一种整流电路、充电电路以及电器设备制造技术

本实用新型专利技术实施方式涉及整流技术领域，特别是涉及一种整流电路、充电电路以及电器设备。该整流电路包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管；该整流电路通过第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管来实现全桥同步整流电路，MOS管具有导通内阻小的特性，一般可达几十毫欧，甚至几毫欧，也有热稳定度好的特性，当环境温度变化时，内阻变化也很小，由于整流电路不再设置有整流二极管，避免了整流二极管带来的较大压降以及损耗。

A Rectifier Circuit, Charging Circuit and Electrical Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种整流电路、充电电路以及电器设备
本技术实施方式涉及整流
，特别是涉及一种整流电路、充电电路以及电器设备。
技术介绍
整流电路的作用是将交流降压电路输出的电压较低的交流电转换成单向脉动性直流电，这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压。习惯上称单向脉动性直流电压。目前，由整流二极管组成的整流电路已经广泛运用于各种电器。但是专利技术人在实现本技术的过程中，发现现有技术存在以下技术问题：在现有技术中，一般传统隔离式电源的次级整流二极管存在较大的压降，有严重的二极管正向损耗。当系统功率较大时，将损耗较大的能量,这部分能量损失使得在设计系统时需进行额外的散热处理,导致产品的体积增大，产品的效率难以满足日趋严格的能源标准要求。
技术实现思路
本技术实施方式主要解决的技术问题是提供一种整流电路、充电电路以及电器设备，旨在解决现有整流电路中存在的整流二极管存在较大的压降，有严重的二极管正向损耗的问题。第一方面，为解决上述技术问题，本技术实施方式采用的一个技术方案是：提供一种整流电路，包括：第一P型MOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流电路，其特征在于，包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管；所述第一P型MOS管的漏极连接交流电源的一端，所述第一P型MOS管的源极分别与外界负载的一端、所述第二P型MOS管的源极连接，所述第一P型MOS管的栅极分别与所述第一N型MOS管的栅极、所述交流电源的另一端、所述第二P型MOS管的漏极、所述第二N型MOS管的漏极连接，所述第一N型MOS管的漏极分别与所述交流电源的一端、所述第二P型MOS管的栅极、所述第二N型MOS管的栅极连接，所述第一N型MOS管的源极分别与所述外界负载的另一端、所述第二N型MOS管的源极连接。

【技术特征摘要】
1.一种整流电路，其特征在于，包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管；所述第一P型MOS管的漏极连接交流电源的一端，所述第一P型MOS管的源极分别与外界负载的一端、所述第二P型MOS管的源极连接，所述第一P型MOS管的栅极分别与所述第一N型MOS管的栅极、所述交流电源的另一端、所述第二P型MOS管的漏极、所述第二N型MOS管的漏极连接，所述第一N型MOS管的漏极分别与所述交流电源的一端、所述第二P型MOS管的栅极、所述第二N型MOS管的栅极连接，所述第一N型MOS管的源极分别与所述外界负载的另一端、所述第二N型MOS管的源极连接。2.根据权利要求1所述的整流电路，其特征在于，所述整流电路还包括第一滤波电路；所述第一滤波电路的一端分别与所述第一P型MOS管的漏极、第一N型MOS管的漏极、所述交流电源的一端连接，所述第一滤波电路的另一端分别与所述第一P型MOS管的栅极、所述第一N型MOS管的栅极、所述第二P型MOS管的漏极、所述第二N型MOS管的漏极连接。3.根据权利要求2所述的整流电路，其特征在于，所述第一滤波电路包括第一电容；所述第一电容的一端分别与所述第一P型MOS管的漏极、第一N型MOS管的漏极、所述交流电源的一端连接，所述第一电容的另一端分别与所述第一P型MOS管的栅极、所述第一N型MOS管的栅极、所述第二P型MOS管的漏极、所述第二N型MOS管的漏极连接。4.一种充电电路，其特征在于，包括：负载；如权利要求1至3任一项所述的整流电路，所述整流电路与所述负载连接；其中，所述负载包括可充电电池，交流电源通过所述整流电路为所述可充电电池进行充电。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘扬华，
申请(专利权)人：深圳和而泰智能控制股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44