【技术实现步骤摘要】
电气保护器件以及电子器件的保护方法本申请是申请日为2015年11月13日、申请号为201510778531.8、专利技术名称为“电气保护器件以及电子器件的保护方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及电气保护器件以及电子器件的保护方法。
技术介绍
众所周知,电子设备中通常会使用保护器件,该保护器件基本上用于避免电流过载以及可能由此引起的任何损坏。非常常用的是传统保险丝,传统保险丝以优异的方式执行保护功能;但是,它们是不可逆的。显然,除非更换了熔断的保险丝,否则受保护器件的完整功能无法恢复。为克服此问题,通常优选的是使用所谓的电子保险丝(电保险丝)。这种类型的器件充分利用功率MOSFET,该功率MOSFET被配置成限制可传递到受保护负载的最大电流。但是通常,过载的开始即会导致功率MOSFET饱和,并且以实质并且永久的方式修改电子保险丝的工作点,至少直到执行重置操作为止。如图1中所示,在实践中,只要功率MOSFET仍在欧姆区中,则随着负载(用I′表示)所需的电流增大,电子保险丝能够提供受限于保护值ITRIP的电流I0。过电流可能将功率MOSFET置于饱和状态下。最大电流有效地受限于保护值ITRIP,但是功率MOSFET仍然处于饱和中,并且电子保险丝可以提供的最大饱和电流ISAT小于保护值ITRIP。为了恢复初始工作条件,在这种情况下,也必须执行重置操作。显而易见,如果受保护的器件的常规工作条件包括介于最大饱和电流ISAT与保护值ITRIP之间的电流,则在电子保险丝跳闸之后,除非执行重置操作,否则无法向受保护的器件适当地供电。
技术实现思路
本专利技术的目 ...
【技术保护点】
1.一种电气保护器件,包括:输入线路;输出端子;功率晶体管,所述功率晶体管耦合在所述输入线路与所述输出端子之间;感测晶体管,所述感测晶体管耦合在所述输入线路与所述输出端子之间,并且具有主体端子;控制级,所述控制级耦合到所述功率晶体管的和所述感测晶体管的相应的控制端子,并且被配置成将所述功率晶体管的第一电流限制于保护值;以及主体驱动级,所述主体驱动级耦合到所述主体端子,并且被配置成:根据所述功率晶体管的操作条件来偏置所述感测晶体管的所述主体端子,以补偿由于所述功率晶体管从欧姆区域操作条件转换到饱和区域操作条件而引发的所述功率晶体管的所述第一电流的下降。
【技术特征摘要】
2015.03.11 IT 1020150000082451.一种电气保护器件,包括:输入线路;输出端子;功率晶体管,所述功率晶体管耦合在所述输入线路与所述输出端子之间;感测晶体管,所述感测晶体管耦合在所述输入线路与所述输出端子之间,并且具有主体端子;控制级,所述控制级耦合到所述功率晶体管的和所述感测晶体管的相应的控制端子,并且被配置成将所述功率晶体管的第一电流限制于保护值;以及主体驱动级,所述主体驱动级耦合到所述主体端子,并且被配置成:根据所述功率晶体管的操作条件来偏置所述感测晶体管的所述主体端子,以补偿由于所述功率晶体管从欧姆区域操作条件转换到饱和区域操作条件而引发的所述功率晶体管的所述第一电流的下降。2.根据权利要求1所述的电气保护器件,其中所述主体驱动级被配置成:根据所述功率晶体管的导电端子之间的电压,来偏置所述感测晶体管的所述主体端子。3.根据权利要求1所述的电气保护器件,其中所述主体驱动级被配置成偏置所述感测晶体管的所述主体端子,以响应于所述功率晶体管从所述欧姆区域操作条件转换到饱和操作条件,而增大所述感测晶体管的阈值电压的绝对值。4.根据权利要求1所述的电气保护器件,其中所述主体驱动级包括:感测网络,所述感测网络提供指示所述输出端子上的输出电压的电压;以及主体驱动放大器,所述主体驱动放大器具有耦合到所述感测网络的输入、以及耦合到所述感测晶体管的所述主体端子的输出。5.根据权利要求4所述的电气保护器件,其中所述主体驱动放大器具有跟随器配置的形式。6.根据权利要求5所述的电气保护器件,其中:所述功率晶体管具有分别连接到所述输入线路和所述输出端子的导电端子;所述感测网络包括电阻器和电流发生器,所述电阻器和所述电流发生器串联在所述输出端子与恒定电势线路之间;并且所述主体驱动放大器的输入连接到介于所述感测电阻器与所述电流发生器之间的中间节点。7.根据权利要求1所述的电气保护器件,其中所述控制级包括控制放大器,所述控制放大器被配置成:根据通过所述感测晶体管的第二电流,来驱动所述功率晶体管和感测晶体管的栅极端子。8.根据权利要求7所述的电气保护器件,其中所述控制级包括:参考电阻性感测元件,所述参考电阻性感测元件耦合在所述感测晶体管与所述输出端子之间;以及参考发生器,所述参考发生器提供参考电压并且具有第一端子,所述第一端子与所述参考电阻性感测元件的第一端子相同;并且其中所述控制放大器具有连接到所述参考电阻性感测元件的第二端子的第一输入端子、以及连接到所述参考发生器的第二端子的第二输入端子。9.根据权利要求1所述的保护器件,其中所述功率晶体管和所述感测晶体管是MOS晶体管,并且其中所述感测晶体管的宽长比小于所述功率晶体管的宽长比。10.一种电子设备,包括:电子器件;以及保护器件,所述保护器件包括耦合到所述电子保护器件的输出节点,所述保护器件进一步包括:输入节点,所述输入节点被配置成接收输入电压;功率晶体管,所述功率晶体管具有耦合在所述输入节点与...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·托雷斯,D·帕蒂,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利,IT
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