本公开提供了一种晶体管开关电路、调节电路和存储装置，属于半导体技术领域。该晶体管开关的调节电路，用于半导体器件；其包括至少一个调阻单元、温度检测单元和控制器；其中，每个所述调阻单元包括输入端、输出端和在所述输入端与所述输出端之间并联的至少两个调阻电路，每个所述调阻电路包括串联的开关器件和电阻；所述调阻单元的输出端用于与所述晶体管开关的控制端连接；温度检测单元用于检测所述半导体器件的温度；控制器能根据所述温度检测单元检测的温度向各所述开关器件输出调节信号，以控制各个所述开关器件按照预设的方式导通或断开。该晶体管开关电可以根据温度变化调节晶体管开关的导通速度。
Transistor Switching Circuit, Regulating Circuit and Storage Device
【技术实现步骤摘要】
晶体管开关电路、调节电路和存储装置
本公开涉及半导体
，尤其涉及一种晶体管开关电路、调节电路和存储装置。
技术介绍
晶体管作为开关器件在半导体器件中广泛应用。然而，晶体管开关在不同的温度条件下，其导通速度可能会发生变化，不仅可能会增加电路的噪音，而且可能会引起导通速度达不到设计要求的问题。举例而言，在存储器的数据传输电路中，MOS管(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)可以作为开关连接电源(或地线)和数据输出焊盘，实现信号的输出；控制信号通过MOS管的栅极来控制MOS管的导通或关闭。MOS管的导通速度需要控制在一定范围内，既不能太快也不能太慢，否则会增加输出信号的噪音。然而，当存储器的温度发生变化时，数据传输电路的工作点可能发生漂移，导致MOS管的导通速度发生变化。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种晶体管开关电路、调节电路、调节方法和存储装置，用于根据温度变化调节晶体管开关的导通速度。为实现上述专利技术目的，本公开采用如下技术方案：根据本公开的第一个方面，提供一种晶体管开关的调节电路，用于半导体器件，该晶体管开关的调节电路包括：至少一个调阻单元，每个所述调阻单元包括输入端、输出端和在所述输入端与所述输出端之间并联的至少两个调阻电路，每个所述调阻电路包括串联的开关器件和电阻；所述调阻单元的输出端用于与所述晶体管开关的控制端连接；温度检测单元，用于检测所述半导体器件的温度；控制器，能根据所述温度检测单元检测的温度向各所述开关器件输出调节信号，以控制各个所述开关器件按照预设的方式导通或断开。在本公开的一种示例性实施例中，所述开关器件为晶体管，每个所述晶体管的控制端均连接所述控制器。在本公开的一种示例性实施例中，所述开关器件为MOS管，所述MOS管的栅极与所述控制器连接。在本公开的一种示例性实施例中，所述温度检测单元为温度传感器。根据本公开的第三个方面，提供一种晶体管开关电路，用于半导体器件，晶体管开关电路包括：至少一个晶体管开关，每个所述晶体管开关具有控制端；上述的晶体管开关的调节电路；其中，每个所述晶体管开关的控制端至少串联一个所述调阻单元。在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管开关的数量为多个；所述晶体管开关的调节电路的所述调阻单元的数量为多个，且各个所述调阻单元一一对应的与所述晶体管开关的控制端串联。在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管开关电路还包括：控制电路，数量为多个，且一一对应的与所述晶体管开关的控制端和所述调阻单元串联。在本公开的一种示例性实施例中，任一所述控制电路与串联的所述调阻单元组成一控制模块；所述控制器被设置为通过控制各个所述开关器件，使得各个所述控制模块的等效电阻在各自的预设范围内。在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管开关电路还包括电源、地线和数据输出线；所述晶体管开关包括：升压开关，连接所述电源和所述数据输出线，用于控制所述数据输出线输出高电平；降压开关，连接所述地线和所述数据输出线，用于控制所述数据输出线输出低电平。在本公开的一种示例性实施例中，所述升压开关为P型MOS管，所述降压开关为N型MOS管。根据本公开的第四个方面，提供一种存储装置，其特征在于，所述存储装置上述的晶体管开关电路。本公开提供的晶体管开关的调节电路，其中温度检测单元能够检测半导体器件的温度，并将检测到的温度传输给控制器；控制器能够根据检测到的温度，输出调节信号，以便调节各个开关器件的按照预设的方式导通和关闭。当调阻单元中的开关器件的导通和关闭状态发生变化时，调阻单元的等效电阻发生变化。调阻单元的输出端能够与晶体管开关的控制端连接，其等效电阻变化时，可以调节晶体管开关的控制端的充放电速度，进而达成调节晶体管开关的导通速度。利用本公开的晶体管开关的调节电路，可以在不同的温度下，通过调节与晶体管开关的控制端连接的调阻单元的等效电阻，达成调节晶体管开关的导通速度的目的，使得晶体管开关的导通速度在不同温度条件下均可以满足设计要求。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1是本公开一实施方式的晶体管开关的调节电路的结构示意图。图2是本公开一实施方式的调阻电路的结构示意图。图3是本公开一实施方式的晶体管开关的调节方法的流程示意图。图4是本公开一实施方式的晶体管开关电路的结构示意图。图5是本公开一实施方式的晶体管开关电路的结构示意图。图6是本公开一实施方式的晶体管开关电路的结构示意图。图7是本公开一实施方式的晶体管开关电路的结构示意图。图8是本公开一实施方式的晶体管开关电路的结构示意图。图中主要元件附图标记说明包括：1、调阻单元；11、调阻单元的输入端；12、调阻单元的输出端；13、调阻电路；131、开关器件；132、电阻；1321、第一子电阻；1322、第二子电阻；2、温度检测单元；3、控制器；4、晶体管开关；5、控制电路；51、第一子电路；52、第二子电路；53、预驱动器；531、预驱动子电路；54、第三子电路；55、第一部分；56、第二部分；6、控制模块；61、升压控制模块；62、降压控制模块；7、第一信号装置；71、电源；72、地线；8、第二信号装置；81、数据输出线；9、驱动器。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。在相关技术中，当采用MOS管作为开关时，MOS管开关的导通速度通常需要保持在设定的范围内，否则可能会导致电路上的噪音增大。以DRAM(动态随机存取存储器)芯片为例，在现有的DRAM芯片中，为了改善输出信号的质量，增加了ODT(片上终结电阻电路)。DQ(I/O接口)在输出信号过程中，采用多个MOS管控制信号的输出，信号输出的速率是多个MOS管共同决定的。各个MOS管导通的skewrate(反映为信号在高低电平之间的转化斜率，可以用于反映MOS管的导通速度)需要满足各自的要求，否则信号输出的噪音将会增大。各个MOS管通过各自的控制电路进行控制，然而，控制电路和MOS管在不同的温度下，其工作点将会发生一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶体管开关的调节电路，用于半导体器件，其特征在于，所述晶体管开关的调节电路包括：至少一个调阻单元，每个所述调阻单元包括输入端、输出端和在所述输入端与所述输出端之间并联的至少两个调阻电路，每个所述调阻电路包括串联的开关器件和电阻；所述调阻单元的输出端用于与所述晶体管开关的控制端连接；温度检测单元，用于检测所述半导体器件的温度；控制器，能根据所述温度检测单元检测的温度向各所述开关器件输出调节信号，以控制各个所述开关器件按照预设的方式导通或断开。
【技术特征摘要】
1.一种晶体管开关的调节电路，用于半导体器件，其特征在于，所述晶体管开关的调节电路包括：至少一个调阻单元，每个所述调阻单元包括输入端、输出端和在所述输入端与所述输出端之间并联的至少两个调阻电路，每个所述调阻电路包括串联的开关器件和电阻；所述调阻单元的输出端用于与所述晶体管开关的控制端连接；温度检测单元，用于检测所述半导体器件的温度；控制器，能根据所述温度检测单元检测的温度向各所述开关器件输出调节信号，以控制各个所述开关器件按照预设的方式导通或断开。2.根据权利要求1所述的晶体管开关的调节电路，其特征在于，所述开关器件为晶体管，每个所述晶体管的控制端均连接所述控制器。3.根据权利要求2所述的晶体管开关的调节电路，其特征在于，所述开关器件为MOS管，所述MOS管的栅极与所述控制器连接。4.根据权利要求1所述的晶体管开关的调节电路，其特征在于，所述温度检测单元为温度传感器。5.一种晶体管开关电路，用于半导体器件，其特征在于，所述晶体管开关电路包括：至少一个晶体管开关，每个所述晶体管开关具有控制端；权利要求1～4任一项所述的晶体管开关的调节电路；其中，每个所述晶体管开关的控制端至少串联一个所述调阻单...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡滨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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