一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚制造技术

本发明专利技术公开了一种单晶生长用固气界面可控的坩埚，其包括坩埚本体，贯穿坩埚本体底部的连接杆，所述连接杆连接原料盒，所述原料盒随所述连接杆在坩埚本体内升降；所述坩埚本体的外表面设置保温层；所述原料盒是内置于坩埚的开口原料盒；所述连接杆的升降速度为0‑10mm/min；所述连接杆连接所述坩埚外部的电动装置。本发明专利技术所提供的坩埚结构使得晶体生长环境不会因为原料减少降低固气界面而变化，从而使晶体生长更稳定。

A Crucible with Controllable Solid-Gas Interface for Silicon Carbide Single Crystal Growth

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚
本专利技术属于半导体材料生长
，特别涉及一种SiC单晶生长用固气界面可控的坩埚。
技术介绍
半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，凭借这种特性，可以用来制作半导体器件。第一、二代半导体(如硅和砷化镓等)在材料领域的迅速发展使得光电子和微电子也随之快速成长，但是它们在物理和化学性质上却具有一定的局限性，这限制了该材料在器件上的应用上限。随着科技进步，半导体材料被赋予了更高的要求，它希望新型的半导体材料能够耐高温，同时还具有大的功率、频率及其他一些物理化学性质，所以，第三代半导体材料如碳化硅(SiC)便得到了人们的关注。SiC可以适应更苛刻的应用环境，如高磁场，腐蚀性，高温，高功率，高频率等。这些性能使得SiC半导体材料应用范围更广泛。在碳化硅晶体生长方法中，物理气相传输法(PVT)是目前使用广泛且较为成熟的大尺寸碳化硅单晶生长工艺方法。该方法将碳化硅籽晶固定在石墨坩埚盖上，坩埚内装有碳化硅粉末作为原料，生长温度控制在2100℃至2400℃之间，原料分解为气相组分之后在石墨坩埚内部轴向温度梯度的驱动下运输到籽晶处进行晶体生长。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚，其特征在于，包括坩埚本体，贯穿坩埚本体底部的连接杆，所述连接杆连接原料盒，所述原料盒随所述连接杆在坩埚本体内升降。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚，其特征在于，包括坩埚本体，贯穿坩埚本体底部的连接杆，所述连接杆连接原料盒，所述原料盒随所述连接杆在坩埚本体内升降。2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体的外表面设置保温层。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈诺夫，杨阳，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：北京,11