具有多峰粒度分布的溅射阱制造技术

本发明专利技术公开了形成在溅射室部件的至少一部分上的溅射阱，其具有多个颗粒以及带有至少两种不同分布的粒度分布曲线图。还提供形成溅射阱的方法，所述溅射阱具有带有至少两种不同分布的粒度分布曲线图。

Sputtering Traps with Multi-peak Particle Size Distribution

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多峰粒度分布的溅射阱相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月28日提交的美国专利申请15/824,802的优先权，并且还要求2016年12月15日提交的临时申请号62/434,673的优先权，这两个申请均全文以引用方式并入本文。
本公开涉及在溅射室部件上使用的溅射阱或颗粒阱及其制备方法。更具体地，本公开涉及具有多峰颗粒分布的溅射阱。
技术介绍
物理气相沉积(“PVD”)方法可用于在基材表面上形成材料膜或材料层。PVD方法可在例如半导体制造工艺中用来在制造集成电路结构和装置的过程中形成金属化层。溅射沉积为PVD方法，其中辉光等离子体放电轰击溅射靶，溅射靶释放原子，原子随后沉积到基材上。图1中示出了示例性溅射沉积设备8的一部分的示意图。在一种配置中，溅射靶组件10包括背板12，该背板具有结合到其上的靶14。基材18诸如半导体材料晶片在溅射沉积设备8内并且被设置为与靶14隔开。如图所示，靶14设置在基材18上并且被定位成使得溅射表面16面向基材18。在操作中，溅射材料22从靶14的表面16移位并在基材18上形成薄膜20。在一些实施方案中，合适的基材18包括用于半导体制造的晶片。例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射靶组件，包括：前表面；后表面，所述后表面与所述前表面相反；溅射表面，所述溅射表面位于所述前表面的至少一部分上；凸缘，所述凸缘从所述溅射表面径向延伸；以及溅射阱，所述溅射阱形成在所述凸缘的前表面的至少一部分上，所述溅射阱包括多个颗粒并且具有带有至少两种不同分布的粒度分布曲线图。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.15 US 62/434,673;2017.11.28 US 15/824,8021.一种溅射靶组件，包括：前表面；后表面，所述后表面与所述前表面相反；溅射表面，所述溅射表面位于所述前表面的至少一部分上；凸缘，所述凸缘从所述溅射表面径向延伸；以及溅射阱，所述溅射阱形成在所述凸缘的前表面的至少一部分上，所述溅射阱包括多个颗粒并且具有带有至少两种不同分布的粒度分布曲线图。2.一种在溅射靶组件上形成溅射阱的方法，所述方法包括：将具有第一目尺寸的第一粉末和具有第二目尺寸的第二粉末结合以形成包含多个颗粒的粉末混合物，其中所述第一目尺寸和所述第二目尺寸不同；以及将所述多个颗粒通过冷喷涂技术或热喷涂技术粘附到所述溅射靶组件的至少一部分，其中所粘附的颗粒的粒度分布曲线图具有至少两种不同的分布。3.根据权利要求1所述的溅射靶组件或根据权利要求2所述的方法，其中所述多个颗粒为钛颗粒或钛合金颗粒。4.根据权利要求1所述的溅射靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在研，帕特里克·K·安德伍德，苏珊·D·斯特罗瑟，迈克尔·D·佩顿，斯科特·R·塞尔斯，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：美国,US