轴式二极管的制作方法技术

技术编号:21775097 阅读:127 留言:0更新日期:2019-08-03 22:32
本发明专利技术公开了一种轴式二极管的制作方法,包括如下步骤:1、晶片切割→2、上下导线装填→3、下焊片装填→4、晶粒Pick/Place放入晶粒盘→5、晶粒吸盘装填→6、上焊片装填→7、合盘→8、高温焊接→9、塑封成型→10、无铅电镀→11、测试印字包装。因为采用晶粒Pick/Place放入晶粒盘+晶粒吸盘装填方式进行组装,避免了原来下晶粒及摇晶粒制程时晶粒互相碰撞,晶粒之间不会发生接触及碰撞,可降低晶粒外观损伤问题,进而提升产品生产合格率,提高产品可靠性品质水准。

Fabrication Method of Axis Diode

【技术实现步骤摘要】
轴式二极管的制作方法
本专利技术涉及一种轴式二极管的制作方法,属于电子元器件

技术介绍
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。轴式二极管是二极管的一种形式,由圆柱形本体加上两端伸出的圆形导线为外形,本体内部封装二极管芯片,其功能有整流、稳压、电压抑制、发光二极管等功用。已有轴式二极管制作方法,通常采用工艺方法如下:晶片切割→下晶粒→上下导线装填→下焊片装填→摇晶粒→晶粒装填→上焊片装填→合盘→高温焊接→塑封成型→无铅电镀→测试印字包装。此生产工艺采用上下二个焊接舟进行组装作业,但因下晶粒及摇晶粒制程时,晶粒会互相碰撞,导致晶粒缺角、晶粒崩边、晶粒微裂等问题产生,产生生产合格率较低、产品可靠性品质较差等问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能提升生产合格率、提高产品可靠性品质的轴式二极管制作工艺方法。本专利技术采用如下技术方案:一种轴式二极管的制作方法,包括如下步骤:1、晶片切割→2、上下导线装填→3、下焊片装填→4、晶粒Pick/Place放入晶粒盘→5、晶粒吸盘装填→6、上焊片装填→7、合盘→8、高温焊接→9、塑封成型→10、无铅电镀→11、测试印字包装。有益效果:因为采用晶粒Pick/Place放入晶粒盘+晶粒吸盘装填方式进行组装,避免了原来下晶粒及摇晶粒制程时晶粒互相碰撞,晶粒之间不会发生接触及碰撞,可降低晶粒外观损伤问题,进而提升产品生产合格率,提高产品可靠性品质水准;已有技术晶粒碰撞导致外观损伤问题,新技术可提升产品生产合格率2%以上,降低产品成本,另对于产品可靠性品质有大幅提高,从而提升产品竞争力。具体实施方式下面对本专利技术的具体实施方式加以详细描述。一种轴式二极管的制作方法,包括如下步骤:第一步,晶片切割。将晶片放置入切割机台,通过钻石切割刀等方式切成单颗芯片;第二步,上下导线装填。采用导线装填机,将晶粒尺寸对应的导线,装填入焊接舟的各个孔穴内,需要装填上下两个焊接舟,用来进行晶粒P、N端的引出端的连接;第三步,下焊片装填。采用焊片摇盘,将晶粒尺寸对应的焊片,装填入已有下导线的焊接舟的各个孔穴内,焊片放在导线上面,用来进行晶粒N端与导线的连接焊料;第四步,晶粒Pick/Place放入晶粒盘。采用高速晶粒Pick/Place机台,将切割完晶片放置在机台内,机台搜索到晶粒位置后,机台通过顶针将晶粒顶出,机台吸嘴吸取晶粒后将晶粒放置在晶粒盘中,晶粒盘中有多个隔开且独立的存放晶粒的穴,每个放置一颗晶粒,用来进行后续组装;第五步,晶粒吸盘装填。将晶粒盘中的晶粒,通过晶粒吸盘装置,一般一个晶粒吸盘对应一个焊接舟,通过晶粒吸盘的真空装置,将晶粒吸起来,放置入焊接舟中焊下片上面,再关掉真空,晶粒即安全落下放置在焊接舟内,用来进行晶粒N面与焊片的连接;第六步,上焊片装填。采用焊片摇盘,将晶粒尺寸对应的焊片,装填入焊接舟的各个孔穴内,放在晶粒上面,用来进行晶粒P端与导线的连接焊料;第七步,合盘。将上述已装填好晶粒及上下焊片的焊接舟放好,将另一盘第二步完成的上导线焊接舟,用一平争的薄钢片覆盖在上导线焊接舟上,然后上导线焊接舟180°反转并放置在第六步已完成的焊接舟上面,再撤出钢片,即完成了上下焊接舟的合盘,此时已完成了轴式二极管的焊接组装;第八步,高温焊接。合盘完成品,进高温焊接炉焊接。焊片在焊接炉中,经高温熔接固化,将导线、芯片、导线焊接结合成一个整体,可使之具有二极管的功能;第九步,塑封成型。焊接后用环氧树脂成型胶将上述半成品塑封成轴式二极管形状,使之具有一定机械强度;第十步,无铅电镀。将塑封成型后的轴式二极管产品引脚,进行无铅电镀,方便客户端进行焊接使用;第十一步,测试印字包装。测试轴式二极管电性能,在塑封本体上印字,并用红白胶带等进行封装,方便寄送给客户使用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种轴式二极管的制作方法,其特征在于包括如下步骤:第一步,晶片切割;第二步,上下导线装填;第三步,下焊片装填;第四步,晶粒Pick/Place放入晶粒盘;第五步,晶粒吸盘装填;第六步,上焊片装填;第七步,合盘;第八步,高温焊接;第九步,塑封成型;第十步,无铅电镀;第十一步,测试印字包装。

【技术特征摘要】
1.一种轴式二极管的制作方法,其特征在于包括如下步骤:第一步,晶片切割;第二步,上下导线装填;第三步,下焊片装填;第四步,晶粒Pick/Place...

【专利技术属性】
技术研发人员:方敏清
申请(专利权)人:强茂电子无锡有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1