EUV产生装置制造方法及图纸

技术编号:21839643 阅读:54 留言:0更新日期:2019-08-10 20:52
提供了一种极紫外(EUV)产生装置。该EUV产生装置包括:气体单元壳体,在第一方向上延伸;导光通道,在第一方向上延伸穿过气体单元壳体;以及气体供应通道,供应等离子体反应气体。导光通道包括:入射部分,接收入射光;等离子体反应部分,在第一方向上从入射部分延伸,以由于入射光与等离子体反应气体之间的相互作用而产生EUV光;以及发射部分,在第一方向上从等离子体反应部分延伸,以在第一方向上发射EUV光。气体供应通道可以在气体单元壳体的侧面处连接到等离子体反应部分,并且可以相对于第一方向以锐角倾斜。

EUV Generator

【技术实现步骤摘要】
EUV产生装置于2018年2月1日在韩国知识产权局提交且名称为“EUV产生装置(EUVGeneratingDevice)”的第10-2018-0012809号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种极紫外(extremeultraviolet,EUV)光产生装置。
技术介绍
干涉仪是在来自单个光源的光被分为行经不同光路的两束光并且再次结合以产生干涉时观察干涉条纹的装置。干涉仪用于精确测量和比较波长、光路长度、折射率变化、距离和/或表面不规则性。在利用光的精确测量中,具有比可见光短的波长的极紫外(EUV)光可根据衍射极限来改善分辨率,所述衍射极限与被观察到的光的波长成比例。具体地,如果可产生具有优异相干性(例如,空间相干性和时间相干性)的光,则利用光的干涉现象和衍射现象的各种应用是可能的。与其它EUV光源相比,高次谐波波型EUV光源具有优异的相干性,并且可以用作EUV干涉仪或EUV扫描显微镜的光源。高次谐波产生(Highharmonicgeneration(HHG))将高的时变电场(hightime-varyingelectricfield)施加到惰性气体(例如,氩(Ar)、氖(Ne)或氙(Xe)),使得电子电离并复合以产生EUV光。
技术实现思路
根据本公开的示例性实施例,提供了一种极紫外(EUV)产生装置,该EUV产生装置包括:气体单元壳体,在第一方向上延伸;导光通道,在第一方向上延伸穿过气体单元壳体;以及气体供应通道,在气体单元壳体的侧面处相对于第一方向以锐角连接到等离子体反应部分,气体供应通道将等离子体反应气体供应到等离子体反应部分,其中,导光通道包括接收入射光的入射部分、在第一方向上从入射部分延伸以在入射光与等离子体反应气体相互作用时产生EUV光的等离子体反应部分以及在第一方向上从等离子体反应部分延伸以在第一方向上发射EUV光的发射部分。根据本公开的上述和其它示例性实施例,提供了一种EUV产生装置,该EUV产生装置包括:光源,发射红外(IR)激光脉冲;以及气体单元,接收IR激光脉冲和等离子体反应气体,并产生EUV光。气体单元包括:导光通道,IR激光脉冲穿过导光通道;以及气体供应通道,相对于导光通道以第一锐角连接到导光通道,气体供应通道供应等离子体反应气体。根据本公开的上述和其它示例性实施例,提供了一种EUV产生装置,该EUV产生装置包括:气体单元壳体,包括在第一方向上延伸的导光通道,入射光在第一方向上入射以沿第一方向穿过导光通道;以及气体供应模块,从气体单元壳体的侧面延伸,气体供应模块将等离子体反应气体注入到导光通道中,使得等离子体反应气体在与第一方向相反的第二方向上流动,其中,气体供应模块包括与导光通道形成第一锐角的气体供应通道。附图说明通过参照附图详细地描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员来说将变得明显,在附图中:图1示出了根据本公开的一些示例性实施例的极紫外(EUV)产生装置的示意图;图2示出了图1的气体单元的透视图;图3示出了如从图2的方向A观看的图1的气体单元的侧视图;图4示出了沿图3的线B-B′截取的剖视图;图5示出了展示在图4的气体单元壳体中执行的气体排放操作的剖视图;图6示出了根据本公开的一些示例性实施例的EUV产生装置的透视图;图7示出了如从图6的方向C观看的图6的气体单元的侧视图;图8示出了沿图7的线D-D′截取的剖视图;图9示出了展示在图6的气体单元内部气流的仿真结果的曲线图;图10示出了根据本公开的一些示例性实施例的EUV产生装置的透视图;图11示出了如从图10的方向E观看的图10的气体单元的侧视图;图12示出了沿图11的线F-F′截取的剖视图;图13示出了展示用于解释图10的气体供应通道倾斜所沿的方向的矢量的示意图;图14示出了根据本公开的一些示例性实施例的EUV产生装置的透视图;图15示出了如从图14的方向G观看的图14的气体单元的侧视图;图16示出了根据本公开的一些示例性实施例的EUV产生装置的透视图;图17示出了如从图16的方向H观看的图16的气体单元的侧视图;图18示出了根据本公开的一些示例性实施例的EUV产生装置的示意图;图19示出了图18的气体单元的透视图;图20示出了如从图19的方向I观看的图19的气体单元的侧视图;以及图21示出了沿图20的线J-J′截取的剖视图。具体实施方式在下文中将参照图1至图5来描述根据本公开的一些示例性实施例的极紫外(EUV)产生装置。图1是根据本公开的一些示例性实施例的EUV产生装置的示意图,图2是图1的气体单元的透视图,图3是如从图2的方向A观看的图1的气体单元的侧视图,图4是沿图3的线B-B′截取的剖视图,图5是示出在图4的气体单元壳体中执行的气体排放操作的剖视图。参照图1,根据本公开的一些示例性实施例的EUV产生装置可以包括真空室10、排气装置20、光源100、第一反射镜200、第二反射镜300、聚焦镜400和第一气体单元500。真空室10可以在其中包括第一气体单元500以及具有第一反射镜200、第二反射镜300和聚焦镜400的导向单元。在一些示例性实施例中,导向单元的至少一个部件可以在真空室10外部,而第一气体单元500可以在真空室10内部。真空室10可以包括外壁11、窗口12和排气口13。外壁11与窗口12和排气口13一起可以将真空室10的内部和外部完全隔开,并且保持真空室10内的真空,从而使真空室10的内部完全密封。外壁11可以形成限定真空室10的外型并使真空室10的内部和外部隔开的壳体结构。窗口12可以通过其透射源光110。即,窗口12可以由对于从光源100输出的源光110透明的材料形成,使得光可通过窗口12透射。在一些示例性实施例中,当导向单元的第一反射镜200、第二反射镜300和聚焦镜400中的至少一些位于真空室10外部时,源光110、第一反射光120、第二反射光130、第三反射光140和第四反射光150中的一者可以通过窗口12向真空室10中透射。排气口13可以是内部气体通过其排出以排空真空室10的孔。排气口13可以结合到排气装置20。排气口13通常可以关闭或者可以被排气装置20阻塞,以使真空室10的内部保持在真空下。光源100将源光110(例如,激光束)发射到第一反射镜200。光源100可以发射红外(IR)激光。源光110可以是以飞秒为单位的激光脉冲。例如,光源100可以发射钛蓝宝石(Ti:蓝宝石)飞秒激光或氟化钇(Nd:YLF)飞秒激光。第一反射镜200将由光源100发射的源光110反射为第一反射光120。第一反射镜200可以设置为具有预定的角度,以将源光110朝向第二反射镜300反射为第一反射光120。第二反射镜300将由第一反射镜200提供的第一反射光120反射为第二反射光130。在使用平面镜而不是分束器作为第二反射镜300的情况下,由于99%的第一反射光120可以从第二反射镜300的表面被反射为第二反射光130,因此可使到达聚焦镜400的第二反射光130的损失最小化。即,当使用平面镜作为第二反射镜300时,激光束的波形仅受第二反射镜300的反射表面影响。因此,可使激光束的波前畸变减少,并且可改善EUV产生的效率。聚焦镜400将由第二反射镜300提供的第二反射光130反射为第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极紫外产生装置,所述极紫外产生装置包括:气体单元壳体,在第一方向上延伸;导光通道,在第一方向上延伸穿过气体单元壳体,导光通道包括:入射部分,接收入射光;等离子体反应部分,在第一方向上从入射部分延伸,以在入射光与等离子体反应气体相互作用时产生极紫外光;以及发射部分,在第一方向上从等离子体反应部分延伸,以在第一方向上发射极紫外光;以及气体供应通道,在气体单元壳体的侧面处相对于第一方向以锐角连接到等离子体反应部分,气体供应通道将等离子体反应气体供应到等离子体反应部分。

【技术特征摘要】
2018.02.01 KR 10-2018-00128091.一种极紫外产生装置,所述极紫外产生装置包括:气体单元壳体,在第一方向上延伸;导光通道,在第一方向上延伸穿过气体单元壳体,导光通道包括:入射部分,接收入射光;等离子体反应部分,在第一方向上从入射部分延伸,以在入射光与等离子体反应气体相互作用时产生极紫外光;以及发射部分,在第一方向上从等离子体反应部分延伸,以在第一方向上发射极紫外光;以及气体供应通道,在气体单元壳体的侧面处相对于第一方向以锐角连接到等离子体反应部分,气体供应通道将等离子体反应气体供应到等离子体反应部分。2.根据权利要求1所述的极紫外产生装置,其中:气体单元壳体具有在与第一方向正交的第二方向上的第一侧面和在与第二方向相反的第三方向上的第二侧面,并且气体供应通道包括从第一侧面延伸的第一气体供应通道和从第二侧面延伸的第二气体供应通道。3.根据权利要求2所述的极紫外产生装置,其中:气体单元壳体具有在与第一方向和第二方向正交的第四方向上的第三侧面以及在与第四方向相反的第五方向上的第四侧面,并且气体供应通道还包括从第三侧面延伸的第三气体供应通道和从第四侧面延伸的第四气体供应通道。4.根据权利要求2所述的极紫外产生装置,其中:第一气体供应通道在与第一方向正交并与第二方向交叉的第六方向上倾斜,并且第二气体供应通道在与第六方向相反的第七方向上倾斜。5.根据权利要求2所述的极紫外产生装置,其中:第一气体供应通道与导光通道之间的角度是第一锐角,并且第二气体供应通道与导光通道之间的角度是第一锐角。6.根据权利要求2所述的极紫外产生装置,其中,气体供应通道朝向发射部分倾斜。7.根据权利要求1所述的极紫外产生装置,所述极紫外产生装置还包括:真空室,围绕气体单元壳体。8.根据权利要求7所述的极紫外产生装置,其中,气体单元壳体内部的压强高于气体单元壳体外部的压强。9.根据权利要求1所述的极紫外产生装置,其中,等离子体反应气体通过入射部分从气体单元壳体的内部排放到气体单元壳体的外部。10.根据权利要求1所述的极紫外产生装置,其中,入射部分和发...

【专利技术属性】
技术研发人员:李炫周姜京植林智贤
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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