一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上，任一Mesa台面形成外延层的发光点，任一Mesa台面上设置有上电极，衬底一侧表面上设置有下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。本发明专利技术通过在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅等介质材料。通过调节材料的厚度和应力水平，降低了外延片的翘曲程度，从而提升了小间距密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度，实现了小间距密排垂直腔面发射激光器的制备。

A Vertical Cavity Surface Emission Laser with Small Spacing and Close Array and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法
本专利技术涉及激光器
，尤其涉及一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法。
技术介绍
随着3D人脸识别、激光雷达等技术和应用的发展，垂直腔面发射激光器(VCSEL)受到人们越来越多的关注。为了不断提高VCSEL阵列的成像精度和发光功率，研究者们不断改进VCSEL器件的设计和工艺水平，并取得了一定的进展。各种方法中，提高垂直腔面激光器的发光点密度，制备小间距密排垂直腔面发射激光器，是提高VCSEL器件成像分辨率和发光功率的一个重要方法。小间距密排垂直腔面发射激光器的制作的困难主要来源于衬底经外延生长后，晶圆表面出现翘曲，不利于实现小间距密排垂直腔面发射激光器的高精度光刻。因此，针对上述问题，有必要提出进一步地解决方案。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法，以克服现有技术中存在的不足。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种小间距密排垂直腔面发射激光器，其包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；所述Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于所述外延层的一侧表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述小间距密排垂直腔面发射激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；所述Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于所述外延层的一侧表面上，任一所述Mesa台面形成所述外延层的发光点，任一所述Mesa台面上设置有所述上电极，所述衬底一侧表面上设置有所述下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。

【技术特征摘要】
1.一种小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述小间距密排垂直腔面发射激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；所述Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于所述外延层的一侧表面上，任一所述Mesa台面形成所述外延层的发光点，任一所述Mesa台面上设置有所述上电极，所述衬底一侧表面上设置有所述下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。2.根据权利要求1所述的小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，多个Mesa台面以规则或者不规则的方式排布于所述外延层的一侧表面上。3.根据权利要求1所述的小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述外延层包括自上而下层叠设置的：保护层、P-DBR层、氧化层、发光层、N-DBR层以及衬底层。4.根据权利要求1所述的小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述上电极为设置于所述Mesa台面上的环形电极。5.根据权利要求1或4所述的小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述上电极为金属电极，所述金属电极的厚度1～3μm。6.根据权利要求1所述的小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下电极为设置于所述衬底一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，刘恒，谭少阳，荣宇峰，
申请(专利权)人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32