一种吸收电路、中点箝位型三电平电路及逆变器制造技术

本申请提供了一种吸收电路、中点箝位型三电平电路及逆变器，其中，该吸收电路包括：第一输入端、第二输入端和吸收模块；第一输入端的一端与第一IGBT模块连接；第二输入端的一端与第二IGBT模块连接；吸收模块包括：在第一输入端的另一端和第二输入端的另一端之间顺序串联的电容C1与二极管D11，在第一输入端的另一端和任一母线之间顺序串联的二极管D12和电阻R1；其中，二极管D11的阳极与电容C1的一端连接，二极管D11的阴极与第二输入端的另一端连接；二极管D12的阴极与第一输入端的另一端连接，二极管D12的阳极与电阻R1连接。本申请实施例通过第一输入端、第二输入端和吸收模块，组成吸收电路，可以保障电路中各个元器件的安全性，使得电路安全运行。

An Absorption Circuit, Neutral-point Clamping Three-level Circuit and Inverter

【技术实现步骤摘要】
一种吸收电路、中点箝位型三电平电路及逆变器
本技术涉及中点箝位型三电平电路
，具体而言，涉及一种吸收电路、中点箝位型三电平电路及逆变器。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，以高压IGBT为代表的性能优异的逆变器的发展引人注目，其中，中点箝位型逆变器得到广泛应用。在中点箝位型三电平逆变器的电路中，IGBT管关断或续流二极管反向恢复时，过高的电流变化率会在IGBT管和二极管两端产生电压尖峰并引起震荡，容易使电路中的IGBT管或二极管等元器件受到损坏，依靠现有技术中的多层复合母排设计不足以消除中点箝位型三电平电路中杂散电感所引起的尖峰电压，不能保证IGBT和二极管的安全工作。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种吸收电路、中点箝位型三电平电路及逆变器，以减少中点箝位型三电平电路中各元器件的损坏，保障了电路的安全运行。第一方面，本技术实施例提供了一种吸收电路，包括第一输入端、第二输入端和吸收模块；所述第一输入端的一端与第一IGBT模块连接；所述第二输入端的一端与第二IGBT模块连接；所述吸收模块包括：在所述第一输入端的另一端和所述第二输入端的另一端之间顺序串联的电容C1与二极管D11，在所述第一输入端的另一端和任一母线之间顺序串联的二极管D12和电阻R1；其中，二极管D11的阳极与电容C1的一端连接，二极管D11的阴极与所述第二输入端的另一端连接；二极管D12的阴极与所述第一输入端的另一端连接，二极管D12的阳极与电阻R1连接。可选的，电容C1的电容量为1uF、耐压值为1KV，二极管D11和二极管D12的最大整流电流为30A、最高反向工作电压为1.2KV，电阻R1的阻值为13Ω。可选的，吸收电路还包括：第三IGBT模块、第一均压模块、第四IGBT模块和第二均压模块；所述第三IGBT模块的集电极和所述第一IGBT模块的发射极之间连接有所述第一均压模块；所述第二IGBT模块的集电极和所述第四IGBT模块的发射极之间连接第二均压模块。可选的，所述第一均压模块，包括：在所述第三IGBT模块的集电极和所述第一IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C4、电阻R2和电阻R6，在所述第三IGBT模块的集电极和电阻R6之间连接的二极管D5；其中，二极管D5的阴极连接所述第三IGBT模块的集电极，二极管D5的阳极连接电阻R6；在电阻R6和所述第一IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C5和电阻R3，在电阻R6和所述第一IGBT模块的发射极之间连接的二极管D6；其中，二极管D6的阴极连接电阻R6，二极管D6的阳极连接所述第一IGBT模块的发射极。可选的，电容C4和电容C5的电容量为470pF、耐压值为2KV，二极管D5和二极管D6的最大整流电流为30A、最高反向工作电压为1.2KV，电阻R6的阻值为100Ω。可选的，所述第二均压模块，包括：在所述第二IGBT模块的集电极和所述第四IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C6、电阻R4和电阻R7，在所述第二IGBT模块的集电极和电阻R7之间连接的二极管D7；其中，二极管D7的阴极连接所述第二IGBT模块的集电极，二极管D7的阳极连接电阻R7；在电阻R7和所述第四IGBT模块的发射极之间顺序串联电容C7和电阻R5，在电阻R7和所述第四IGBT模块的发射极之间连接的二极管D8；其中，二极管D8的阴极连接电阻R7，二极管D8的阳极连接所述第四IGBT模块的发射极。可选的，电容C6和电容C7的电容量为470pF、耐压值为2KV，二极管D7和二极管D8的最大整流电流为30A、最高反向工作电压为1.2KV，电阻R7的阻值为100Ω。第二方面，本技术实施例提供了一种中点箝位型三电平电路，包括上述吸收电路，还包括：在正母线和负母线之间顺序串联的所述第三IGBT模块、所述第一IGBT模块、所述第二IGBT模块和所述第四IGBT模块；在正母线和负母线之间顺序串联的电容C2和电容C3；在所述第三IGBT模块的发射极与所述第四IGBT模块的集电极之间顺序串联的二极管D9和二极管D10；其中，二极管D9的阴极连接所述第三IGBT模块的发射极，二极管D9的阳极连接二极管D10的阴极，二极管D10的阳极连接所述第四IGBT模块的集电极。可选的，还包括：在所述第一IGBT模块的发射极和电容C2的一端之间连接的电感L1；二极管D9的阳极和电容C2的一端相连。第三方面，本技术实施例提供了一种逆变器，包括上述中点箝位型三电平电路；所述逆变器用于将直流电转变成交流电。本申请实施例提供的吸收电路，通过第一输入端的一端与第一IGBT模块连接，第二输入端的一端与第二IGBT模块连接，在所述第一输入端的另一端和所述第二输入端的另一端之间顺序串联的电容C1与二极管D11，在所述第一输入端的另一端和任一母线之间顺序串联的二极管D12和电阻R1，组成了吸收电路。在第一IGBT模块或第二IGBT模块动态变化时，产生的杂散电感会被本申请的提供的吸收电路吸收，抑制了尖峰电压的产生，保障了电路中各个器件的安全性，使得电路安全运行。为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本技术实施例所提供的一种吸收电路的结构示意图；图2示出了本技术实施例所提供的一种均压吸收电路的结构示意图；图3示出了本技术实施例所提供的一种中点箝位型三电平电路的结构示意图；图4示出了本技术实施例所提供的一种传统的3RCD吸收电路的结构示意图；图5示出了本技术实施例所提供的一种2RCD吸收电路的结构示意图；图6示出了本技术实施例所提供的一种详细的吸收电路的结构示意图；图7示出了本技术实施例所提供的另一种详细的吸收电路的结构示意图；图8示出了本技术实施例所提供的另一种详细的吸收电路的结构示意图；图9示出了本技术实施例所提供的一种详细的均压吸收电路的结构示意图；图10示出了本技术实施例所提供的一种详细的中点箝位型三电平电路的结构示意图；图11示出了本技术实施例所提供的另一种详细的中点箝位型三电平电路的结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在现有技术中，三电平逆变器的吸收电路主要是将两电平吸收电路拓展到三电平电路中，三电平逆变器无损吸收电路在中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吸收电路，其特征在于，包括：第一输入端、第二输入端和吸收模块；所述第一输入端的一端与第一IGBT模块连接；所述第二输入端的一端与第二IGBT模块连接；所述吸收模块包括：在所述第一输入端的另一端和所述第二输入端的另一端之间顺序串联的电容C1与二极管D11，在所述第一输入端的另一端和母线之间顺序串联的二极管D12和电阻R1；其中，二极管D11的阳极与电容C1的一端连接，二极管D11的阴极与所述第二输入端的另一端连接；二极管D12的阴极与所述第一输入端的另一端连接，二极管D12的阳极与电阻R1连接。

【技术特征摘要】
1.一种吸收电路，其特征在于，包括：第一输入端、第二输入端和吸收模块；所述第一输入端的一端与第一IGBT模块连接；所述第二输入端的一端与第二IGBT模块连接；所述吸收模块包括：在所述第一输入端的另一端和所述第二输入端的另一端之间顺序串联的电容C1与二极管D11，在所述第一输入端的另一端和母线之间顺序串联的二极管D12和电阻R1；其中，二极管D11的阳极与电容C1的一端连接，二极管D11的阴极与所述第二输入端的另一端连接；二极管D12的阴极与所述第一输入端的另一端连接，二极管D12的阳极与电阻R1连接。2.根据权利要求1所述的吸收电路，其特征在于，电容C1的电容量为1uF、耐压值为1KV，二极管D11和二极管D12的最大整流电流为30A、最高反向工作电压为1.2KV，电阻R1的阻值为13Ω。3.根据权利要求1所述的吸收电路，其特征在于，还包括：第三IGBT模块、第一均压模块、第四IGBT模块和第二均压模块；所述第三IGBT模块的集电极和所述第一IGBT模块的发射极之间连接有所述第一均压模块；所述第二IGBT模块的集电极和所述第四IGBT模块的发射极之间连接第二均压模块。4.根据权利要求3所述的吸收电路，其特征在于，所述第一均压模块，包括：在所述第三IGBT模块的集电极和所述第一IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C4、电阻R2和电阻R6，在所述第三IGBT模块的集电极和电阻R6之间连接的二极管D5；其中，二极管D5的阴极连接所述第三IGBT模块的集电极，二极管D5的阳极连接电阻R6；在电阻R6和所述第一IGBT模块的发射极之间顺序串联的电容C5和电阻R3，在电阻R6和所述第一IGBT模块的发射极之间连接的二极管D6；其中，二极管D6的阴极连接电阻R6，二极管D6的阳极连接所述第一IGBT模块的发射极。5.根据权利要求4所述的吸收电路，其特征在于，电容C4和电容C5的电容量为470pF、耐压值为2KV，二极管D5...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文文，
申请(专利权)人：北京英博新能源有限公司，北京英博电气股份有限公司，廊坊英博电气有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11