用于清洁塑料表面的方法技术

技术编号:21804540 阅读:137 留言:0更新日期:2019-08-07 11:56
本发明专利技术涉及一种用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法,其中,所述方法的特征在于以下步骤:a)以去离子水冲洗所述塑料表面,b)以电解水冲洗所述塑料表面,和c)以去离子水冲洗所述塑料表面。

Method for Cleaning Plastic Surface

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于清洁塑料表面的方法
本专利技术涉及一种用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法。
技术介绍
目前处理器和集成电路的制造以多个不同的、相继实施的工作步骤在硅晶片上实现,在所述工作步骤中晶片被涂覆以不同的材料或者被曝光或者所施加的层的部分通过不同的蚀刻方法或其他方法又被移除。在这些各个工作步骤之间,部分涂覆的晶片必须从一个加工机输送给另外的机器。在此,非常重要的是,不损坏非常敏感的、非常精细地(filigran)涂覆的表面。所施加的电印制导线尤其必须保持相对彼此分开,以便确保要制造的构件、例如处理器的功能性。为了存放并且为了输送,将部分涂覆的晶片存放在所谓的FOUP(FrontOpeningUnifiedPod,前开式晶片传送盒)中。该FOUP由塑料、例如聚碳酸酯或聚醚醚酮(PEEK)组成。在使用已涂覆的硅晶片时可能使材料粘附在容器的塑料上并且由此导致污染。如果在下面的工作步骤中将另外的晶片存放在容器中,那么可能的是,以该方式带来的金属污染和/或颗粒传递到新的已涂覆的晶片上,并且这样例如引起电导线的短路或其他损坏。因此,这种污染可能导致巨大的损失并且产生不起作用的构件。因此需要清洁塑料表面,以便避免硅晶片的污染。当然,相应的清洁方法也适用于另外的应用示例,在所述应用示例中塑料面要被清洁并且尤其要清除金属污染。目前存放并输送硅晶片的塑料容器主要通过去离子水处理,该去离子水也被称为蒸馏水。但是这尤其由于集成电路的涂层和所制造的结构的逐步发展的微型化而经常不再够用,因为小的和微小的污染已经导致集成电路的功能失效,该集成电路因此是废品并且不能使用。因此,本专利技术的任务是,发展用于清洁塑料表面的方法,使得所述方法可以简单地、成本有利地和快速地实施,并且改善尤其用于金属污染的清洁作用。
技术实现思路
本专利技术通过用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法解决所提出的任务,其中,所述方法具有下列步骤:a)以去离子水冲洗塑料表面,b)以电解水冲洗塑料表面,并且c)以去离子水冲洗塑料表面。在本专利技术的意义上,概念“冲洗”理解为,将相应液体施加到待清洁的塑料表面上。这例如可以通过将相应液体喷淋到表面上或者将塑料表面浸入到相应液体中来进行。当然,也能够使液体流过塑料表面。因此,在第一方法步骤中,以去离子水冲洗待清洁的塑料表面,该去离子水也被称为蒸馏水。由此首先除去粘附或贴靠在表面上的粗大颗粒。特别有利地,将离子水喷到待清洁的塑料表面上。在第二方法步骤中,以电解水冲洗塑料表面。电解水这样制造,其方式是,例如给去离子水掺入电解质,并且随后引导通过电解池。通过使用电解水使粘附在塑料表面上的金属的至少一部分溶解并且以该方式从表面除去。优选地,粘附的金属被完全除去。尤其为了除去在待清洁的塑料表面上的电解水的残留物,在第三方法步骤中再次以去离子水冲洗表面。为此有利地使用所谓的“漂洗清洁过程”,在该漂洗清洁过程中去离子水流过待清洁的表面。相比于由现有技术已知的仅通过使用去离子水进行清洁的方法,根据本专利技术的方法利用以下知识:金属在水中的溶解度尤其取决于pH值并且取决于水的氧化还原电势。因此,金属在电解水中的溶解度通常高于在去离子水中的溶解度,从而通过附加的以电解水冲洗的方法步骤可以比仅以去离子水清洁的情况更好地除去金属污染。有利地,以电解水冲洗包括以阳极水冲洗,该阳极水具有小于7的pH值。因此,阳极水是酸性的并且可以溶解一系列金属。对此替代地或附加地,以电解水冲洗包括以阴极水冲洗,该阴极水具有大于7的pH值。尤其可以通过阴极水至少大部分地、优选完全地除去优选颗粒、例如金属颗粒。已证明有利地,以电解水冲洗既包括以阳极水冲洗也包括以阴极水冲洗,其中,这两种不同的电解水相继地使用。有利地,在塑料表面以阴极水冲洗之前,所述塑料表面首先以阳极水冲洗。通过塑料表面以阳极水的冲洗,轻微的正电荷可以保留在表面上。由此使颗粒之后再次的粘附变简单并且增进了粘附,从而应避免这种轻微的正电荷的保留。通过之后借助以阴极水的冲洗对表面的碱性后处理除去这些轻微的正电荷,从而使新颗粒的粘附变困难。与使用哪种电解水来冲洗无关地,随后使用去离子水来冲洗,以便尽可能完全地除去电解水的残留物。有利地,电解水在电解池中制造,该电解池具有两个电极并且将掺有电解质的水导入到该电解池中。长期以来由现有技术已知电解水的制造。然而,有利地,能够调节电解水的pH值和/或氧化还原电势,其方式是,使用电解质的浓度和/或在两个电极之间流动的电流作为控制参数。电解池通常具有两个电解室,在所述两个电解室中的一个电解室是具有位于其中的阴极的阴极室,并且另一个电解室是具有位于其中的阳极的阳极室。优选地,这两个电极构造为金刚石电极。在两个室中的至少一个室中导入掺入电解质的去离子水,该去离子水由此承受存在于两个电极之间的电场。这两个室通过膜片彼此分开,该膜片对于确定电荷的离子是可穿透的。因此例如存在对于阴离子可穿透的膜片和对于阳离子可穿透的膜片,由此通过所述膜片可以控制,哪种离子类型可以穿过膜片。通过选择相应电解质和电解质的相应浓度能够将要制造的电解水的pH值调节为预确定的值。必要时,为此必须调节和适配设有电解质的去离子水在电解池的相应室内部的停留时间、即穿流速度和/或流经两个电极的电流。此外,通过电流也可以调节制造的电解水的氧化还原电势。因此,能够将pH值和氧化还原电势至少在预确定的范围内彼此无关地调节为期望的值组合,并且由此使电解水优化地适应于要溶解的金属,该金属作为污染粘附在要清洁的塑料表面上。尤其可以选择形成氯离子(Cl-)、氟离子(F-)、硫酸盐离子(SO42-)、磷酸盐离子(PO43-)、硝酸盐离子(NO3-)或这些离子的组合的电解质。当然也必须使用形成阳离子的电解质,以便确保电中性。作为阳离子尤其可以考虑氢离子(H+)和/或氨离子(NH4+)。这能够是简单的、快速的和可靠的,从而可以成本有利地实施所述方法。有利地,塑料表面在所述方法步骤的每个方法步骤中的冲洗持续15秒和90秒之间。如果在方法步骤b)中既以通过阳极水也通过阴极水冲洗,那么对于这两个冲洗中的每个冲洗设置15秒和90秒之间的冲洗持续时间。证明为有利的是,在不同的方法步骤中的冲洗持续不同时间。优选地,各个冲洗持续时间适应于所预料的污物或污染和期望的清洁度。为了进一步改善冲洗和清洁作用,去离子水和/或电解水的温度可以在10℃和70℃之间。在此,已示出,清洁作用随着温度升高而提升。显然,这里也可以在不同的方法步骤中针对各个液体选择不同的温度。在方法步骤a)中冲洗所用的去离子水尤其也可以具有相对于在方法步骤c)中冲洗所用的去离子水不同的温度,并且尤其更热或更冷。本专利技术还通过用于实施这里所述方法的装置来解决所提出的任务。优选地,这种装置不仅具有通过各个不同液体冲洗塑料表面的可能性,而且也包括电解池,以便本身制造所需的电解水。在此,电解池一般可以永久运行。对此替代地,当所述装置例如具有一个或多个可以暂存有电解液体的中间罐或储存器时,电解池在时间上受限制的运行也可以是有意义的。在这种情况下,可能的是,使用具有较大容量的电解池,该电解池必要时可以更有效地运行。附图说明下面借助于附图详细阐释本专利技术的本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法,其中,所述方法具有下列步骤:a)以去离子水冲洗所述塑料表面,b)以电解水冲洗所述塑料表面,并且c)以去离子水冲洗所述塑料表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.27 DE 102016109771.31.用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法,其中,所述方法具有下列步骤:a)以去离子水冲洗所述塑料表面,b)以电解水冲洗所述塑料表面,并且c)以去离子水冲洗所述塑料表面。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,以电解水冲洗包含以阳极水冲洗,该阳极水具有小于7的pH值。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,以电解水冲洗包含以阴极水冲洗,该阴极水具有大于7的pH值。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在以阴极水冲洗所述塑料表面之前,以阳极水冲洗所述塑料表面。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述电解水的pH值和/或氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员:L·雷布施托克M·弗里达T·马特
申请(专利权)人:布鲁克斯自动化德国有限公司
类型:发明
国别省市:德国,DE

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