排气装置、处理装置以及排气方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。

Exhaust device, treatment device and exhaust method

【技术实现步骤摘要】
排气装置、处理装置以及排气方法
本专利技术涉及排气装置、处理装置以及排气方法。
技术介绍
在半导体制造中，对于在真空气氛的处理室中对被处理体进行处理的处理装置，为了将处理室控制成预定的压力，设置有排气装置。对于所使用的排气装置，提出了各种类型(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-183037号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题若处理室的压力存在偏差，则被处理体的处理变得不均匀，因此，优选排气装置安装于处理室的压力不产生偏差的位置。例如，若将排气装置安装于在处理装置的侧壁或底部的外周侧设置的排气口，则沿着横向、外周方向进行排气的抽吸。因此，排气空间的压力产生偏差，其结果，在处理室中也有时产生压力的偏差。然而，在处理装置之下有时配置高频电源、供电棒等、或设置被处理体的调温用的冷却气体用的配管、制冷剂用的配管等。因此，需要配置这些设备的空间，有时难以在处理室的压力难以产生偏差的处理装置的中央下的位置配置排气装置。针对上述问题，在一方面，本专利技术的目的在于减少处理室的压力的偏差。用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据一技术方案，提供一种排气装置，其具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。根据另一技术方案，提供一种处理装置，该处理装置具备排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。根据另一技术方案，提供一种排气方法，处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理，在该处理容器的排气空间中，使同轴地配置到比被处理体靠外周侧的位置的第1叶片构件和第2叶片构件中的至少一者进行旋转，利用与所述排气空间连通且配置到所述第1叶片构件和所述第2叶片构件的下游侧的排气部进行所述处理容器内的排气，基于预定的条件，使进行旋转的所述第1叶片构件和所述第2叶片构件中的至少一者的每单位时间的转速变化。根据另一技术方案，提供一种排气方法，在具有将处理容器隔离成多个处理室的壁的处理容器的排气空间中，所述处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理，分别针对同轴地配置于载置到所述多个处理室内的多个被处理体各自的外周侧的第1叶片构件和第2叶片构件的组，使该第1叶片构件和该第2叶片构件中的至少一者进行旋转，对所述多个处理室的压力进行测量，根据所测量的所述多个处理室的压力对各处理室的所述第1叶片构件和所述第2叶片构件中的至少一者的旋转分别独立地进行控制。专利技术的效果根据一方面，能够减少处理室的压力的偏差。附图说明图1是表示一实施方式的处理装置的一个例子的图。图2是表示图1的A1-A1截面和A2-A2截面的图。图3是表示图1的B-B截面的图。图4是表示一实施方式的变形例的处理装置的一个例子的图。图5是表示一实施方式的排气处理的一个例子的流程图。图6是表示一实施方式的输入和输出时的晶圆的输送的一个例子的图。图7是表示一实施方式的输入和输出时的晶圆的输送的一个例子的图。图8是表示一实施方式的输入和输出时的晶圆的输送的一个例子的图。图9是表示一实施方式的输入和输出时的晶圆的输送的一个例子的图。附图标记说明1、处理装置；3、排气机构；10、处理容器；12、13、载置台；14、15、高频电源；16、气体供给部；17、18、排气空间；19、APC；20、涡轮分子泵；21、22、挡板；23、24、气体喷头；26、27、供电棒；28、输入输出口；29、壁；30、32、动叶片；30a、第1叶片；30b、第1基材；31、33、静叶片；31a、第2叶片；31b、第2基材；40、41、屏蔽构件；50、控制部；101、102、处理室。具体实施方式以下，参照附图对用于实施本专利技术的技术方案进行说明。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。[处理装置的整体结构]首先，对本专利技术的一实施方式的分批型的处理装置和比较例的分批型的处理装置进行比较来进行说明。图1的(a)是比较例的分批型的处理装置9的一个例子，图1的(b)是本专利技术的一实施方式的分批型的处理装置1的一个例子。比较例的分批型的处理装置9和本实施方式的分批型的处理装置1是能够对多个半导体晶圆W(以下，称为“晶圆”)同时进行处理的装置。处理装置1和处理装置9具有由例如表面被铝阳极化处理(阳极氧化处理)后的铝形成的圆筒形的处理容器10。处理容器10接地。处理容器10利用圆筒状的壁29将对晶圆W进行处理的处理空间隔离成多个处理室。在本例中，利用4个圆筒状的壁29，除了设置处理室101、102之外，还设置有两个处理室，能够同时处理4张晶圆W。不过，处理室的数量并不限于4个。另外，出于说明的便利，以下，对两个处理室101、102的结构进行说明，不进行存在于本实施方式的处理装置1的剩余的两个处理室的结构的说明，但设为与处理室101、102具有相同构造和相同功能。对图1的(a)的比较例的处理装置9与图1的(b)的本实施方式的处理装置1的不同点进行说明。第一个不同点在于，图1的(b)的本实施方式的处理装置1在比载置晶圆W的载置台12、13靠下侧的排气空间17、18具有排气机构3，相对于此，图1的(a)的比较例的处理装置9在排气空间17、18不具有排气机构。排气机构3在处理室101具有动叶片30和静叶片31的组，在处理室102具有动叶片32和静叶片33的组。第二个不同点在于，在比较例的处理装置9具有将排气空间17、18和处理空间(处理室101、102)分隔的挡板21、22，相对于此，在本实施方式的处理装置1不具有挡板。不过，本实施方式的处理装置1也可以具有挡板。其他的结构相同，若简单地说明，在载置台12、13分别载置有晶圆W。在处理容器10的顶部的与载置台12、13相对的位置，设置有用于向处理容器10内导入处理气体的气体喷头23、24。处理气体被从气体供给部16导入气体喷头23、24。处理气体被从设置到气体喷头23、24的下表面的许多气体喷出孔23a、24a向处理室101、102内呈喷淋状导入。在载置台12、13连接有供电棒26、27，还经由匹配电路连接有高频电源14、15。通过从高频电源14、15向载置台12、13供给高频电力，在处理室101、102内生成处理气体的等离子体，利用该等离子体，对晶圆W实施蚀刻等处理。此外，高频电源14、15既可以对作为下部电极发挥功能的载置台12、13施加预定的高频电力，也可以对作为上部电极发挥功能的气体喷头23、24施加预定的高频电力。在处理容器10的侧壁设置有用于输入输出晶圆W的输入输出口28。另外，在隔离多个处理室的壁29设置有晶圆W的输入输出口35。在载置台12、13的下方，处理容器10呈筒状向处理室本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种排气装置，其具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。

【技术特征摘要】
2017.12.05 JP 2017-2331521.一种排气装置，其具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。2.根据权利要求1所述的排气装置，其中，在所述排气机构的上游侧设置有挡板，该挡板将所述处理容器内分隔成所述处理空间和所述排气空间，且形成有多个贯通孔。3.根据权利要求2所述的排气装置，其中，多个所述挡板以预定的间隔平行地设置。4.根据权利要求3所述的排气装置，其中，多个所述挡板中的至少一者设置成能够上下运动或能够旋转。5.根据权利要求1～4中任一项所述的排气装置，其中，所述第1叶片构件在具有包围被处理体的外缘的空间的第1基材朝外地设置有多个第1叶片，所述第2叶片构件在具有包围所述第1叶片构件的外缘的空间的第2基材朝内地设置有多个第2叶片。6.根据权利要求5所述的排气装置，其中，所述第1叶片和所述第2叶片交替地设置成多层。7.一种处理装置，其具备排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。8.根据权利要求7所述的处理装置，其中，所述第1叶片构件在具有包围被处理体的外缘的内部空间的第1基材朝外地设置有多个第1叶片，所述第2叶片构件在具有包围所述第1叶片构件的内部空间的第2基材朝内地设置有多个第2叶片，供被处理体载置的载置台的下方利用所述载置台和贯穿所述第1基材的内部空间和所述第2基材的内部空间贯通的所述处理容器成为大气空间。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：永关一也，茂山和基，松田俊也，古谷直一，大下辰郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP