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本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、散热层、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极；所述散热层、所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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