一种霍山米斛的种植培育方法技术

本发明专利技术公开了一种霍山米斛的种植培育方法，包括以下步骤：1)选址：选择植被较茂密的树林，利用林间地面覆盖厚厚的培植基，再将微小的碎石块均匀分布在培植基上；2)基质处理：对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵，再对基质进行发酵处理然后将基质均匀分布在碎石块上；3)种植；4)生长管理；5)收获。本发明专利技术将种苗置于大自然环境中种植，通过野外环境和人工方法结合，对米斛进行科学管理种植，收获的米斛品质优良，既保证了米斛的品质，又大大提高了米斛的产量，保持米斛自然生长的特性和良好的遗传稳定性，防止物种退化，种植后基本无需大量人工干预，大大减少了劳力和人工费用，有利于大面积推广应用。

A Cultivation Method of Dendrobium huoshanense

【技术实现步骤摘要】
一种霍山米斛的种植培育方法
本专利技术涉及生物
，具体是一种霍山米斛的种植培育方法。
技术介绍
霍山米斛学名霍山石斛，是兰科石斛属的草本植物，“形似钗斛细小，短只寸许”，与《中华人民共和国药典》中记载的铁皮石斛并非同一物种。霍山米斛生长缓慢，目前人工种植引进铁皮石斛、铜皮石斛等高产石斛进行种源优化，不知情者常把产于霍山的各种石斛都理解为霍山石斛。霍山米斛原产于大别山区的安徽省霍山县，属地标产品，大多生长在云雾缭绕的山谷溪边潮湿之地，多簇生。目前，野生霍山米斛已很难看到，市面上基本都是野生种源移植，霍山人工种植主要有米斛、铁皮石斛、铜皮石斛。随着时代的进步和科学的发展，人类解决了种苗组织培养和大棚种植等技术问题，产量是提高了，而质量却在下降。野外栽培的米斛产量低，受自然因素控制，收成受气候影响大，大棚种植的石斛品质又得不到保证。因此，针对这一现状，迫切需要开发一种霍山米斛的种植培育方法，以克服当前实际应用中的不足。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种霍山米斛的种植培育方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种霍山米斛的种植培育方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种霍山米斛的种植培育方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选址：选择植被较茂密的树林，林下的散光照度在25‑301ux，选择性地清理树木和杂草，保证树木的株距为3‑4米，利用林间地面覆盖厚厚的培植基，构成的地面种植宽度为2.5‑3.5m，再将微小的碎石块均匀分布在培植基上；2)基质处理：对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵，再对基质进行发酵处理然后将基质均匀分布在碎石块上；3)种植：在处理好的基地上按20×20cm的间距，将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛幼苗移植到基地上，移植完成后加盖高1～2m的防虫网；4)生长管理：做好病虫害的定期检查，据天气情况对基质进行喷雾补水作业，保证基...

【技术特征摘要】
1.一种霍山米斛的种植培育方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选址：选择植被较茂密的树林，林下的散光照度在25-301ux，选择性地清理树木和杂草，保证树木的株距为3-4米，利用林间地面覆盖厚厚的培植基，构成的地面种植宽度为2.5-3.5m，再将微小的碎石块均匀分布在培植基上；2)基质处理：对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵，再对基质进行发酵处理然后将基质均匀分布在碎石块上；3)种植：在处理好的基地上按20×20cm的间距，将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛幼苗移植到基地上，移植完成后加盖高1～2m的防虫网；4)生长管理：做好病虫害的定期检查，据天气情况对基质进行喷雾补水作业，保证基质湿度在35～45％；5)收获：选择栽种3～4年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。2.根据权利要求1所述的霍山米斛的种植培育方法，其特征在于，在步骤1)中，选择的树林以平原和丘陵地区为主，也可以为坡度小于20度的地区。3.根据权利要求1或2所述的霍山米斛的种植培育方法，其特征在于，在步骤1)中，培植...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘华章，
申请(专利权)人：安徽拂旦生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34