背栅调谐电路制造技术

本发明专利技术涉及背栅调谐电路。本公开总体上涉及半导体结构，更特别地，涉及背栅调谐电路和制造方法。该方法包括向器件的背栅施加电压；以及选择性地控制所施加的电压以使器件的绝缘层内的至少一个陷阱去激活以减少来自该至少一个陷阱的噪声贡献。

Backgate Tuning Circuit

【技术实现步骤摘要】
背栅调谐电路
本公开总体上涉及半导体结构，并且更特别地，涉及背栅调谐电路和制造方法。
技术介绍
随着器件尺寸的不断缩小，出现了诸如随机电报噪声(RTN)的某些缺陷。例如，RTN是包括电子噪声的一类缺陷驱动现象，该电子噪声对引起纳米级器件中的依赖性问题负责，纳米级器件诸如图像信号处理器(ISP)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和闪存以及其他器件。作为示例，RTN可以通过防止低光照条件下可实现的图像质量来限制ISP器件的性能。具体地，RTN可能对像素的输出产生负面影响，从而妨碍了可实现的图像质量。以此方式，RTN影响产量、误差率和图像质量以及其他区域。
技术实现思路
在本公开的方面，一种方法包括：将电压施加到器件的背栅；以及选择性地控制所述施加的电压以使所述器件的绝缘层内的至少一个陷阱去激活以减少来自所述至少一个陷阱的噪声贡献。在本公开的方面，一种方法包括：确定晶体管对具有稳定的输出或变化的输出；当所述晶体管对具有所述稳定的输出时，将电压施加到所述晶体管对的背栅；以及当所述晶体管对具有所述变化的输出时，选择性地控制所述施加的电压开或关以减少所述晶体管对中的陷阱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：向器件的背栅施加电压；以及选择性地控制所述施加的电压以使所述器件的绝缘层内的至少一个陷阱去激活以减少来自所述至少一个陷阱的噪声贡献。

【技术特征摘要】
2018.02.02 US 15/8874171.一种方法，包括：向器件的背栅施加电压；以及选择性地控制所述施加的电压以使所述器件的绝缘层内的至少一个陷阱去激活以减少来自所述至少一个陷阱的噪声贡献。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述器件是晶体管。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述电压施加到所述器件的所述背栅包括施加源极电源电压。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述选择性地控制所述施加的电压包括将所述源极电源电压切换到所述器件的晶体管对中的至少一个晶体管的漏极电压(VDD)。5.根据权利要求4所述的方法，还包括将所述晶体管对中的其余晶体管的电压从所述源极电源电压切换到所述漏极电压VDD。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述源极电源电压是0伏的值。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述漏极电压是3伏的值。8.根据权利要求1所述的方法，其中施加到所述器件的所述背栅的所述电压处于第一电平电压或第二电平电压。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一电平电压是源极电源电压，以及所述第二电平电压是漏极电压。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层是所述器件的栅极氧化物。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述至少一个陷阱的所述去激活通过减少正在产生的随机电报噪声的量来改善所述器件的噪声性能。12.一种方法，包括：确定晶体管对具有稳定的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·奥托，J·亨沙尔，M·于特纳，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY