【技术实现步骤摘要】
半导体组件
本技术是有关于一种半导体组件及其制造方法,特别是有关于一种在低温多晶硅制程中形成的半导体组件。
技术介绍
在低温多晶硅薄膜晶体管的半导体组件的制程中,非晶硅层形成后必须进行高温处理来去除氢原子,以避免后续制程中因为氢键断裂而形成很多缺陷。由于这些缺陷大部粉起因于硅的断键,因此利用氢来填补这些断键,也就是所谓的氢化作用。然而在习知技术中,内层介电层中的氢含量无法达到均一性,且高温快速回火(rapidthermalanneal)的温度均一性较差,且内层介电层氢化的温度与高温快速回火使离子活化的温度不相同,因此会造成氢化不足或氢化过度的情况发生。故,有必要提供一种改善方法以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种半导体组件,其可以改善晶体管在低温多晶硅的制程中氢化不足或氢化不均的缺陷。本技术的一实施例提供一种以低温多晶硅制程形成的薄膜晶体管的半导体组件。半导体组件包括基板;形成在基板上的多晶硅层,多晶硅层包括源极、通道及漏极,其中源极及漏极形成在多晶硅层的二侧,形成在源极及漏极之间的通道;形成在多晶硅层上的栅极绝缘层;形成在栅极绝缘层上的栅极,且栅极形成在通道的正上方;形成在栅极上方且覆盖栅极的内层介电层,内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层;穿过氢化的内层介电层的上表面的金属导线,且分别与源极及漏极接触;以及覆盖氢化的内层介电层的钝化层。在本技术的一实施例中,半导体组件还包括画素电极。在本技术的一实施例中,半导体组件还包括形成在基板与多晶硅层之间的遮光层。在本技术的一实施例中,多晶硅层包括氧化硅 ...
【技术保护点】
1.一种半导体组件,其特征在于,包括:基板;多晶硅层,其中所述多晶硅层形成在所述基板上,所述多晶硅层包括源极、通道及漏极,所述源极及所述漏极形成在所述多晶硅层的二侧,所述通道形成在所述源极及所述漏极之间;栅极绝缘层,其中所述栅极绝缘层形成在所述多晶硅层上;栅极,其中所述栅极形成在所述栅极绝缘层上,且所述栅极形成在所述通道的正上方;内层介电层,其中所述内层介电层形成在所述栅极上方且覆盖所述栅极,所述内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层;金属导线,其中所述金属导线穿过所述氢化的内层介电层的上表面,且分别与所述源极及所述漏极接触;以及钝化层,其中所述钝化层覆盖所述氢化的内层介电层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体组件,其特征在于,包括:基板;多晶硅层,其中所述多晶硅层形成在所述基板上,所述多晶硅层包括源极、通道及漏极,所述源极及所述漏极形成在所述多晶硅层的二侧,所述通道形成在所述源极及所述漏极之间;栅极绝缘层,其中所述栅极绝缘层形成在所述多晶硅层上;栅极,其中所述栅极形成在所述栅极绝缘层上,且所述栅极形成在所述通道的正上方;内层介电层,其中所述内层介电层形成在所述栅极上方且覆盖所述栅极,所述内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层;金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖东辉,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北,42
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