微发光二极管转移设备、转移微发光二极管的方法、显示设备技术

提供了一种微发光二极管转移设备。微发光二极管转移设备包括：转移阵列，其包括多个转移头的阵列；以及，阵列掩膜，其具有多个对准孔的阵列。多个对准孔中的对应一个具有允许多个转移头中的对应一个和附接至多个转移头中的对应一个的微发光二极管通过的尺寸。

Transfer device, method and display device of micro-light-emitting diode

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微发光二极管转移设备、转移微发光二极管的方法、显示设备
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及微发光二极管转移设备、转移微发光二极管的方法、显示设备。
技术介绍
近年来，提出和开发了小型化的光电器件，包括微发光二极管(微LED)。基于微LED的显示面板具有高亮度、高对比度、快速响应以及低功耗的优点。基于微LED的显示技术已经在显示领域中获得了广泛的应用，包括智能电话和智能手表。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种微发光二极管(微LED)转移设备，包括：转移阵列，其包括多个转移头的阵列；以及，阵列掩膜，其具有多个对准孔的阵列；其中，所述多个对准孔中的对应一个具有允许所述多个转移头中的对应一个和附接至所述多个转移头中的所述对应一个的微LED通过的尺寸。可选地，阵列掩膜包括多个环结构的阵列，所述多个环结构中的对应一个限定所述多个对准孔中的所述对应一个。可选地，微LED转移设备还包括控制器，所述控制器配置为形成对准机制，所述对准机制用于当所述多个转移头中的所述对应一个被插入至所述多个对准孔中的所述对应一个中时将所述多个转移头中的所述对应一个和附接至所述多个转移头中的所述对应一个的微LED相对于所述多个对准孔中的所述对应一个对准；其中，控制器耦接至转移阵列和阵列掩膜。可选地，控制器配置为将第一电压施加至所述多个转移头的阵列并且至少在围绕所述多个对准孔的阵列的区域中将第二电压施加至阵列掩膜；并且第一电压和第二电压具有相同极性。可选地，转移机制包括分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分和所述多个转移头的阵列的暴露磁性部分。可选地，控制器配置为将磁场施加至所述多个转移头的阵列，使得所述多个转移头的阵列的暴露磁性部分具有与分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分相同的磁极性。可选地，控制器配置为将磁场施加至分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分以具有与所述多个转移头的阵列的暴露磁性部分相同的磁极性。可选地，阵列掩膜包括多个环结构的阵列，所述多个环结构中的对应一个限定所述多个对准孔中的所述对应一个；并且所述多个环结构是分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分。可选地，所述多个转移头由磁性材料制成。可选地，所述多个环结构由磁性材料制成。可选地，所述多个转移头中的所述对应一个的长度大于阵列掩膜的厚度。可选地，所述多个转移头是多个可伸缩转移头。另一方面，本专利技术提供了一种利用上述微发光二极管(微LED)转移设备转移微LED的方法，包括：将转移阵列置于阵列掩膜和目标基板的一侧，使得阵列掩膜设置在转移阵列与目标基板之间，转移阵列包括多个转移头的阵列并且具有分别附接至所述多个转移头的多个微LED，阵列掩膜具有多个对准孔的阵列，并且目标基板具有包括多个接合触点的阵列的接合层；将分别附接至所述多个转移头的多个微LED与所述多个对准孔对准；将所述多个转移头的阵列分别插入通过所述多个对准孔的阵列；将所述多个微LED分别置于所述多个接合触点上；以及将所述多个微LED释放至目标基板上。可选地，在将所述多个转移头的阵列分别插入通过所述多个对准孔的阵列期间，所述方法还包括：将第一电压施加至所述多个转移头的阵列；以及，至少在围绕所述多个对准孔的阵列的区域中将第二电压施加至阵列掩膜；其中，第一电压和第二电压具有相同极性。可选地，在将所述多个转移头的阵列分别插入通过所述多个对准孔的阵列期间，分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分具有与所述多个转移头的阵列的暴露磁性部分相同的磁极性。可选地，所述方法还包括：将磁场施加至所述多个转移头的阵列，使得所述多个转移头的阵列的暴露磁性部分具有与分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分相同的磁极性。可选地，所述方法还包括：将磁场施加至分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分以具有与所述多个转移头的阵列的暴露磁性部分相同的磁极性。可选地，所述方法还包括：提供具有多个微LED的阵列的母基板；提供包括多个转移头的阵列的转移阵列；通过使所述多个微LED分别附接至所述多个转移头来从母基板拾取所述多个微LED；提供具有包括多个接合触点的阵列的接合层的目标基板；提供具有多个对准孔的阵列的阵列掩膜；以及将所述多个接合触点的阵列与所述多个对准孔的阵列对准。可选地，将所述多个接合触点的阵列与所述多个对准孔的阵列对准包括：利用目标基板上的对准标记和阵列掩膜上的对准标记，相对于目标基板光学地对准阵列掩膜。另一方面，本专利技术提供了一种显示设备，其包括通过本文描述的方法转移的所述多个微LED、以及用于驱动所述多个微LED发光的多个薄膜晶体管。附图说明以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本专利技术的范围。图1是示出根据本公开的一些实施例中的微发光二极管转移设备的结构的示意图。图2是示出根据本公开的一些实施例中的阵列掩膜的结构的示意图。图3是示出根据本公开的一些实施例中的阵列掩膜的结构的示意图。图4是示出根据本公开的一些实施例中的微发光二极管转移设备的结构的示意图。图5是示出根据本公开的一些实施例中的微发光二极管转移设备的结构的示意图。图6是根据本公开的一些实施例中的阵列掩膜中的多个电磁体中的对应一个的平面视图。图7是根据本公开的一些实施例中的阵列掩膜中的多个电磁体中的对应一个的侧视图。图8是示出根据本公开的一些实施例中的转移微发光二极管的方法的流程图。图9A至图9F示出了根据本公开的一些实施例中的转移微发光二极管的方法。图10A至图10F示出了根据本公开的一些实施例中的转移微发光二极管的方法。具体实施方式现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。在制造微发光二极管显示面板时，需要将每个微LED从生长基板转移至目标基板。考虑到显示面板包括成千上万个微LED，拾取和放置转移过程需要极高的对准精度，特别是当将微LED放置于目标基板上时。在常规微LED转移方法中，在拾取和放置转移或利用转移头的转移过程中，频繁地出现微LED与目标基板中的接合触点对不准，导致显示面板的缺陷。因此，本公开特别提供了微发光二极管转移设备、转移微发光二极管的方法、显示设备，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种微发光二极管转移设备。在一些实施例中，微发光二极管转移设备包括：转移阵列，其具有多个转移头的阵列；以及，阵列掩膜，其具有多个对准孔的阵列。可选地，所述多个对准孔中的对应一个具有允许所述多个转移头中的对应一个和附接至所述多个转移头中的所述对应一个的微LED通过的尺寸。所述多个对准孔中的所述对应一个和所述多个转移头中的所述对应一个配置为对准在一起，使得所述多个对准孔中的所述对应一个被置于与附接至所述多个转移头中的所述对应一个的微LED对应的位置处。图1是示出根据本公开的一些实施例中的微发光二极管转移设备的结构的示意图。参照图1，在一些实施例中，微发光二极管转移设备1包括：转移阵列10，其具有多个转移头11的阵列；以及阵列掩膜20，其具有多个对准孔h的阵列。所述多个对准孔h中的对应一个具有允许所述多个转移头11中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管转移设备，包括：转移阵列，其包括多个转移头的阵列；和阵列掩膜，其具有多个对准孔的阵列；其中，所述多个对准孔中的对应一个具有允许所述多个转移头中的对应一个和附接至所述多个转移头中的所述对应一个的微发光二极管通过的尺寸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微发光二极管转移设备，包括：转移阵列，其包括多个转移头的阵列；和阵列掩膜，其具有多个对准孔的阵列；其中，所述多个对准孔中的对应一个具有允许所述多个转移头中的对应一个和附接至所述多个转移头中的所述对应一个的微发光二极管通过的尺寸。2.根据权利要求1所述的微发光二极管转移设备，其中，所述阵列掩膜包括多个环结构的阵列，所述多个环结构中的对应一个限定所述多个对准孔中的所述对应一个。3.根据权利要求1所述的微发光二极管转移设备，还包括控制器，所述控制器配置为形成对准机制，所述对准机制用于当所述多个转移头中的所述对应一个被插入至所述多个对准孔中的所述对应一个中时将所述多个转移头中的所述对应一个和附接至所述多个转移头中的所述对应一个的所述微发光二极管相对于所述多个对准孔中的所述对应一个对准；其中，所述控制器耦接至所述转移阵列和所述阵列掩膜。4.根据权利要求3所述的微发光二极管转移设备，其中，所述控制器配置为将第一电压施加至所述多个转移头的阵列并且至少在围绕所述多个对准孔的阵列的区域中将第二电压施加至所述阵列掩膜；并且所述第一电压和所述第二电压具有相同极性。5.根据权利要求3所述的微发光二极管转移设备，其中，所述转移机制包括分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的磁性部分和所述多个转移头的阵列的暴露磁性部分。6.根据权利要求5所述的微发光二极管转移设备，其中，所述控制器配置为将磁场施加至所述多个转移头的阵列，使得所述多个转移头的阵列的所述暴露磁性部分具有与分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的所述磁性部分相同的磁极性。7.根据权利要求5所述的微发光二极管转移设备，其中，所述控制器配置为将磁场施加至分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的所述磁性部分以具有与所述多个转移头的阵列的所述暴露磁性部分相同的磁极性。8.根据权利要求5所述的微发光二极管转移设备，其中，所述阵列掩膜包括多个环结构的阵列，所述多个环结构中的对应一个限定所述多个对准孔中的所述对应一个；并且所述多个环结构是分别位于围绕所述多个对准孔的阵列的区域中的所述磁性部分。9.根据权利要求5所述的微发光二极管转移设备，其中，所述多个转移头由磁性材料制成。10.根据权利要求8所述的微发光二极管转移设备，其中，所述多个环结构由磁性材料制成。11.根据权利要求1至10中任一项所述的微发光二极管转移设备，其中，所述多个转移头中的所述对应一个的长度大于所述阵列掩膜的厚度。12.根据权利要求1至11中任一项所述的微发光二极管转移设备，其中，所述多个转移头是多个可伸缩转...

【专利技术属性】
技术研发人员：张迪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11