一种电容器及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种电容器及半导体器件中，所述电容器包括下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极。相比具有单一第一晶相的电容介质层，本实用新型专利技术提供的电容器的电容介质层的材料的晶相结构包括第一晶相及比第一晶相具有更高介电常数的第二晶相，使电容介质层整体介电常数增大，进而提升了电容器的电容量。

A Capacitor and Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
一种电容器及半导体器件
本技术涉及半导体
，特别涉及一种电容器及包含该电容器的半导体器件。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高，同时随着器件尺寸的不断缩减，在越来越小的集成电路中，如何制备出电容值足够大且可靠性高的电容器已成为一个重要的课题。通常，电容器包括一上电极、一电容介质层和一下电极，所述电容介质层设置在上电极和下电极之间。根据电容器的结构可知，电容值与电极表面积和电容介质层的介电常数成正比，而与电容间隔、也就是电容介质层的厚度成反比。扩大电极表面积、使用具有高介电常数(HIGH-K)的电容介质层或减小电容介质层的厚度，可以增大电容器的电容值。然而，由于减小电容介质层的厚度的方式受到限制，若直接增加电容器的表面积，则势必会导致整个电容器尺寸的增加，而这对电容器尺寸的缩减是极为不利的。因此，开发具有高介电常数(HIGH-K)的电容介质层成为制备高电容电容器的努力方向。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种电容器及包含该电容器的半导体器件，获取具有高介电常数的电容介质层，提升电容值，优化电容介质电容特性。为实现上述目的，本技术提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器，其特征在于，包括：下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极；所述电容介质层的材料包括第一晶相和第二晶相两种晶相结构，所述第二晶相的介电常数高于所述第一晶相的介电常数。

【技术特征摘要】
1.一种电容器，其特征在于，包括：下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极；所述电容介质层的材料包括第一晶相和第二晶相两种晶相结构，所述第二晶相的介电常数高于所述第一晶相的介电常数。2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一晶相的结晶温度低于所述第二晶相的结晶温度，且所述第一晶相在一定温度下转化为所述第二晶相。3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层的材料包括二氧化锆或二氧化铪。4.根据权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述第一晶相是单斜晶相，所述第二晶相是四方晶相。5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层厚度介于4nm～9nm之间。6.一种半导体器件，其特征在于，包括：一基底，以及位于所述基底上的电容器；所述电容器包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34