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本发明涉及利用在干式蚀刻工序中利用的半导体制造用部件，本发明的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于上述母材表面，上述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为2:1至100:1。...
该专利属于韩国东海碳素株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过韩国东海碳素株式会社授权不得商用。

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