【技术实现步骤摘要】
一种IGBT元胞结构版图
本技术涉及半导体
,具体为一种IGBT元胞结构版图。
技术介绍
IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在现代半导体电子工业中,IGBT元胞结构版图得到了广泛使用,现有的结构版图在使用时,栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置存在差异,这样容易使得元器件的开关时间不一,从而导致结构版图出现使用不准确的问题,大大降低了结构版图的实用性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种IGBT元胞结构版图,具备栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置相对固定的优点,解决了结构版图出现使用不准确的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种IGBT元胞结构版图,包括结构底板,所述结构底板正表面的外圈环向布设有终端区,所述结构底板的正表面且位于终端区的内圈布设有元胞区,所述元胞区上布设有源极压焊点和栅极压焊点,所述栅极压焊点上镶嵌有多晶硅。优选的,所述源极压焊点和栅极压焊点均在元胞区上呈环形阵列分布,所述源极压焊点和栅极压焊点相互之间呈交叉分布。优选的,所述多晶硅在栅极压焊点上呈环形阵列分布。优选的,所述结构底板包括铜基板,所述铜基板的正表面镀有钛基层,所述钛基层的正表面镀有第一铝基层,所述终端区和元胞区均布设在第一铝基层表面。优选的,所述铜基板的背表面镀有银基层,所述银基层的背表面镀有第二铝基层。与现有技术相比,本技术的有益效果 ...
【技术保护点】
1.一种IGBT元胞结构版图,包括结构底板(1),其特征在于:所述结构底板(1)正表面的外圈环向布设有终端区(2),所述结构底板(1)的正表面且位于终端区(2)的内圈布设有元胞区(5),所述元胞区(5)上布设有源极压焊点(4)和栅极压焊点(3),所述栅极压焊点(3)上镶嵌有多晶硅(6)。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT元胞结构版图,包括结构底板(1),其特征在于:所述结构底板(1)正表面的外圈环向布设有终端区(2),所述结构底板(1)的正表面且位于终端区(2)的内圈布设有元胞区(5),所述元胞区(5)上布设有源极压焊点(4)和栅极压焊点(3),所述栅极压焊点(3)上镶嵌有多晶硅(6)。2.根据权利要求1所述的一种IGBT元胞结构版图,其特征在于:所述源极压焊点(4)和栅极压焊点(3)均在元胞区(5)上呈环形阵列分布,所述源极压焊点(4)和栅极压焊点(3)相互之间呈交叉分布。3.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:阳平,
申请(专利权)人:上海擎茂微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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