【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及显示装置,并且更具体地,涉及能够实现低功耗的显示装置。
技术介绍
已经开发出作为信息和通信时代的核心技术并且用于将各种类型的信息显示在屏幕上的图像显示装置,使得图像显示装置更薄、更轻、便携并表现出高性能。结果,具有比阴极射线管(CRT)低的质量和体积的平板显示装置已经受到了极大关注。此平板显示装置的代表性示例可以包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置、有机发光显示(OLED)装置和电泳显示(ED)装置。随着个人电子装置的积极发展,已经开发出便携式和/或可穿戴的平板显示装置。为了被应用于便携式和/或可穿戴的装置,需要能够实现低功耗的显示装置。然而,迄今为止开发的显示装置难以实现低功耗。
技术实现思路
因此,本专利技术涉及基本上消除了由于现有技术的限制和不足而导致的一个或更多个问题的显示装置。本专利技术的目的是提供能够实现低功耗的显示装置。本专利技术的额外优点、目的和特征将在随后的描述中部分阐述,并且对于阅读了下文后的本领域的普通技术人员而言将部分变得显而易见,或者可以通过本专利技术的实践而得知。可以通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本专利技术的目的和其它优点。为了实现这些目的和其它优点并且按照本专利技术的目的,如本文中体现和广义描述的,一种显示装置包括在显示区中的具有多晶半导体层的第一薄膜晶体管和在显示区中的具有氧化物半导体层的第二薄膜晶体管,由此实现了低功耗,其中,设置在弯曲区中的至少一个开口与设置在所述显示区中的多个接触孔中的一个接触孔具有相同的深度,由此通过同一工艺形成开口和接触孔,因此 ...
【技术保护点】
1.一种显示装置,该显示装置包括:基板,该基板具有显示区和弯曲区;第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管设置在所述显示区中,所述第一薄膜晶体管具有第一半导体层、第一源电极和第一漏电极;第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管设置在所述显示区中,所述第二薄膜晶体管具有第二半导体层、第二源电极和第二漏电极;第一源极接触孔和第一漏极接触孔,该第一源极接触孔和第一漏极接触孔是穿过在所述第一源电极和所述第一漏电极中的对应的那个电极和所述第一半导体层之间设置的至少一层无机介电膜形成的;第二源极接触孔和第二漏极接触孔,该第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔是穿过在所述第二源电极和所述第二漏电极中的对应的那个电极和所述第二半导体层之间设置的至少一层无机介电膜形成的;以及至少一个开口,该至少一个开口设置在所述弯曲区中,所述至少一个开口与所述第一源极接触孔、所述第一漏极接触孔、所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔中的至少一个具有相同的深度。
【技术特征摘要】
2017.12.19 KR 10-2017-01750821.一种显示装置,该显示装置包括:基板,该基板具有显示区和弯曲区;第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管设置在所述显示区中,所述第一薄膜晶体管具有第一半导体层、第一源电极和第一漏电极;第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管设置在所述显示区中,所述第二薄膜晶体管具有第二半导体层、第二源电极和第二漏电极;第一源极接触孔和第一漏极接触孔,该第一源极接触孔和第一漏极接触孔是穿过在所述第一源电极和所述第一漏电极中的对应的那个电极和所述第一半导体层之间设置的至少一层无机介电膜形成的;第二源极接触孔和第二漏极接触孔,该第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔是穿过在所述第二源电极和所述第二漏电极中的对应的那个电极和所述第二半导体层之间设置的至少一层无机介电膜形成的;以及至少一个开口,该至少一个开口设置在所述弯曲区中,所述至少一个开口与所述第一源极接触孔、所述第一漏极接触孔、所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔中的至少一个具有相同的深度。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个开口包括:第一开口,该第一开口的深度与所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔相同;以及第二开口,该第二开口的深度比所述第一源极接触孔和所述第一漏极接触孔大。3.根据权利要求2所述的显示装置,该显示装置还包括:上层间介电膜,该上层间介电膜设置在所述第二源电极和所述第二漏电极中的每一个和所述第二半导体层之间;以及下栅极介电膜、第一下层间介电膜、第二下层间介电膜以及上缓冲层,该下栅极介电膜、第一下层间介电膜、第二下层间介电膜以及上缓冲层依次层叠在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间,其中,所述第一源极接触孔和所述第一漏极接触孔是穿过所述下栅极介电膜、所述第一下层间介电膜、所述第二下层间介电膜、所述上缓冲层和所述上层间介电膜形成的,以便暴露所述第一半导体层,并且所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔是穿过所述上层间介电膜形成的,以便暴露所述第二半导体层。4.根据权利要求3所述的显示装置,该显示装置还包括:多缓冲层,该多缓冲层设置在所述基板上;以及下缓冲层,该下缓冲层设置在所述多缓冲层上,其中,所述第一开口是穿过设置在所述弯曲区中的所述上层间介电膜形成的,所述第二开口是穿过设置在所述弯曲区中的所述多缓冲层、所述下缓冲层、所述下栅极介电膜、所述第一下层间介电膜、所述第二下层间介电膜和所述上缓冲层形成的,并且所述弯曲区中的所述基板通过所述第一开口和所述第二开口暴露。5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一源电极和所述第二源电极与所述第一漏电极和所述第二漏电极形成在同一平面中即形成在所述上层间介电膜上,并且由与所述第一漏电极和所述第二漏电极相同的材料制成。6.根据权利要求3所述的显示装置,该显示装置还包括:存储下电极,该存储下电极设置在所述下栅极介电膜上;以及存储上电极,该存储上电极与所述存储下电极在其间设置有所述第一下层间介电膜的状态下交叠,其中,所述存储下电极与所述第一薄膜晶体管的第一栅电极形成在同一平面中,并且由与所述第一栅电极相同的材料制成。7.根据权利要求3所述的显示装置,该显示装置还包括:有机发光器件,该有机发光器件与所述第二薄膜晶体管连接;低电位供给线,该低电位供给线与所述有机发光器件的阴极连接;以及高电位供给线,该高电位供给线与所述低电位供给线交叠地设置,其中,所述低电位供给线或所述高电位供给线中的至少一个被设置成网状。8.根据权利要求7所述的显示装置,该显示装置还包括:第一平整层,该第一平整层设置在所述上层间介电膜上;像素连接电极,该像素连接电极在所述第一平整层上设置成与所述第二源电极接触;以及第二平整层,该第二平整层被设置成覆盖所述像素连接电极。9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述低电位供给线包括彼此交叉的第一低电位供给线和第二低电位供给线,并且所述高电位供给线包括第一高电位供给线和第二高电位供给线,所述第一高电位供给线与所述第一低电位供给线平行设置,所述第二高电位供给线与所述第二低电位供给线在其间设置有所述第一平整层的状态下交叠。10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二低电位供给线与所述像素连接电极形成在同一平面中,并且由与所述像素连接电极相同的材料制成,并且所述第二高电位供给线与所述第二源电极和所述第二漏电极形成在同一平面中,并且由与所述第二源电极和所述第二漏电极相同的材料制成。11.根据权利要求8所述的显示装置,该显示装置还包括:信号链路,该信号链路在通过所述至少一个开口暴露的所述弯曲区中的所述基板上被设置成接触所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员:林京男,郑裕澔,金东瑛,
申请(专利权)人:乐金显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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