一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片，属于LED芯片技术领域，LED芯片包括芯片本体以及设置在芯片本体后方的散热片，关键在于：所述的散热片包括金属网架及一组沿左右方向排列的导热管，导热管的前端面都与芯片本体紧密接触，导热管的后端面都有卡槽，所有的导热管都借助卡槽与金属网架卡接固定，金属网架与芯片本体固定连接，在金属网架后端面与每个导热管相对应的位置都设置有空心翅片，空心翅片与导热管固定连接且连通形成为导热液的盛放腔，导热管的顶部设置有进液口，进液口处设置有密封塞。结构简单、设置合理，散热效果好，可以延长LED芯片的使用寿命。

A High Brightness and High Power Silicon-based GaN LED Chip

【技术实现步骤摘要】
一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片
本技术属于LED芯片
，涉及到一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片。
技术介绍
GaN属于第三代半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等优点。硅基氮化镓LED芯片具有节能、环保的特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。但是现有硅基氮化镓LED芯片的散热效果还有待提高。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术的缺陷，设计了一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片，结构简单、设置合理，散热效果好，可以延长LED芯片的使用寿命。本技术所采取的具体技术方案是：一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片，包括芯片本体以及设置在芯片本体后方的散热片，关键在于：所述的散热片包括金属网架及一组沿左右方向排列的导热管，导热管的前端面都与芯片本体紧密接触，导热管的后端面都有卡槽，所有的导热管都借助卡槽与金属网架卡接固定，金属网架与芯片本体固定连接，在金属网架后端面与每个导热管相对应的位置都设置有空心翅片，空心翅片与导热管固定连接且连通形成为导热液的盛放腔，导热管的顶部设置有进液口，进液口处设置有密封塞。所述的导热管包括纵管、及由纵管上下两端分别向后弯折延伸形成的横管，纵管与两个横管一起形成为开口朝向后方的凵字形结构，两个横管之间的空腔形成为卡槽，位于上方的横管顶部开设有进液口，位于上方的横管的底部与空心翅片连通。所述的进液口处设置有内螺纹，密封塞与进液口螺纹连接。在芯片本体与导热管之间设置有石墨层。所述的导热管为方管，空心翅片为板状结构，空心翅片沿左右方向的长度L1小于导热管沿左右方向的长度L2，空心翅片位于导热管左右方向的中心处，空心翅片的散热面积大于导热管的散热面积。本技术的有益效果是：导热管与空心翅片内部都装有导热液，导热液可以加快热传导速度，使芯片本体产生的热量可以快速地通过导热管传递给空心翅片，由空心翅片散发到外部，散热速度快，散热效果好，使用寿命长。金属网架在将所有的导热管和空心翅片连接在一起的同时，金属网架本身也可以起到热传导作用，进一步提高传热效率，而且位于金属网架前端相邻导热管之间的热气还可以通过金属网架上的网孔向后散发，散热速度更快，散热效果更好。附图说明图1为本技术的结构示意图。附图中，1代表芯片本体，2代表金属网架，3代表导热管，4代表空心翅片，5代表密封塞。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术做详细说明：具体实施例，如图1所示，一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片，包括芯片本体1以及设置在芯片本体1后方的散热片，散热片包括金属网架2及一组沿左右方向排列的导热管3，导热管3的前端面都与芯片本体1紧密接触，导热管3的后端面都有卡槽，所有的导热管3都借助卡槽与金属网架2卡接固定，金属网架2与芯片本体1固定连接，在金属网架2后端面与每个导热管3相对应的位置都设置有空心翅片4，空心翅片4与导热管3固定连接且连通形成为导热液的盛放腔，导热管3的顶部设置有进液口，进液口处设置有密封塞5。导热管3包括纵管、及由纵管上下两端分别向后弯折延伸形成的横管，纵管与两个横管一起形成为开口朝向后方的凵字形结构，两个横管之间的空腔形成为卡槽，位于上方的横管顶部开设有进液口，位于上方的横管的底部与空心翅片4连通。导热管3为一体成型结构，没有接缝，密封效果好。作为对本技术的进一步改进，进液口处设置有内螺纹，密封塞5与进液口螺纹连接，拆装方便，而且密封效果更好。作为对本技术的进一步改进，在芯片本体1与导热管3之间设置有石墨层。石墨层能够快速地将芯片本体1产生的热量传递给导热管3，便于热量的快速散发，同时，石墨层还可以起到绝缘的作用，更加安全。作为对本技术的进一步改进，导热管3为方管，使导热管3与芯片本体1之间具有足够大的接触面积，散热效果更好。空心翅片4为板状结构，空心翅片4沿左右方向的长度L1小于导热管3沿左右方向的长度L2，空心翅片4位于导热管3左右方向的中心处，空心翅片4的散热面积大于导热管3的散热面积。这样相邻的导热管3之间可以距离较近甚至贴合，能够快速地吸收芯片本体1产生的热量，而空心翅片4之间的间隙较大，有利于空气流通，使得空心翅片4能够快速将导热管3上的热量导出，进行快速降温，防止热量在导热管3处堆积而影响芯片本体1。本技术在具体使用时，为了在安装时更加简单方便，导热管3与空心翅片4为一体式结构，安装时，只需要将金属网架2穿过导热管3与空心翅片4之间的卡槽即可。导热管3与空心翅片4内部都装有导热液，导热液可以加快热传导速度。芯片本体1产生的热量可以快速地通过石墨层和导热管3传递给空心翅片4，由空心翅片4散发出去。金属网架2在将所有的导热管3和空心翅片4连接在一起的同时，金属网架2本身也可以起到热传导作用，进一步提高传热效率，而且位于金属网架2前端相邻导热管3之间的热气还可以通过金属网架2上的网孔向后散发，散热速度更快，散热效果更好。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片，包括芯片本体(1)以及设置在芯片本体(1)后方的散热片，其特征在于：所述的散热片包括金属网架(2)及一组沿左右方向排列的导热管(3)，导热管(3)的前端面都与芯片本体(1)紧密接触，导热管(3)的后端面都有卡槽，所有的导热管(3)都借助卡槽与金属网架(2)卡接固定，金属网架(2)与芯片本体(1)固定连接，在金属网架(2)后端面与每个导热管(3)相对应的位置都设置有空心翅片(4)，空心翅片(4)与导热管(3)固定连接且连通形成为导热液的盛放腔，导热管(3)的顶部设置有进液口，进液口处设置有密封塞(5)。

【技术特征摘要】
1.一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片，包括芯片本体(1)以及设置在芯片本体(1)后方的散热片，其特征在于：所述的散热片包括金属网架(2)及一组沿左右方向排列的导热管(3)，导热管(3)的前端面都与芯片本体(1)紧密接触，导热管(3)的后端面都有卡槽，所有的导热管(3)都借助卡槽与金属网架(2)卡接固定，金属网架(2)与芯片本体(1)固定连接，在金属网架(2)后端面与每个导热管(3)相对应的位置都设置有空心翅片(4)，空心翅片(4)与导热管(3)固定连接且连通形成为导热液的盛放腔，导热管(3)的顶部设置有进液口，进液口处设置有密封塞(5)。2.根据权利要求1所述的一种高亮度大功率硅基氮化镓LED芯片，其特征在于：所述的导热管(3)包括纵管、及由纵管上下两端分别向后弯折延伸形成的横管，纵管与...

【专利技术属性】
技术研发人员：李路杰，袁凤坡，杨私私，甘琨，唐兰香，温鑫鑫，
申请(专利权)人：同辉电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13