微电极膜片的制备方法技术

本发明专利技术提供一种微电极膜片的制备方法，属于生物电极技术领域，其可解决采用现有的微电极膜片制备方法形成的微电极与生物体接触的紧密度低的不足。本发明专利技术微电极膜片的制备方法，包括：在临时基底上形成至少一个凹槽；在凹槽中形成微电极植晶；利用微电极植晶在凹槽中生长形成微电极；使第一基底与临时基底具有凹槽的一侧接触；使微电极和临时基底分离，以将微电极转移至第一基底上。

Preparation of microelectrode diaphragm

【技术实现步骤摘要】
微电极膜片的制备方法
本专利技术涉及生物电极
，具体地，涉及一种微电极膜片的制备方法。
技术介绍
微电极膜片一般包括基底和设置在基底上的微电极，微电极是一种微型化电极，其为至少在一维尺度上不大于200μm的电极。微电极由于尺寸小而具有一些常规电极无法比拟的性质，如具有电流密度高、响应速度快、信噪比高等特点。因此，其越来越被广泛的应用于生物体(如，人、动物的组织、器官)的检测、刺激等生物领域。采用微电极膜片检测、刺激生物体的基本原理为：将微电极膜片贴在生物体上，使其中的微电极与生物体接触，采集装置通过微电极采集生物体的电信号(电压)，以实现对生物体的检测；以及，刺激装置通过微电极向生物体输出刺激信号(电流)，以实现对生物体的刺激。微电极膜片的微电极与生物体的有效接触面积(当微电极膜片与生物体接触时，微电极表面能与生物体接触的部分的面积比)对最终的检测结果、刺激结果有很大的影响，例如，当刺激装置输出相同的刺激信号，上述面积比越大，则生物体受到的刺激信号越强。因此，为了保证最终检测、刺激结果的准确性，微电极的形状最好是与生物体的形状、具体的应用场景相适应的形状。然而，生物体的形状千差万别，且应用场景多种多样，故微电极的形状需要多种。虽然，参见图1a、1b，目前微电极的形状包括针状、柱状、纳米草以及多孔状等，但是形成这些微电极的微电极膜片制备工艺各不相同，即目前形成多种不同形状的微电极的制备工艺比较复杂。
技术实现思路
本专利技术至少部分解决现有的形成多种不同形状的微电极的制备工艺复杂的问题，提供了一种工艺简单的微电极膜片的制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种微电极膜片的制备方法，包括：在临时基底上形成至少一个凹槽；在所述凹槽中形成微电极植晶；利用所述微电极植晶在所述凹槽中生长形成微电极；使第一基底与所述临时基底具有所述凹槽的一侧接触；使所述微电极和所述临时基底分离，以将所述微电极转移至所述第一基底上。可选地，所述临时基底为硅基底，所述微电极植晶包括掺硼金刚石，所述第一基底包括聚酰亚胺。可选地，所述在临时基底上形成至少一个凹槽，包括：通过构图工艺在所述临时基底上形成第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡上的开口对应预定形成所述凹槽的位置；用刻蚀液对所述临时基底进行刻蚀，以在所述临时基底上形成所述凹槽。可选地，所述用刻蚀液对所述临时基底刻蚀进行刻蚀，包括：对所述临时基底进行各向同性刻蚀。可选地，所述对所述临时基底进行各向同性刻蚀，包括：将所述临时基底置于所述刻蚀液中，且在所述临时基底刻蚀过程中搅拌所述刻蚀液。可选地，所述开口为圆形。可选地，所述在所述凹槽中形成微电极植晶，包括：在所述临时基底上具有所述凹槽的一侧形成微电极植晶层，将所述微电极植晶层上位于所述凹槽之外的微电极植晶刻蚀掉。可选地，在所述利用所述微电极植晶在所述凹槽中生长形成微电极和所述使第一基底与所述临时基底具有所述凹槽的一侧接触之间，还包括：采用构图工艺，在所述临时基底上形成至少一条与所述微电极相连的引线；使所述微电极和所述临时基底分离，以将所述微电极转移至所述第一基底上中，还包括：使所述引线和所述临时基底分离，以将所述引线转移至所述第一基底上。可选地，每个所述微电极与一条所述引线对应相连。可选地，所述引线的厚度为10μm至50μm；所述引线的宽度为20μm至100μm。可选地，在使所述微电极和所述临时基底分离，以将所述微电极转移至所述第一基底上之后，还包括：在所述第一基底具有微电极的一侧形成第二基底，所述第二基底上形成有供所述微电极穿过的通孔。可选地，所述在临时基底上形成至少一个凹槽包括：在所述临时基底上形成多个阵列排布的所述凹槽。附图说明图1a为柱状掺硼金刚石电极的示意图；图1b为纳米草状掺硼金刚石电极的示意图；图2a为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的第一凹槽结构示意图；图2b为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的第二凹槽结构示意图；图2c为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的第三凹槽结构示意图；图3a为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的步骤11后形成的微电极膜片的示意图；图3b为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的步骤12后形成的微电极膜片的示意图；图3c为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的步骤13后形成的微电极膜片的示意图；图3d为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的步骤13a后形成的微电极膜片的示意图；图3e为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的步骤14后形成的微电极膜片的示意图；图3f为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的步骤15后形成的微电极膜片的示意图；图3g为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的步骤16后形成的微电极膜片的示意图；图4为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的一种微电极膜片的结构示意图；图5为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的一种流程图；图6为本专利技术提供的微电极膜片的制备方法的实施例的另一种流程图；其中的附图标记说明：01、微电极；011、微电极植晶；02、引线；031、第一基底；032、第二基底；04、临时基底；40、凹槽；41、第一凹槽、42、第二凹槽、43、第三凹槽。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术所提供的一种微电极膜片的制备方法作进一步详细描述。实施例：参见图1至6，本实施例提供一种微电极膜片的制备方法，采用该方法制备得到的微电极膜片的产品形态可以参见图3f、图3g、图4。参见图5，该方法可以包括：步骤11、在临时基底04上形成至少一个凹槽40，参见图3a。该步骤中，可以采用构图工艺在临时基底04上形成凹槽40，其中，凹槽40的形状、数量等工艺参数可以根据实际需要而设置。步骤12、在凹槽40中形成微电极植晶011，参见图3b。步骤13、利用微电极植晶011在凹槽40中生长形成微电极01，参见图3c。该步骤中，微电极植晶011在凹槽40中生长，故形成的微电极01的形状与凹槽40的形状相同，即凹槽40的形状定义了微电极01的形状。步骤14、使第一基底031与临时基底04具有凹槽40的一侧接触，参见图3e。该步骤中，第一基底031可以采用涂覆的方式形成于临时基底04具有凹槽40的一侧，以使微电极01对应凹槽40开口的表面与第一基底031接触且连接在一起。步骤15、使微电极01和临时基底04分离，以将微电极01转移至第一基底031上，参见图3f。上述方案中，凹槽40的形状定义了微电极01的形状，原则上，在临时基底04上能够形成何种形状的凹槽40，即可得到相应形状的微电极01，同时，在临时基底04上形成多种不同形状的凹槽40比较容易实现，例如采用构图工艺，因此，采用上述方案的微电极膜片的制备方法能够根据实际需要生成相应形状的微电极01，进而，提高了采用生物检测的检测结果的准确度，以及提升了生物刺激的刺激效果。可选地，临时基底04为硅基底，微电极植晶011包括掺硼金刚，第一基底031包括聚酰亚胺。掺硼金刚石(BDD)作为一种生物电极具有良好的生物相容性以及电化学稳定性，能在生物体环境中实现长时间的工作而其导电性能不受影响。同时，掺硼金刚石(BDD)电极又具有宽的势窗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电极膜片的制备方法，其特征在于，包括：在临时基底上形成至少一个凹槽；在所述凹槽中形成微电极植晶；利用所述微电极植晶在所述凹槽中生长形成微电极；使第一基底与所述临时基底具有所述凹槽的一侧接触；使所述微电极和所述临时基底分离，以将所述微电极转移至所述第一基底上。

【技术特征摘要】
1.一种微电极膜片的制备方法，其特征在于，包括：在临时基底上形成至少一个凹槽；在所述凹槽中形成微电极植晶；利用所述微电极植晶在所述凹槽中生长形成微电极；使第一基底与所述临时基底具有所述凹槽的一侧接触；使所述微电极和所述临时基底分离，以将所述微电极转移至所述第一基底上。2.根据权利要求1所述的微电极膜片的制备方法，其特征在于，所述临时基底为硅基底，所述微电极植晶包括掺硼金刚石，所述第一基底包括聚酰亚胺。3.根据权利要求1所述的微电极膜片的制备方法，其特征在于，所述在临时基底上形成至少一个凹槽，包括：通过构图工艺在所述临时基底上形成第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡上的开口对应预定形成所述凹槽的位置；用刻蚀液对所述临时基底进行刻蚀，以在所述临时基底上形成所述凹槽。4.根据权利要求3所述的微电极膜片的制备方法，其特征在于，所述用刻蚀液对所述临时基底刻蚀进行刻蚀，包括：对所述临时基底进行各向同性刻蚀。5.根据权利要求4所述的微电极膜片的制备方法，其特征在于，所述对所述临时基底进行各向同性刻蚀，包括：将所述临时基底置于所述刻蚀液中，且在所述临时基底刻蚀过程中搅拌所述刻蚀液。6.根据权利要求3所述的微电极膜片的制备方法，其特征在于，所述开口为圆形。7.根据权利要求1所述的微电极膜片的制备方法，其特征在于，所述在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，陈江博，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11