有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法及液晶显示装置制造方法及图纸

提供一种能够实现高可靠性的确保和高开口率的技术。有源矩阵基板(10、10a)具备：漏极电极延伸部(4、4a)，其连接到开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及辅助电容电极(5、5a)，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。

Manufacturing method of active matrix substrate and active matrix substrate and liquid crystal display device

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法及液晶显示装置
本专利技术涉及有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法以及液晶显示装置。
技术介绍
近年来，作为显示装置的一个例子的液晶显示装置的高功能化得到推进，对液晶显示装置所要求的性能也越来越高。作为对液晶显示装置所要求的性能，可举出高亮度化、高清晰化、薄型轻量化、低功耗化等。例如，在专利文献1中公开了如下技术：使像素电极与各配线交叠以提高液晶显示装置的开口率，并且通过将高透射率的膜用作层间绝缘膜来有效地利用来自背光源的光。具体地说，在液晶显示装置中，将层间绝缘膜设置在开关元件、栅极配线以及源极配线的上部，将像素电极设置在该层间绝缘膜上，并具有经由贯穿层间绝缘膜的接触孔将像素电极与漏极在栅极配线或附加电容配线上部进行连接的电极。另外，在专利文献2中公开了如下技术：提供一种有源矩阵基板，其能够容易地将氧化物半导体膜用作TFT(薄膜晶体管)的半导体沟道膜，抑制照相制版(制造)工序的次数，且电特性优异。具体地说，是如下有源矩阵基板，其中，多个像素排列成矩阵状，各个像素具备：栅极电极和共用电极、栅极绝缘膜、氧化物透明膜、源极电极和漏极电极、像素电极，氧化物透明膜具有导体区域和半导体区域，导体区域设置在源极电极和漏极电极的下部、以及与漏极电极的下部连续且延伸到共用电极的一部分的上方而构成像素电极的部分，半导体区域设置在与源极电极和漏极电极之间的区域的下层相对应的部分并构成薄膜晶体管的沟道区域，源极电极和漏极电极电连接到氧化物透明膜的导体区域。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2002-189232(2002年7月5日公开)专利文献2：特开2016-18036(2016年2月1日公开)
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述专利文献1、2所记载的技术的情况下，在确保高可靠性并且实现高开口率这方面有改善的余地。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术的一个方式的有源矩阵基板是多个像素排列成矩阵状的有源矩阵基板，上述有源矩阵基板具备：多个栅极配线；多个源极配线，其设置为与上述多个栅极配线交叉；开关元件，其具有连接到上述栅极配线的栅极电极和连接到上述源极配线的源极电极；漏极电极延伸部，其连接到上述开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及辅助电容电极，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。为了解决上述问题，本专利技术的另一个方式的有源矩阵基板的制造方法包含：第1工序，形成辅助电容电极层；第2工序，以覆盖上述辅助电容电极层的方式在该辅助电容电极层上形成栅极绝缘膜层；以及第3工序，以与上述辅助电容电极层的至少一部分重叠的方式在上述栅极绝缘膜层上形成漏极电极延伸部层，上述漏极电极延伸部层由导体化的氧化物半导体形成，上述辅助电容电极层形成为其至少一部分使光透射过。为了解决上述问题，本专利技术的又一个方式的液晶显示装置具备上述有源矩阵基板。专利技术效果根据本专利技术的一个方式，能够提供一种能同时实现高可靠性的确保和高开口率的液晶显示装置。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式1的有源矩阵基板的构成的图。图2是图1的X-X主要部分截面图。图3是示出本专利技术的实施方式2的有源矩阵基板的构成的图。图4是图3的Y-Y主要部分截面图。图5是示出比较例的基板的构成的图。附图标记说明10、10a、20有源矩阵基板(基板)1栅极配线2源极配线3开关元件4、4a、24漏极电极延伸部(漏极电极)5、5a、25辅助电容电极(CS电极)6辅助电容配线7像素电极部8接触孔100各功能层。具体实施方式〔实施方式1〕下面，参照图1～图2来说明本实施方式1。在下面的记载中，开口率是指在将有源矩阵基板应用于液晶显示装置的情况下，显示区域内的透光区域相对于显示区域内的透光区域和遮光区域的总面积的比例。＜有源矩阵基板的构成＞图1是示出本实施方式1的有源矩阵基板10的构成的图。有源矩阵基板10例如用于作为本实施方式的显示装置的一个例子的液晶显示装置。如图1所示，多个像素在有源矩阵基板10上排列成矩阵状。该有源矩阵基板10具备：多个栅极配线1、多个源极配线2、开关元件3、漏极电极延伸部4以及辅助电容电极5。具体地说，栅极配线1将扫描信号提供给下述栅极电极而驱动像素。在本实施方式1中，栅极配线1配置在像素下边。源极配线2设置为与栅极配线1交叉。源极配线2将显示信号(数据信号)提供给下述源极电极。开关元件3具有：上述栅极电极，其连接到栅极配线1；以及上述源极电极，其连接到源极配线2。可举出开关元件3例如包括薄膜晶体管(TFT)，但本专利技术不限于此。漏极电极延伸部4连接到开关元件3的漏极电极，由导体化的氧化物半导体形成。该漏极电极连接到用于形成辅助电容的电极。辅助电容电极5设置为与漏极电极延伸部4的至少一部分重叠，并以至少一部分使光透射过的方式形成。另外，有源矩阵基板10还具备辅助电容配线(也称为辅助电容总线、CS总线)6和像素电极部7。另外，如后所述，也可以设为在有源矩阵基板10上形成有接触孔8的构成。辅助电容电极5连接到配置在像素中央的辅助电容配线6。源极配线2与像素电极部7重叠。此外，如图1所示，本实施方式的漏极电极延伸部4和辅助电容电极5形成为以源极配线2的延伸方向为长边方向的细长矩形状。另外，如图1所示，漏极电极延伸部4和辅助电容电极5形成为跨越辅助电容配线6。为了比较，参照图5来说明比较例。另外，为了便于说明，重点说明比较例的与本实施方式1不同的构成。对于与本实施方式1同样的构成，省略附图标记的标注和说明。图5是示出比较例的基板20的构成的图。如图5所示，基板20具备包括遮光材料的漏极电极24和CS电极25。具体地说，在比较例中，漏极电极24由源极金属形成，CS电极25由栅极金属形成。在本实施方式1中，与开关元件3的漏极电极连接的漏极电极延伸部4由导体化的氧化物半导体形成，以与漏极电极延伸部4的至少一部分重叠的方式设置的辅助电容电极5的至少一部分构成为使光透射过。因此，本实施方式1能够提供能同时实现高可靠性的确保和高开口率的有源矩阵基板10。另外，与比较例进行比较，在本实施方式1中，能不受辅助电容制约地以所需的最低限度的宽度的形状来设计由遮光金属形成的辅助电容配线6。因此，能够不损害有源矩阵基板10的性能地提高其设计自由度。此外，优选辅助电容电极5由透明导电膜(例如ITO(In2O3/SnO2)、IZO(In2O3/ZnO)等)形成。优选漏极电极延伸部4由导体化氧化物半导体(InGaZnO)形成。根据该构成，能更可靠地得到本实施方式1所起到的效果。接下来，参照图2来进一步说明本实施方式1。另外，为了便于说明，仅重点说明本专利技术的构成。图2是图1的X-X主要部分截面图。＜截面构成的概略＞如图2所示，有源矩阵基板10按照制造工序的顺序即图2中的从下到上的顺序例如具备：导电膜层100a和100j；电极层100b和电极层100k；覆盖上述各层的第1绝缘膜层100c；导体化的氧化物半导体层100d和氧化物半导体层100l；漏极配线层100e、源极层100m及电极层100n；覆盖上述漏极配线层100e和源极层100m的第2绝缘层100f；覆盖第2绝缘层100f且贯通该第2绝缘层而覆盖半导体层10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，其中多个像素排列成矩阵状，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：多个栅极配线；多个源极配线，其设置为与上述多个栅极配线交叉；开关元件，其具有连接到上述栅极配线的栅极电极和连接到上述源极配线的源极电极；漏极电极延伸部，其连接到上述开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及辅助电容电极，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。

【技术特征摘要】
2017.12.27 JP 2017-2522041.一种有源矩阵基板，其中多个像素排列成矩阵状，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：多个栅极配线；多个源极配线，其设置为与上述多个栅极配线交叉；开关元件，其具有连接到上述栅极配线的栅极电极和连接到上述源极配线的源极电极；漏极电极延伸部，其连接到上述开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及辅助电容电极，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述辅助电容电极包括透明导电膜。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐家慧，森永润一，小川胜也，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP