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韩国东海碳素株式会社
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具覆盖层间边界线的沉积层的半导体制造用部件制造技术
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文档序号:21693698
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本发明涉及在干式蚀刻工序中,利用晶片等的基板来制造半导体组件的半导体制造用部件及其制造方法,本发明的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件包括:母材,包含碳;第一蒸镀层,形成于上述母材:第二蒸镀层,形成于上述第一蒸镀层;以及第三蒸镀层,...
该专利属于韩国东海碳素株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过韩国东海碳素株式会社授权不得商用。
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