一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法。该阵列基板包括衬底基板，具有彩膜基板对置设置区和台阶区；配向层，位于彩膜基板对置设置区；导电端子结构，包括多层导电膜层，位于台阶区；至少一个凹槽结构，位于台阶区；其中，凹槽结构至少位于导电端子结构与台阶区边界之间，台阶区边界为彩膜基板对置设置区和台阶区的边界。本发明专利技术实施例提供的技术方案可以防止配向层材料蔓延至导电端子结构处，避免配向层材料覆盖导电端子结构中的导电接触面，影响导电端子结构的导电能力。

A Fabrication Method of Array Substrate, Display Panel and Array Substrate

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法
本专利技术实施例涉及显示面板
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法。
技术介绍
阵列基板包括彩膜基板对置设置区和台阶区，彩膜基板对置设置区包括显示区，随着全面屏的发展，沿彩膜基板对置设置区朝向台阶区的方向，显示区靠近台阶区的边缘与台阶区背离显示区的边缘之间的宽度越来越小，其中，基于COG(ChipOnGlass，简称COG)封装技术的显示装置，显示区靠近台阶区的边缘与台阶区背离显示区的边缘之间的宽度小于等于2.4mm，基于COF(ChipOnFilm，简称COF)封装技术的显示面板，显示区靠近台阶区的边缘与台阶区的边缘的宽度小于等于1.4mm，为了使显示装置具有较窄的边框，显示装置多采用COF封装技术。通常情况下，阵列基板的台阶区需要设置导电端子结构，以便将阵列基板内的器件或数据线与外部结构电连接。但是，现有工艺中，用于制作配向层的聚酰亚胺的蔓延能力为1.2mm，即配向层越过显示区蔓延至台阶区的宽度为1.2mm，大于导电端子结构到显示区的距离，导致聚酰亚胺材料蔓延至导电端子结构中，覆盖导电端子结构中的导电接触面，影响导电端子结构的导电能力。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法，以实现避免配向层材料覆盖导电端子结构中的导电接触面，影响导电端子结构的导电能力。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，具有彩膜基板对置设置区和台阶区；配向层，位于彩膜基板对置设置区；导电端子结构，包括多层导电膜层，位于台阶区；至少一个凹槽结构，位于台阶区；其中，凹槽结构至少位于导电端子结构与台阶区边界之间，台阶区边界为彩膜基板对置设置区和台阶区的边界。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括本专利技术任意实施例所述的阵列基板。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板，衬底基板具有彩膜基板对置设置区和台阶区；在台阶区形成导电端子结构以及至少一个凹槽结构；在彩膜基板对置设置区形成配向层；其中，凹槽结构至少位于导电端子结构与台阶区边界之间；台阶区边界为彩膜基板对置设置区和台阶区的边界。本专利技术实施例提供的阵列基板，通过在导电端子结构与台阶区边界之间设置凹槽结构，使得配向层材料朝向导电端子结构蔓延时，当配向层材料蔓延至凹槽结构时，会流淌至凹槽结构内并被凹槽结构存储，从而不会继续蔓延至导电端子结构的导电接触面，实现防止配向层覆盖导电端子结构的导电接触面的效果。附图说明图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是图1沿A1-A1’的剖面图；图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图4是图3沿A2-A2’的剖面图；图5是本专利技术实施例提供的另一种阵列基本的结构示意图；图6是图5沿A3-A3’的剖面图；图7是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图8是图7沿A4-A4’的剖面图；图9是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图10是图9沿A5-A5’的剖面图；图11是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图12是图11沿A6-A6’的剖面图图13是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图14是图13沿A7-A7’的剖面图图15是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图16是图19沿A8-A8’的剖面图；图17是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图18是图19沿A9-A9’的剖面图；图19是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图20是图19沿A10-A10’的剖面图；图21是本专利技术实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；图22是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图。图2是图1沿A1-A1’的剖面图。参见图1和图2，该阵列基板包括：衬底基板121’、配向层21’以及导电端子结构11’，衬底基板121’具有彩膜基板对置设置区20’和台阶区10’，配向层21’位于彩膜基板对置设置区20’；导电端子结构11’包括位于台阶区且依次层叠的第一导电膜层111’、第二导电膜层112’和第三导电膜层113’。现有技术中，在彩膜基板对置设置区20’设置配向层21’时，将用于制作配向层的聚酰亚胺涂布在彩膜基板对置设置区20’中的显示区(图1未示出)，这里所说的显示区指的是显示图像的区域。但是，现有工艺中聚酰亚胺的蔓延能力为1.2mm，导致聚酰亚胺越过彩膜基板对置设置区20’向台阶区10蔓延，当聚酰亚胺材料蔓延至导电端子结构11’中时，会覆盖导电端子结构11’中的导电接触面，影响导电端子结构11’的导电能力，这里所说的导电接触面指的是导电材料30’与第三导电膜层113’的接触面。有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板。图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。图4是图3沿A2-A2’的剖面图。参见图3和图4，该阵列基板包括：衬底基板13、配向层21、导电端子结构11和至少一个凹槽结构15。衬底基板13具有彩膜基板对置设置区20和台阶区10。配向层21位于彩膜基板对置设置区20。导电端子结构11位于台阶区10，包括多层导电膜层。凹槽结构15位于台阶区10，并且至少位于导电端子结构11与台阶区10边界之间，这里所说的台阶区10边界指的是彩膜基板对置设置区20和台阶区10的边界。具体的，衬底基板13可以是玻璃基板，也可以是聚酰亚胺柔性基板，彩膜基板对置设置区20指的是，彩膜基板在阵列基板上的垂直投影覆盖的区域，台阶区10指的是阵列基板上未被彩膜基板的垂直投影覆盖的区域。配向层21的材料可以为聚酰亚胺，通过涂布的方式设置在阵列基板的彩膜基板对置设置区20，其背离衬底基板13的一侧可以设置有多个沟槽，用于控制液晶分子以特定的方向排列。具体的，导电端子结构11设置在台阶区10，其包括多层导电膜层。阵列基板的彩膜基板对置设置区20可以包括电路及信号线，导电端子结构11的任一导电膜层可以不与彩膜基板对置设置区20内的电路或信号线连接，即导电端子结构11只与外部结构连接。还可以设置导电端子结构11的至少一个导电膜层与彩膜基板对置设置区20内的器件或信号线连接，并且至少一个导电膜层与外部结构连接，实现彩膜基板对置设置区20内的电路或信号线与外部结构的电连接。示例性的，阵列基板与彩膜基板可以通过框胶贴合形成盒状空间，盒状空间内设置有液晶。为避免静电，可以在彩膜基板背离液晶的一侧溅射一层透明导电层，起到消除静电的作用，该透明导电层需要连接至阵列基板的接地端。阵列基板的台阶区10可以设置柔性线路板，导电端子结构11的导电接触面可以通过导电材料(例如银胶)与该透明导电层连接，并且导电端子结构11的其中一层导电膜层通过设置于台阶区10内的信号线与柔性线路板上的接地引脚电连接，以实现透明导电层与接地端电连接。示例性的，阵列基板的台阶区10可以设置驱动IC，导电端子结构11的导电接触面可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，具有彩膜基板对置设置区和台阶区；配向层，位于所述彩膜基板对置设置区；导电端子结构，包括多层导电膜层，位于所述台阶区；至少一个凹槽结构，位于所述台阶区；其中，所述凹槽结构至少位于所述导电端子结构与所述台阶区边界之间，所述台阶区边界为所述彩膜基板对置设置区和所述台阶区的边界。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，具有彩膜基板对置设置区和台阶区；配向层，位于所述彩膜基板对置设置区；导电端子结构，包括多层导电膜层，位于所述台阶区；至少一个凹槽结构，位于所述台阶区；其中，所述凹槽结构至少位于所述导电端子结构与所述台阶区边界之间，所述台阶区边界为所述彩膜基板对置设置区和所述台阶区的边界。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电端子结构的至少一层导电膜层上设置有一导电衬垫；所述凹槽结构包括第一凹槽结构，所述第一凹槽结构与所述导电端子结构相毗邻。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，包括：所述导电衬垫位于所述导电端子结构的两相邻所述导电膜层之间。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述导电衬垫朝向所述衬底基板一侧且与所述导电衬垫相邻的所述导电膜层为第一类导电膜层；所述第一类导电膜层与所述导电衬垫形成有台阶结构；所述第一类导电膜层的面积大于所述导电衬垫的面积。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，位于所述导电衬垫背离所述衬底基板一侧且与所述导电衬垫相邻的所述导电膜层为第二类导电膜层；所述第二类导电膜层与所述第一类导电膜层具有台阶结构；所述第二类导电膜层的面积小于所述第一类导电膜层的面积。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述导电衬垫包括多个子导电衬垫，相邻所述子导电衬垫之间具有第一间隙。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二类导电膜层包括多个子导电膜层，相邻所述子导电膜层之间具有第二间隙；沿垂直于所述衬底基板所在方向上，所述第二间隙与所述第一间隙对应。8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽结构包括第二凹槽结构，沿所述台阶区边界朝向所述导电端子结构的方向，所述第二凹槽结构与所述导电端子结构之间间隔预设距离。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽结构呈U字形，且所述导电端子结构位于所述U字形开口内。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽结构呈封闭环形，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓晓，许喜爱，刘冰萍，李作银，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35