等离子体产生装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术实施方案的等离子体产生装置包括等离子体产生单元。所述等离子体产生单元具有球形或椭圆形空腔。所述等离子体产生单元通过接收RF功率使电子反弹和共振而在所述空腔中产生等离子体。所述空腔包括等离子体引出孔，使得所述空腔与外部空间连通。

Plasma generator

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体产生装置
本公开涉及一种等离子体产生装置，更具体地，涉及一种具有球形空腔的等离子体产生装置，其中电子相对于空腔进行反弹共振。
技术介绍
使用等离子体的半导体工艺的临界尺寸已经减小。对于目前广泛使用的电容耦合等离子体(CCP：capacitivelycoupledplasma)或电感耦合等离子体(ICP：inductivelycoupledplasma)，难以进行具有减小的临界尺寸的半导体工艺。首先，当使用电容耦合等离子体或电感耦合等离子体时，难以进行原子级精细加工，原因是该过程应在高电子密度下进行。其次，由于高能离子的碰撞和充电而造成损坏。为了解决上述问题，需要一种新型的等离子体处理技术，其具有比常规工艺中的压力显著更低的压力(几毫托(mTorr)或更低)。在韩国专利申请No.10-2013-0142585A中公开了一种空心阴极放电。然而，这种装置在几十毫托或更高的高压下操作，并且需要在较低压力下操作的等离子体源。在韩国专利注册No.10-1352496B1中公开了一种低压等离子体源。然而，这种装置难以进行大面积的处理。
技术实现思路
[技术问题]本公开的一个方面是为了提供一种用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体产生装置，包括等离子体产生单元，其中所述等离子体产生单元具有球形或椭圆形空腔，所述等离子体产生单元接收RF功率，以进行电子的反弹共振，从而在所述空腔中产生等离子体，并且所述空腔具有等离子体引出孔，以与外部空间连通。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.03 KR 10-2017-00005591.一种等离子体产生装置，包括等离子体产生单元，其中所述等离子体产生单元具有球形或椭圆形空腔，所述等离子体产生单元接收RF功率，以进行电子的反弹共振，从而在所述空腔中产生等离子体，并且所述空腔具有等离子体引出孔，以与外部空间连通。2.如权利要求1所述的等离子体产生装置，还包括：寄生放电防止单元，所述寄生放电防止单元设置成覆盖所述等离子体产生单元以防止寄生等离子体的产生、具有与所述等离子体引出孔对齐的辅助孔并且由绝缘材料形成。3.如权利要求1所述的等离子体产生装置，还包括：RF电源，所述RF电源构造成将所述RF功率供给到所述等离子体产生单元，所述RF功率具有与由电子温度和所述空腔的直径给定的反弹共振频率相对应的驱动频率。4.如权利要求1所述的等离子体产生装置，还包括：RF电源，所述RF电源构造成将所述RF功率供给到所述等离子体产生单元，所述RF功率具有与由电子能量和所述空腔的直径给定的反弹共振频率相对应的驱动频率。5.如权利要求2或3所述的等离子体产生装置，其中所述RF电源是变频电源或具有多个驱动频率的电源。6.如权利要求2所述的等离子体产生装置，其中所述等离子体产生单元包括左侧等离子体产生单元和右侧等离子体产生单元，所述左侧等离子体产生单元具有设有所述等离子体引出孔的左侧半球形空腔，所述右侧等离子体产生单元具有与所述左侧半球形空腔对齐的右侧半球形空腔，所述寄生放电防止单元具有圆柱形状，所述寄生放电防止单元的一端的中央设有辅助孔，所述寄生放电防止单元的另一端开口，并且所述等离子体产生装置还包括：圆柱形辅助绝缘部，所述圆柱形辅助绝缘部的一端设置成与所述等离子体产生单元的另一端接触。7.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中所述等离子体产生单元设置在真空腔室内、具有多个球形或椭圆形空腔和形成为分别使所述真空腔室的内部空间与所述空腔连通的等离子体引出孔并且接收所述RF功率以在所述空腔中产生等离子体。8.如权利要求7所述的等离子体产生装置，其中所述等离子体产生单元包括：分别形成在所述空腔的面向所述等离子体引出孔的位置中的气体供给孔；和与所述气体供给孔连通的气体分配空间。9.如权利要求7所述的等离子体产生装置，其中所述等离子体引出孔彼此间隔开，并且在方位角方向和中心轴方向上以规则的间隔周期性地布置。10.如权利要求7所述的等离子体产生装置，还包括：圆柱形处理腔室，所述圆柱形处理腔室与所述真空腔室的开口端连接；基板支架，所述基板支架位于所述处理腔室中并且构造成接收由所述等离子体产生单元产生的自由基；和基板，所述基板设置在所述基板支架上以接收所述自由基，其中所述基板支架具有圆盘形状。11.一种等离子体产生装置，包括：等离子体产生单元，所述等离子体产生单元具有球形或椭圆形空腔和形成为使外部空间与所述空腔连通的等离子体引出孔、接收RF功率以在所述空腔中产生等离子体并且由导电材料形成；寄生放电防止单元，所述寄生放电防止单元设置成覆盖所述等离子体产生单元以防止寄生等离子体的产生、具有与所述等离子体引出孔对齐的辅助孔并且由绝缘材料形成；和RF电源，所述RF电源构造成将RF功率供给到所述等离子体产生单元，所述RF功率具有与由所述空腔中的电子温度和所述空腔的直径给定的反弹共振频率相对应的驱动频率。12.如权利要求11所述的等离子体产生装置，其中所述RF电源是变频电源。13.如权利要求11所述的等离子体产生装置，其中所述等离子体产生单元是圆柱形式，其一端设有所述等离子体引出孔，所述等离子体产生单元包括左侧等离子体产生单元和右侧等离子体产生单元，所述左侧等离子体产生单元具有设有所述等离子体引出孔的左侧半球形空腔，所述右侧等离子体产生单元具有与所述左侧半球形空腔对齐的右侧半球形空腔，所述寄生放电防止单元具有圆柱形状，所述寄生放电防止单元的一端的中央设有辅助孔，所述寄生放...

【专利技术属性】
技术研发人员：李孝昶，金贞衡，成大鎭，
申请(专利权)人：韩国标准科学研究院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR