薄膜晶体管阵列基板及显示面板制造技术

本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板，采用至少两个高反射介质层且高反射介质层由特定厚度的第一介质层和第二介质层组成以将背光源发出的波长为420纳米‑520纳米的可见光反射至背光源所在侧以避免可见光照射至有源层而产生光生载流子，同时由于高反射介质层为非导电，故不会与薄膜晶体管阵列基板上导电层形成寄生电容。

Thin Film Transistor Array Substrate and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及显示面板
本申请涉及薄膜晶体管
，尤其涉及薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
技术介绍
铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide,IGZO)底栅薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)的研究日趋成熟，其背沟道在等离子切割机环境时容易受到影响而损伤，如干刻蚀(DryEtching)。铟镓锌氧化物顶栅(TopGate)TFT不存在背沟道刻蚀损伤问题，一方面，栅介质位于有源层(铟镓锌氧化物层)上方起到了保护作用，另一方面，铟镓锌氧化物顶栅TFT通过正面曝光和干刻蚀实现了自对准，不存在交叠区域，工艺简单。然而，采用顶栅TFT结构的LCD，有源层容易受到背光照射的影响，其光生载流子影响TFT特性，可靠性也随着光照强度增加和时间延长而大幅衰减，尤其是需要采用更高迁移率有源层时，光照射有源层的问题使得部分顶栅TFT结构设计采用了遮光层，即在有源层的下方先沉积一层金属进行遮光处理，再沉积绝缘缓冲(Buffer)层。但是，金属遮光层容易与TFT中金属遮光层上方的导电层构造出电容结构，导致寄生电容的增大，影响TFT器件性能。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板，该薄膜晶体管阵列基板的非导电遮光层能起到反射可见光作用的同时不会与薄膜晶体管阵列基板上的导电层产生寄生电容。为实现上述目的，技术方案如下。一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一基板；于所述基板上形成的非导电遮光层，所述非导电遮光层包括至少两个高反射介质层，所述高反射介质层包括第一介质层和第二介质层且所述第一介质层设置于靠近所述基板的一侧，所述第一介质层对可见光的折射率大于所述第二介质层和所述基板对可见光的折射率，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为30纳米-90纳米，或，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为105纳米-130纳米；于所述非导电遮光层上方形成的有源层；于所述有源层上方形成的导电层；所述可见光的波长为420纳米-520纳米。在上述薄膜晶体管阵列基板中，非导电遮光层为四个所述高反射介质层。在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为氧化硅层。在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一介质层的厚度为60纳米-80纳米，所述第二介质层的厚度为60纳米-80纳米。在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一介质层的厚度为60纳米，所述第二介质层的厚度为70纳米。在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一介质层为二氧化钛层，所述第二介质层为氧化硅层。在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一介质层的厚度为30纳米-60纳米，所述第二介质层的厚度为80纳米-90纳米。在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一介质层的厚度为45纳米，所述第二介质层的厚度为90纳米。在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一介质层的厚度为105纳米-130纳米，所述第二介质层的厚度为105纳米-130纳米。一种显示面板，所述显示面板包括上述薄膜晶体管阵列基板。有益效果：本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板，采用至少两个高反射介质层且高反射介质层由特定厚度的第一介质层和第二介质层组成以将背光源发出的420纳米-520纳米的可见光反射至背光源所在侧以避免可见光照射至有源层而产生光生载流子，同时由于高反射介质层为非导电的，故不会与薄膜晶体管阵列基板上的导电层形成寄生电容。附图说明图1为本申请第一实施例薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图2为图1中薄膜晶体管阵列基板中非导电遮光层的结构示意图；图3为液晶显示器的背光源的光谱图；图4A-4C为非导电遮光层包括四个高反射介质层时对不同波长的光的反射率图，其中，高反射介质层包括不同厚度的氧化硅层和不同厚度的氮化硅层；图5为非导电遮光层包括四个高反射介质层时对不同波长的光的反射率图，其中，高反射介质层包括不同厚度的二氧化钛层和90纳米的二氧化硅层；图6A-6B为非导电遮光层包括至少两个高反射介质层时对不同波长的光的反射率图，其中，高反射介质层包括第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层的厚度均为120纳米。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板包括：一基板；于基板上形成的非导电遮光层，非导电遮光层包括至少两个高反射介质层，高反射介质层包括第一介质层和第二介质层且第一介质层设置于靠近基板的一侧，第一介质层对可见光的折射率大于第二介质层和基板对可见光的折射率，第一介质层和第二介质层的厚度均为30纳米-90纳米，或，第一介质层和第二介质层的厚度均为105纳米-130纳米；于非导电遮光层上方形成的有源层；于有源层上方形成的导电层；可见光的波长为420纳米-520纳米。本申请采用至少两个高反射介质层且高反射介质层由特定厚度的第一介质层和第二介质层组成以将背光源发出波长为420纳米-520纳米的可见光反射至背光源所在侧以避免可见光照射至有源层而产生光生载流子，同时由于高反射介质层为非导电，故不会与薄膜晶体管阵列基板上的导电层形成寄生电容。以下结合具体实施例对上述方案进行描述。实施例1如图1及图2所示，图1为本申请第一实施例薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，图2为图1所示薄膜晶体管阵列基板中非导电遮光层的结构示意图，薄膜晶体管阵列基板包括：一基板10；于基板10上方形成的非导电遮光层11，非导电遮光层11包括至少两个高反射介质层110，高反射介质层110包括第一介质层1101和第二介质层1102且第一介质层1101设置于靠近基板10的一侧，第一介质层1101对可见光的折射率大于第二介质层1102和基板10对可见光的折射率，第一介质层1101的厚度为30纳米-90纳米和第二介质层1102的厚度为30纳米-90纳米；于非导电遮光层11上方形成的有源层12；于有源层12上方形成的导电层13；可见光的波长为420纳米-520纳米。在本实施例中，基板10为透明玻璃基板。在本实施例中，第一介质层对可见光的折射率大于1.8，第二介质层对可见光的折射率大于1且小于1.6。具体地，如图2所示，非导电遮光层11包括四个层叠设置的高反射介质层110，第一介质层1101为氮化硅层，第二介质层1102为氧化硅层，第一介质层1101的厚度为60纳米-80纳米，第二介质层1102的厚度为60纳米-80纳米。在本实施例中，有源层12具有沟道区121、源极接触区122以及漏极接触区123，源极接触区122和漏极接触区23分别位于沟道区121相对的两侧。沟道区121和非导电遮光层11在基板10上的垂直投影完全重合，如此，一方面非导电层遮光层11可以将背光源的光反射至背光源侧而不至于射入至沟道区121，另一方面，可以最小化非导电遮光层11所覆盖的区域，避免影响光在其他区域的透射。有源层12可以为多晶硅、单晶硅或者金属氧化物半导体，金属氧化物半导体包括但不限于铟镓鋅氧化物。在本实施例中，导电层13位于有源层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一基板；于所述基板上形成的非导电遮光层，所述非导电遮光层包括至少两个高反射介质层，所述高反射介质层包括第一介质层和第二介质层且所述第一介质层设置于靠近所述基板的一侧，所述第一介质层对可见光的折射率大于所述第二介质层和所述基板对可见光的折射率，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为30纳米‑90纳米，或，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为105纳米‑130纳米；于所述非导电遮光层上方形成的有源层；于所述有源层上方形成的导电层；所述可见光的波长为420纳米‑520纳米。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一基板；于所述基板上形成的非导电遮光层，所述非导电遮光层包括至少两个高反射介质层，所述高反射介质层包括第一介质层和第二介质层且所述第一介质层设置于靠近所述基板的一侧，所述第一介质层对可见光的折射率大于所述第二介质层和所述基板对可见光的折射率，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为30纳米-90纳米，或，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为105纳米-130纳米；于所述非导电遮光层上方形成的有源层；于所述有源层上方形成的导电层；所述可见光的波长为420纳米-520纳米。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述非导电遮光层包括四个所述高反射介质层。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为氧化硅层。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈黎暄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44