阵列基板及其制造方法、显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板，涉及显示技术领域。由于该阵列基板中的黑矩阵层位于衬底基板的一侧，晶体管器件层和彩膜层位于衬底基板的另一侧，即黑矩阵层，与晶体管器件层和彩膜层位于衬底基板的不同侧。因此在形成该阵列基板中的晶体管器件层和彩膜层时，黑矩阵层不会遮挡对位标识点，可以确保掩模板能够与对位标识点准确对准，进而可以确保最终制造得到的阵列基板中的各个膜层的对位精度较高。

Array Substrate and Its Manufacturing Method and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板
本申请涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。
技术介绍
将彩色滤光片(colorfilter，CF)制作在阵列基板(array)上，即COA(CFonarray)技术，可以解决薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)中的串色和混色问题。相关技术中，制造采用COA技术的阵列基板时，在衬底基板上形成晶体管器件层以及钝化层后，可以在该钝化层远离晶体管器件层的一侧依次形成黑矩阵(blackmatrix，BM)层和彩色滤光片(也称为彩膜层)。但是，由于形成黑矩阵层的材料不透光，导致在采用掩模板(Mask)形成黑矩阵层和彩膜层时，掩模板上的对位标识点(Mark)无法与晶体管器件层上的对位标识点对准，导致形成的阵列基板中各个膜层的对位精度较低。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板，可以解决相关技术的阵列基板中的各个膜层的对位精度较低的问题。所述技术方案如下：一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的黑矩阵层，以及依次位于所述衬底基板另一侧的晶体管器件层和彩膜层；其中，所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述晶体管器件层中的晶体管在所述衬底基板上的正投影。可选的，所述衬底基板具有显示区域以及包围所述显示区域的周边区域；所述黑矩阵层位于所述周边区域的部分设置有至少两个对位标识孔。可选的，所述衬底基板为矩形基板；所述黑矩阵层位于所述周边区域的部分设置有四个所述对位标识孔；四个所述对位标识孔在所述衬底基板上的正投影分别位于所述衬底基板的四角。可选的，所述阵列基板还包括：位于所述黑矩阵层远离所述衬底基板一侧的保护层。可选的，制成所述保护层的材料包括氧化铟锡、氮化硅或氧化硅。另一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板的一侧形成黑矩阵层；在所述衬底基板的另一侧依次形成晶体管器件层和彩膜层；其中，所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述晶体管器件层中的晶体管在所述衬底基板上的正投影。可选的，所述衬底基板具有显示区域以及包围所述显示区域的周边区域；所述在衬底基板的一侧形成黑矩阵层，包括：在所述衬底基板的一侧形成覆盖所述显示区域和所述周边区域的黑矩阵材料膜层；对所述黑矩阵材料膜层进行图案化处理，得到黑矩阵层，所述黑矩阵层位于所述周边区域的部分形成有至少两个对位标识孔。可选的，在所述衬底基板的另一侧依次形成晶体管器件层和彩膜层，包括：基于所述至少两个对位标识孔对掩模板进行对位；采用所述掩模板在所述衬底基板的另一侧依次形成晶体管器件层和彩膜层。可选的，在衬底基板的一侧形成黑矩阵层之后，所述方法还包括：在所述黑矩阵层远离所述衬底基板的一侧形成保护层。又一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：如上述方面所述的阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶。本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：本申请提供了一种阵列基板阵列基板及其制造方法、显示面板，由于该阵列基板中的黑矩阵层位于衬底基板的一侧，晶体管器件层和彩膜层位于衬底基板的另一侧，即黑矩阵层，与晶体管器件层和彩膜层位于衬底基板的不同侧。因此在形成该阵列基板中的晶体管器件层和彩膜层时，黑矩阵层不会遮挡对位标识点，可以确保掩模板能够与对位标识点准确对准，进而可以确保最终制造得到的阵列基板中的各个膜层的对位精度较高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图5是本专利技术实施例提供的一种形成彩膜层时掩模板的对位示意图；图6是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图7是本专利技术实施例提供的另一种形成彩膜层时掩模板的对位示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。相关技术中，为了确保掩模板上的对位标识点能够与晶体管器件层上的对位标识点准确对准，还可以研发新的黑矩阵材料，该新的黑矩阵材料可以在特定波长下透光，由此可以确保在采用掩模板对新的黑矩阵材料进行曝光时，掩模板上的对位标识点能够与晶体管器件层上的对位标识点对准。但是，新的黑矩阵材料的研发难度高，研发费用高，且需要大量人力。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，参见图1，该阵列基板可以包括：衬底基板101，位于该衬底基板101一侧的黑矩阵层102，以及依次位于该衬底基板101另一侧的晶体管器件层103和彩膜层104。其中，该黑矩阵层102在该衬底基板101上的正投影，可以覆盖该晶体管器件层103中的晶体管在该衬底基板101上的正投影。在本专利技术实施例中，在制造该阵列基板时，可以先在衬底基板101的一侧形成黑矩阵层102，然后再在该衬底基板101的另一侧依次形成与该黑矩阵层102对准的晶体管器件层103和彩膜层104。由于黑矩阵层102，与晶体管器件层103和彩膜层104位于衬底基板101的不同侧，在采用掩模板形成晶体管器件层103和彩膜层104时，该黑矩阵层102不会遮挡对位标识点(例如，位于遮光层上的对位标识点)，因此该掩模板可以与对位标识点准确对准，进而可以使得制造得到的阵列基板包括的各个膜层的对位精度较高。综上所述，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，由于该阵列基板中的黑矩阵层位于衬底基板的一侧，晶体管器件层和彩膜层位于衬底基板的另一侧，即黑矩阵层，与晶体管器件层和彩膜层位于衬底基板的不同侧。因此在形成该阵列基板中的晶体管器件层和彩膜层时，黑矩阵层不会遮挡对位标识点，可以确保掩模板能够与对位标识点准确对准，进而可以确保最终制造得到的阵列基板中的各个膜层的对位精度较高。在本专利技术实施例中，该衬底基板101具有显示区域以及包围该显示区域的周边区域。图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图。如图2所示，该黑矩阵层102位于周边区域的部分可以设置有至少两个对位标识孔1021。每个对位标识孔1021贯穿该黑矩阵层102。也即是，该对位标识孔1021可以透光。在制造阵列基板的过程中，在衬底基板101的一侧形成黑矩阵层102之后，在衬底基板101的另一侧形成晶体管器件层103和彩膜层104等后续膜层时，可以直接采用该至少两个对位标识孔1021作为对位标识点，对掩模板进行对位。由此，无需再在各个膜层上形成新的对位标识点，简化了阵列基板的制造工艺。在本专利技术实施例中，如图2所示，该衬底基板101可以为矩形基板。黑矩阵层102位于周边区域的部分可以设置有四个对位标识孔1021，该四个对位标识孔1021在该衬底基板101上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的黑矩阵层，以及依次位于所述衬底基板另一侧的晶体管器件层和彩膜层；其中，所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述晶体管器件层中的晶体管在所述衬底基板上的正投影。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的黑矩阵层，以及依次位于所述衬底基板另一侧的晶体管器件层和彩膜层；其中，所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述晶体管器件层中的晶体管在所述衬底基板上的正投影。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板具有显示区域以及包围所述显示区域的周边区域；所述黑矩阵层位于所述周边区域的部分设置有至少两个对位标识孔。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板为矩形基板；所述黑矩阵层位于所述周边区域的部分设置有四个所述对位标识孔；四个所述对位标识孔在所述衬底基板上的正投影分别位于所述衬底基板的四角。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述黑矩阵层远离所述衬底基板一侧的保护层。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，制成所述保护层的材料包括氧化铟锡、氮化硅或氧化硅。6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板的一侧形成黑矩阵层；在所述衬底基板的另一侧依次形成晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎文秀，陈强，方业周，王旭，陈志刚，彭艳召，任伟，夏高飞，刘耀祖，高云，彭利满，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11