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一种电容器及半导体器件制造技术
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文档序号:21752655
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本实用新型提供一种电容器及半导体器件中,所述电容器包括下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极。相比具有单一第一晶相的电容介质层,本实用新型提供的电容器的电容介质层的材料的晶相结构包括第一晶相及比第一晶相具有更高...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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