包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及利用在干式蚀刻工序中利用的半导体制造用部件，本发明专利技术的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于上述母材表面，上述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为2:1至100:1。

Components for semiconductor fabrication including SiC evaporated coating and their fabrication methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法
本专利技术涉及用于干式蚀刻工序的半导体制造用部件，更详细地，涉及耐等离子特性优秀的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法。
技术介绍
通常，作为在半导体制造工序中使用的等离子处理工法、干式蚀刻工序中的一种，使用气体来对目标进行蚀刻的方法。向反应容器内注入蚀刻气体并进行离子化之后，向晶片(Wafer)表面加速，来以物理、化学去除晶片表面的工序。上述方法中，蚀刻的调节简单，生产性高，可形成数十nm水平的微细图案，从而广泛使用。包括干式蚀刻装置内的聚焦环在内的多种半导体制造用部件在存在等离子的恶劣条件的反应容器内进行蚀刻处理，来使等离子集中在晶片周边，且部件自身也向等离子露出并被损伤。因此，持续进行用于增加半导体制造用部件的等离子特性的研究。作为其中的一种，研究代替Si材质，制造SiC材质的聚焦环或电极等的部件的方法。只是，与石墨基材相比，SiC材质的价格昂贵，从而导致产品的成本提高，尤其，在生产半导体制造用部件的情况下，SiC材质的价格成为问题，从而导致生产性降低。
技术实现思路
技术问题本专利技术用于解决上述问题，本专利技术的目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于所述母材表面，所述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.20 KR 10-2016-0174856;2017.12.12 KR 10-2011.一种包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于所述母材表面，所述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1。2.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，所述母材包含选自由石墨、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、重结晶SiC及化学气相蒸镀SiC组成的组中的至少一种。3.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，所述母材呈具有高度差的阶梯式结构，存在所述高度差的剖面包括曲面或者形成所述高度差的面形成钝角。4.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，所述SiC蒸镀层的厚度为2mm至20mm。5.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，所述SiC蒸镀层包括多个层。6.如权利要求1所述的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件，其中，在所述母材的至少一面形成的SiC蒸镀层的厚度为在所述母材的所述一面的相反侧面形成的SiC蒸镀层的厚度的1.5倍至3倍。7.一种包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件的制造方法，其中，包括：准备包含选自由石墨、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、重结晶SiC及化学...

【专利技术属性】
技术研发人员：金桢一，金基源，金锺贤，
申请(专利权)人：韩国东海碳素株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR