具覆盖层间边界线的沉积层的半导体制造用部件制造技术

本发明专利技术涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片等的基板来制造半导体组件的半导体制造用部件及其制造方法，本发明专利技术的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材，包含碳；第一蒸镀层，形成于上述母材：第二蒸镀层，形成于上述第一蒸镀层；以及第三蒸镀层，以覆盖上述第一蒸镀层和上述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于上述第二蒸镀层。

Semiconductor Manufacturing Components with Deposited Layers Covering Interlayer Boundary Lines

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具覆盖层间边界线的沉积层的半导体制造用部件
本专利技术涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片(Wafer)等的基板来制造半导体元件的半导体制造用部件及其制造方法，更详细地，涉及包括多个层并形成覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法。
技术介绍
通常，作为在半导体制造工序中使用的等离子处理工法、干式蚀刻工序中的一种，使用气体来对目标进行蚀刻的方法。向反应容器内注入蚀刻气体并进行离子化之后，向晶片表面加速，来以物理、化学去除晶片表面的工序。上述方法中，蚀刻的调节简单，生产性高，可形成数十nm水平的微细图案，从而广泛使用。为作为了在等离子蚀刻中的均匀的蚀刻而需要考虑的参数(parameter)，需要蚀刻的层的厚度和密度、蚀刻气体的能量及温度、光刻胶的粘结性和晶片表面的状态及蚀刻气体的均匀性等。尤其，使蚀刻气体离子化，使离子化的蚀刻气体在晶片表面加速来执行蚀刻的原动力的高频(RF，Radiofrequency)的调节可成为重要参数，并且，在实际蚀刻过程中，需要考虑直接切简单进行调节的参数。但是，实际上，干式蚀刻装置内，以进行蚀刻的晶片为基准，需要适用具有对于晶片表面整体的均匀能量分布的均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其中，包括：第一蒸镀层；第二蒸镀层，形成于所述第一蒸镀层上；以及第三蒸镀层，以覆盖所述第一蒸镀层与所述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于所述第二蒸镀层上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.20 KR 10-2016-01746151.一种包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其中，包括：第一蒸镀层；第二蒸镀层，形成于所述第一蒸镀层上；以及第三蒸镀层，以覆盖所述第一蒸镀层与所述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于所述第二蒸镀层上。2.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们由多个层形成，所述第三蒸镀层覆盖所述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们的多个层之间的边界线的至少一部分。3.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层及第二蒸镀层各个的结晶粒子大小大于所述第三蒸镀层的结晶粒子大小。4.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层及第二蒸镀层各个的X射线衍射光谱的面(111)的衍射峰值强度与面(200)及面(220)的衍射峰值强度之和之间的比值为0.9至3.5。5.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第三蒸镀层的X射线衍射光谱的面(111)的衍射峰值强度与面(200)及面(220)的衍射峰值强度之和之间的比值为0.05至0.9。6.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第三蒸镀层的X射线衍射光谱的面(111)的衍射峰值强度与面(311)的衍射峰值强度之间的比值为0.05至0.3。7.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层、所述第二蒸镀层及第三蒸镀层各自包含SiC或TaC中的一种以上。8.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层、所述第二蒸镀层及第三蒸镀层的组成相同。9.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第三蒸镀层的厚度为0.7mm至2.5mm。10.如权利要求1所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层和第二蒸镀层的透过率值各不相同。11.如权利要求2所述的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其特征在于，所述第一蒸镀层、第二蒸镀层或它们的多个层的透过率值各不相同。12.如权利要求1所述的包括覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相喆，
申请(专利权)人：韩国东海碳素株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR