一种信号校正的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种信号校正的方法及装置，方法包括以下步骤：选取两种特征能量不同的射源；使用同一闪烁探测器分别测量固定电压下两种所述射源对应的能谱，并分别从所述能谱中获取对应的峰峰值；确定信号处理器所接收的电信号与所述闪烁探测器的硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量之间的实际关系；将特征能量和峰峰值参数分别代入公式中求解未知数。装置包括能量比较器、峰值采集器和参数计算器。本发明专利技术可实现硅光电倍增管的线性校准，解决了硅光电倍增管对于能量的响应存在非线性偏差的问题，操作简便，校正效果十分理想。

A Method and Device for Signal Correction

【技术实现步骤摘要】
一种信号校正的方法及装置
本专利技术涉及信号处理领域，更具体地涉及一种信号校正的方法及装置。
技术介绍
光电效应是指在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今，光电转换器件获得了突飞猛进的发展，目前各种光电转换器件已在各行各业得到了广泛地应用。常用的光电转换器件包括光敏电阻、光电倍增管(PMT)、光电池、PIN二极管、CCD(电荷耦合元件)等。光电倍增管(PMT)是一种真空器件，其由光电发射阴极(也称为光阴极)和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极(也称为阳极)等组成，其主要工作过程如下：当光照射到光阴极时，光阴极向真空中激发出光电子，这些光电子在聚焦电极的电场作用下进入电子倍增极，并通过进一步的二次发射得到的倍增放大，然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。由于采用了二次发射倍增系统，所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中，具有极高的灵敏度和极低的噪声，具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。然而，光电倍增管并不适用于强磁场等应用环境，这极大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信号校正的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：选取两种特征能量不同的射源，两种所述特征能量分别记为E1和E2；步骤S2：使用同一闪烁探测器分别测量固定电压下两种所述射源对应的能谱，并分别从所述能谱中获取对应的峰峰值，记为V1、V2；步骤S3：确定信号处理器所接收的电信号与所述闪烁探测器的硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量之间的实际关系，如公式(1)所述：V＝[m(1‑e

【技术特征摘要】
1.一种信号校正的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：选取两种特征能量不同的射源，两种所述特征能量分别记为E1和E2；步骤S2：使用同一闪烁探测器分别测量固定电压下两种所述射源对应的能谱，并分别从所述能谱中获取对应的峰峰值，记为V1、V2；步骤S3：确定信号处理器所接收的电信号与所述闪烁探测器的硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量之间的实际关系，如公式(1)所述：V＝[m(1-e-Ek)]/q(公式1)；其中，V为电信号的峰峰值，m为所述硅光电倍增管中雪崩二极管的数量，E为特征能量，q和k为未知常数；步骤S4：将参数E1、V1和E2、V2分别代入公式(1)中并联立求解m和q。2.根据权利要求1所述的信号校正的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，两种所述射源对应的所述特征能量之间的差值不小于所述闪烁探测器中闪烁晶体的能量分辨率与对应的所述特征能量的乘积。3.根据权利要求2所述的信号校正的方法，其特征在于，在上述步骤S2中，峰峰值V1和V2通过以下方法获得：分别采用同一所述闪烁探测器测量固定电压下第一种所述射源对应的第一能谱，并从第一能谱中获取对应的第一峰峰值，记为V1；分别采用同一所述闪烁探测器测量固定电压下第二种射源对应的第二能谱，并从第二能谱中获取对应的第二峰峰值，记为V2。4.根据权利要求3所述的信号校正的方法，其特征在于，在上述步骤S2中，分别重复测量至少三次所述第一峰峰值，取所述第一峰峰值的平均值记为V1；分别重复测量至少三次所述第二峰峰值，取所述第二峰峰值的平均值记为V2。5.根据权利要求1所述的信号校正的方法，其特征在于，所述固定电压不超过所述硅光电倍增管的反向击穿电压。6.根据权利要求1所述的信号校正的方法，其特征在于，所述公式(1)通过以下步骤获得：步骤S31：计算所述硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量：其中，所述硅光电倍增管探测到的光子符合二维泊松分布P(μ，n)，μ为期望，n为样本数量；H为所述硅光电倍增管中被激活的...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜浩，谢庆国，
申请(专利权)人：苏州瑞派宁科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32