转置方法及转置装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种转置方法及转置装置，该转置方法包括下列步骤：提供具有多个凹槽的提取元件；提供第一磁力，能吸引多个微元件向提取元件的多个凹槽移动；在提供第一磁力的情况下，令提取元件接触多个微元件，以使多个微元件嵌入提取元件的多个凹槽；令多个微元件从提取元件的多个凹槽转移至接收元件。本发明专利技术的转置方法及转置装置，工艺良率高。

Transfer method and device

【技术实现步骤摘要】
转置方法及转置装置
本专利技术涉及一种转置方法及转置装置。
技术介绍
巨量转移微元件的技术已使用在新兴电子装置的工艺中。以发光二极管显示装置的工艺为例，发光二极管显示装置的工艺包括下列步骤：提供具有多个转置凸块的弹性转置头；提供一个发光二极管阵列；使弹性转置头的转置凸块与发光二极管阵列的多个发光二极管接触，进而提取之；利用弹性转置头将多个发光二极管转移到接收元件上，进而完成发光二极管显示装置。然而，当扩大转置工艺的规模时，目前使用具有多个转置凸块的弹性转置头进行转置的方法面临工艺良率不高、精度不高且量产不易的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种转置方法及转置装置，其工艺良率高。为实现上述目的，本专利技术提供一种转置方法，包括下列步骤：提供具有多个凹槽的提取元件；提供第一磁力，用以吸引多个微元件向提取元件的多个凹槽移动；在提供第一磁力的情况下，令提取元件接触多个微元件，以使多个微元件嵌入提取元件的多个凹槽；令多个微元件从提取元件的多个凹槽转移至接收元件。其中，更包括：令该提取元件设置于一提取滚轴上，其中该提取滚轴用以带动该提取元件的所述凹槽相对于所述微元件运动。其中，更包括：令该接收元件设置于一接收滚轴上，其中该接收滚轴用以带动该接收元件相对于嵌入所述凹槽的所述微元件运动。其中，嵌入所述凹槽的所述微元件的至少一者的一部分位于所述凹槽外，而该转置方法更包括：在所述微元件转移至该接收元件前，移除所述微元件的该至少一者。其中，令所述微元件从该提取元件的所述凹槽转移至该接收元件的步骤包括：提供一第二磁力，以使所述微元件脱离该提取元件的所述凹槽。其中，该第一磁力的方向与该第二磁力的方向相反，且该第二磁力的大小大于该第一磁力的大小。其中，所述凹槽包括多个第一凹槽以及多个第二凹槽，所述第一凹槽以一第一间距排列，所述第二凹槽以一第二间距排列，而该第一间距不同于该第二间距。其中，所述凹槽包括一第一凹槽及一第二凹槽，该第一凹槽的形状不同于该第二凹槽的形状，所述微元件包括一第一微元件及一第二微元件，该第一微元件的形状不同于该第二微元件的形状，该第一微元件的形状对应于该第一凹槽的形状，而该第二微元件的形状对应于该第二凹槽的形状。其中，所述微元件的每一个具有一磁性材料。本专利技术还提供一种转置装置，用以转置多个微元件，该转置装置包括提取元件、第一磁性元件以及控制元件。提取元件具有多个凹槽。至少部分的提取元件设置于第一磁性元件与多个微元件之间。第一磁性元件用以提供第一磁力，用以吸引多个微元件向提取元件的多个凹槽移动。在第一磁性元件提供第一磁力的情况下，控制元件令提取元件接触多个微元件，以使多个微元件嵌入提取元件的多个凹槽。其中，更包括：一提取滚轴，其中该提取元件设置于该提取滚轴上，而该控制元件令该提取滚轴带动该提取元件的所述凹槽相对于所述微元件运动。其中，更包括：一接收滚轴；以及一接收元件，设置于该接收滚轴上，其中该控制元件令该接收滚轴带动该接收元件相对于嵌入所述凹槽的所述微元件运动。其中，嵌入所述凹槽的所述微元件的至少一者的一部分位于所述凹槽外，而该转置装置更包括：一移除元件，其中该控制元件令该移除元件移除所述微元件的该至少一者。其中，更包括：一第二磁性组件，用以提供一第二磁力，以使所述微元件脱离该提取元件的所述凹槽。其中，该第一磁力的方向与该第二磁力的方向相反，且该第二磁力的大小大于该第一磁力的大小。其中，该第一磁性元件用以提供一第三磁力，以使所述微元件脱离该提取元件的所述凹槽。其中，所述凹槽包括多个第一凹槽以及多个第二凹槽，所述第一凹槽以一第一间距排列，所述第二凹槽以一第二间距排列，而该第一间距不同于该第二间距。其中，所述凹槽包括一第一凹槽及一第二凹槽，该第一凹槽的形状不同于该第二凹槽的形状，所述微元件包括一第一微元件及一第二微元件，该第一微元件的形状不同于该第二微元件的形状，该第一微元件的形状对应于该第一凹槽的形状，而该第二微元件的形状对应于该第二凹槽的形状。基于上述，在转置多个微元件的过程中，是利用微元件和提取元件之间的机械力与第一磁力的平衡，将微元件精准地定位于凹槽中。接着，再利用类似于凹版印刷(gravure)的方式将提取元件的凹槽内的微元件转移至接收元件。借此，多个微元件能够与接收元件精准地对位，进而提高制造良率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A至图1F为本专利技术一实施例的转置多个微元件的流程示意图。图2示出本专利技术一实施例的转置装置的第一磁性元件。图3示出本专利技术另一实施例的转置装置的第一磁性元件。图4示出本专利技术又一实施例的转置装置的第一磁性元件。图5A至图5E为本专利技术另一实施例的转置多个微元件的流程示意图。图6示出本专利技术又一实施例的转置多个微元件的流程的一部分。图7示出本专利技术另一实施例的转置装置的提取元件。图8示出本专利技术一实施例的转置装置的多种提取元件。图9示出本专利技术另一实施例的转置装置的提取元件。图10示出本专利技术再一实施例的多个微元件转置于接收元件的过程。其中，附图标记：10、11、10R、10G、10B：微元件20、20D：载体30：接收元件100、100D：转置装置110、110’、110D、110E：提取元件110a：表面112、112a、112b、112R、112G、112B：凹槽120、120A、120B、120C、120D：第一磁性元件122、124、126a、126b：磁极130：提取滚轴140：控制元件150：移除元件230：接收滚轴F1：第一磁力F2：第二磁力F3：第三磁力L：激光M：磁性材料P1、P2、P11、P12、P21、P22：间距具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。图1A至图1F为本专利技术一实施例的转置多个微元件的流程示意图。请参照图1A至图1F本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转置方法，其特征在于，包括：提供一提取元件，具有多个凹槽；提供一第一磁力，用以吸引多个微元件向该提取元件的所述凹槽移动；在提供该第一磁力的情况下，令该提取元件接触所述微元件，以使所述微元件嵌入该提取元件的所述凹槽；以及令所述微元件从该提取元件的所述凹槽转移至一接收元件。

【技术特征摘要】
2018.10.26 TW 1071378741.一种转置方法，其特征在于，包括：提供一提取元件，具有多个凹槽；提供一第一磁力，用以吸引多个微元件向该提取元件的所述凹槽移动；在提供该第一磁力的情况下，令该提取元件接触所述微元件，以使所述微元件嵌入该提取元件的所述凹槽；以及令所述微元件从该提取元件的所述凹槽转移至一接收元件。2.根据权利要求1所述的转置方法，其特征在于，更包括：令该提取元件设置于一提取滚轴上，其中该提取滚轴用以带动该提取元件的所述凹槽相对于所述微元件运动。3.根据权利要求2所述的转置方法，其特征在于，更包括：令该接收元件设置于一接收滚轴上，其中该接收滚轴用以带动该接收元件相对于嵌入所述凹槽的所述微元件运动。4.根据权利要求1所述的转置方法，其特征在于，嵌入所述凹槽的所述微元件的至少一者的一部分位于所述凹槽外，而该转置方法更包括：在所述微元件转移至该接收元件前，移除所述微元件的该至少一者。5.根据权利要求1所述的转置方法，其特征在于，令所述微元件从该提取元件的所述凹槽转移至该接收元件的步骤包括：提供一第二磁力，以使所述微元件脱离该提取元件的所述凹槽。6.根据权利要求5所述的转置方法，其特征在于，该第一磁力的方向与该第二磁力的方向相反，且该第二磁力的大小大于该第一磁力的大小。7.根据权利要求1所述的转置方法，其特征在于，所述凹槽包括多个第一凹槽以及多个第二凹槽，所述第一凹槽以一第一间距排列，所述第二凹槽以一第二间距排列，而该第一间距不同于该第二间距。8.根据权利要求1所述的转置方法，其特征在于，所述凹槽包括一第一凹槽及一第二凹槽，该第一凹槽的形状不同于该第二凹槽的形状，所述微元件包括一第一微元件及一第二微元件，该第一微元件的形状不同于该第二微元件的形状，该第一微元件的形状对应于该第一凹槽的形状，而该第二微元件的形状对应于该第二凹槽的形状。9.根据权利要求1所述的转置方法，其特征在于，所述微元件的每一个具有一磁性材料。10.一种转置装置，用以转置多个微元件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛慈伶，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71