪存的可靠度以及可用储存空间。本专利技术的一目的，在于提供一种闪存的控制器及控制方法，其可写入并非为固定常数的无效数据至未利用储存区，以可降低未利用储存区对未损坏储存区的干扰，如此可提高闪存的可靠度。本专利技术揭示一种闪存的控制器，其包含一扰乱电路以及一控制电路。扰乱电路接收至少一输入数据，并扰乱输入数据而产生至少一有效数据；控制电路接收至少一无效数据与扰乱电路产生的该至少一有效数据，该至少一无效数据并非为一固定常数，控制电路写入该至少一有效数据至闪存的至少一有效储存区，以及写入该至少一无效数据至闪存的至少一无效储存区。本专利技术揭示一种闪存的控制方法，其包含接收至少一输入数据；扰乱该至少一输入数据而产生至少一有效数据；提供至少一无效数据，该至少一无效数据并非为一固定常数；写入该至少一有效数据至闪存的至少一有效储存区；以及写入该至少一无效数据至闪存的至少一无效储存区。实施本专利技术产生的有益效果是：本专利技术可降低损坏储存区对未损坏储存区的干扰，以及降低未利用储存区对未损坏储存区的干扰，如此可提高闪存的可靠度以及提高闪存的可用储存空间。附图说明图1为本专利技术的闪存的控制器的一实施例的方块图；图2为本专利技术的闪存的一实施例的示意图；图3为本专利技术的闪存的一储存页的一实施例的示意图；图4A为本专利技术的闪存的储存页尚未被写入数据的一实施例的示意图；图4B为图4A的储存页被写入数据的示意图；图5A为本专利技术的闪存的储存页尚未被写入数据的另一实施例的示意图；以及图5B为图5A的储存页被写入数据的示意图。【图号对照说明】5主机10闪存101储存区块20控制器21主机接口22缓冲器23控制电路24选择电路25扰乱电路26闪存接口27储存单元28数据筛选单元29解扰乱电路P1～PN储存页C11～C1M储存栏C21～C25储存栏C31～C35储存栏具体实施方式为了使本专利技术的架构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用实施例及配合详细的说明，说明如下：在说明书及后续的权利要求范围当中使用了某些词汇指称特定的元件。所属本专利技术
的技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词称呼同一个元件。本说明书及后续的权利要求范围并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接一第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接该第二装置，或可透过其他装置或其他连接手段间接地电气连接至该第二装置。请参阅图1，其为本专利技术的闪存的控制器的一实施例的方块图。如图所示，本专利技术揭示一控制器20，其耦接一闪存10，以控制闪存10，控制器20更耦接一主机5，控制器20可接收主机5所传送的数据，并可以写入数据至闪存10，以储存主机5所传送的数据于闪存10，控制器20也可以从闪存10读取数据并传送所读取的数据至主机5。上述的主机5为可与控制器20相配合，以储存数据至闪存10的任意电子装置，例如计算机系统、移动电话、数字相机、音频播放器或者视讯播放器等。上述主机5传送至控制器20而欲储存至闪存10的数据为输入数据。本专利技术的控制器20欲储存至少一输入数据至闪存10时，控制器20扰乱该至少一输入数据而产生至少一有效数据，并写入该至少一有效数据至闪存10的可利用的至少一未损坏储存区，且分别写入至少一无效数据至闪存10的至少一损坏储存区与至少一未利用储存区，无效数据并非为固定常数，非固定常数表示写入至各损坏储存区与各未利用储存区的无效数据并不相同。由于有效数据储存至可利用的未损坏储存区，而不会储存至损坏储存区与未利用储存区，因此可利用的未损坏储存区为有效储存区，而损坏储存区与未利用储存区为无效储存区。由于控制器20写入有效数据至有效储存区的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存的控制器，供控制一闪存，其特征在于，该控制器包含：一扰乱电路，接收至少一输入数据，并扰乱该至少一输入数据而产生至少一有效数据；以及一控制电路，耦接于该扰乱电路，该控制电路接收至少一无效数据与该扰乱电路产生的该至少一有效数据，该至少一无效数据并非为一固定常数，且写入该至少一有效数据至该闪存的至少一有效储存区，以及写入该至少一无效数据至该闪存的至少一无效储存区。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的控制器，供控制一闪存，其特征在于，该控制器包含：一扰乱电路，接收至少一输入数据，并扰乱该至少一输入数据而产生至少一有效数据；以及一控制电路，耦接于该扰乱电路，该控制电路接收至少一无效数据与该扰乱电路产生的该至少一有效数据，该至少一无效数据并非为一固定常数，且写入该至少一有效数据至该闪存的至少一有效储存区，以及写入该至少一无效数据至该闪存的至少一无效储存区。2.如权利要求1所述的闪存的控制器，其特征在于，更包含：一数据筛选单元，耦接于该控制电路，以接收该控制电路从该闪存所读取的至少一数据序列，该至少一数据序列包含该至少一有效数据与该至少一无效数据，该数据筛选单元依据该至少一无效储存区的位置信息从该至少一数据序列筛选掉该至少一无效数据，而筛选出该至少一有效数据；以及一解扰乱电路，耦接于该数据筛选单元，以接收该数据筛选单元输出的该至少一有效数据，并解扰乱该至少一有效数据，而产生至少一输出数据。3.如权利要求2所述的闪存的控制器，其特征在于，更包含一储存单元，其耦接该数据筛选单元及该控制电路，该储存单元储存该至少一无效储存区的位置信息。4.如权利要求1所述的闪存的控制器，其特征在于，更包含一选择电路，其接收该至少一输入数据及至少一参考数据，该选择电路分别耦接该控制电路与该扰乱电路，该控制电路依据该至少一有效储存区或该至少一无效储存区的位置信息控制该选择电路选择该至少一输入数据或者该至少一参考数据，而输出该至少一输入数据或者该至少一参考数据，该扰乱电路接收该选择电路输出的该至少一参考数据，并扰乱该至少一参考数据而产生该至少一无效数据。5.如权利要求4所述的闪存的控制器，其特征在于，更包含一储存单元，其耦接该选择电路及该...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄富升，谢明廷，叶政忠，
申请(专利权)人：矽创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71