垂直腔面发射激光器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、散热层、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极；所述散热层、所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对；所述下反射层包括依次层叠的多层硼烯薄膜，所述散热层的材料采用石墨烯或者砷化硼。本发明专利技术将下反射层从DBR结构改为依次层叠的多层硼烯薄膜，可以有效增强底部的反光效果，下反射层的反射率将远高于上反射层的反射率，VCSEL的出光效率得到极大提高。

Vertical Cavity Surface Emission Laser and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面发射激光器及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(英文：VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，简称：VCSEL)是一种以砷化镓半导体材料为基础制作的、垂直于顶面射出激光的半导体器件。有别于发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)、激光二极管(英文：LaserDiode，简称：LD)等需要在制作完成后才能进行测试的光源，VCSEL可以在制作的任何阶段进行品质测试并对测试发现的问题进行及时处理，可以有效避免制作过程和加工时间的浪费。而且VCSEL具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，可以广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。现有的VCSEL包括衬底、下分布式布拉格反射镜(英文：DistributedBraggReflection，简称：DBR)、发光区、上DBR、上金属电极和下金属电极，下DBR、发光区、上DBR和上金属电极依次层叠在衬底的第一表面上，下金属电极设置在衬底的第二表面上，衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括衬底(10)、散热层(20)、下反射层(21)、发光区(30)、上反射层(22)、上金属电极(41)和下金属电极(42)；所述散热层(20)、所述下反射层(21)、所述发光区(30)、所述上反射层(22)和所述上金属电极(41)依次层叠在所述衬底(10)的第一表面上，所述下金属电极(42)设置在所述衬底(10)的第二表面上，所述衬底(10)的第二表面与所述衬底(10)的第一表面相对；所述下反射层(21)包括依次层叠的多层硼烯薄膜(211)，所述散热层(20)的材料采用石墨烯或者砷化硼。

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括衬底(10)、散热层(20)、下反射层(21)、发光区(30)、上反射层(22)、上金属电极(41)和下金属电极(42)；所述散热层(20)、所述下反射层(21)、所述发光区(30)、所述上反射层(22)和所述上金属电极(41)依次层叠在所述衬底(10)的第一表面上，所述下金属电极(42)设置在所述衬底(10)的第二表面上，所述衬底(10)的第二表面与所述衬底(10)的第一表面相对；所述下反射层(21)包括依次层叠的多层硼烯薄膜(211)，所述散热层(20)的材料采用石墨烯或者砷化硼。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，每层所述硼烯薄膜(211)的厚度为0.3nm～0.5nm，所述下反射层(21)中硼烯薄膜(211)的数量为80个～150个。3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下反射层还包括纳米Ag层(212)，所述纳米Ag层(212)位于所述散热层(20)和所述多层硼烯薄膜(211)之间。4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述纳米Ag层(212)的厚度为2nm～5nm。5.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛永晖，刘旺平，曹阳，王群，吕蒙普，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32