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一种霍山米斛的种植培育方法技术
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文档序号:21814175
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本发明公开了一种霍山米斛的种植培育方法,包括以下步骤:1)选址:选择植被较茂密的树林,利用林间地面覆盖厚厚的培植基,再将微小的碎石块均匀分布在培植基上;2)基质处理:对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵,再对基质进行发酵处理然后将基质均匀...
该专利属于安徽拂旦生物科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽拂旦生物科技有限公司授权不得商用。
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