共模滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种共模滤波器。在使一对导线中途交叉的共模滤波器中，进一步提高反射特性。具备沿着相同方向卷绕于卷芯部(23)的导线(W1、W2)。卷芯部(23)包含卷绕区域(A1、A2)和位于其间的卷绕区域(A3)。导线(W1、W2)构成分别卷绕于卷绕区域(A1、A2)的卷绕块(B1、B2)，导线(W1)和导线(W2)在卷绕区域(A3)相互交叉。卷绕块(B1)中的卷绕层(S1)的匝数与卷绕层(S2)的匝数的差比卷绕块(B2)中的卷绕层(S1)的匝数与卷绕层(S2)的匝数的差多。根据本发明专利技术，与卷绕块(B1)和卷绕块(B2)为完全对称形状的情况相比，产生于导线(W1、W2)间的电容成分的附加方式变化。通过该变化缓和了不平衡，其结果，改善了反射特性。

Common-mode filter

【技术实现步骤摘要】
共模滤波器
本专利技术涉及一种共模滤波器，特别是涉及一对导线在中途交叉的类型的共模滤波器及其制造方法。
技术介绍
共模滤波器作为用于除去与差分信号线路重叠的共模噪声的元件，广泛用于便携式电子设备或车载用LAN等许多电子设备中。近年来，代替使用了环型磁芯的共模滤波器，主流是使用了能够进行表面安装的鼓型磁芯的共模滤波器(参照专利文献1)。专利文献1所记载的共模滤波器通过使一对导线在中途交叉，从而提高高频区域中的差分信号的对称性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-199904号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，当使导线在中途交叉时，一对导线的位置关系颠倒，因此，为了将其恢复到原来，需要使导线再一次交叉。而且，当将这样的第二次交叉在导线的端部附近进行时，会产生一对导线在一端部交叉且一对导线在另一端部未交叉的差异，根据情况判明了这会成为使反射特性(回波损耗)恶化的原因。因此，本专利技术的目的在于在使一对导线在中途交叉的共模滤波器中进一步提高反射特性。用于解决课题的技术方案本专利技术所涉及的共模滤波器，其特征在于，具备：卷芯部和沿着相同方向卷绕于卷芯部的第一及第二导线，卷芯部包含：位于轴向的一端侧的第一卷绕区域、位于轴向的另一端侧的第二卷绕区域、和位于第一及第二卷绕区域之间的第三卷绕区域，第一及第二导线构成卷绕于第一卷绕区域的第一卷绕块和卷绕于第二卷绕区域的第二卷绕块，第一导线和第二导线在第三卷绕区域中相互交叉，第一及第二卷绕块具有位于下层的第一卷绕层和位于第一卷绕层的上层的第二卷绕层，第一卷绕块中的第一卷绕层的匝数与第二卷绕层的匝数的差比第二卷绕块中的第一卷绕层的匝数与第二卷绕层的匝数的差多。根据本专利技术，与第一卷绕块和第二卷绕块为完全对称形状的情况相比，产生于第一导线与第二导线之间的电容成分的附加方式变化。具体的机理不明确，但通过该变化，即使是存在一对导线在一端部交叉，且一对导线在另一端部未交叉这样的差异的情况下，也可以缓和该差异引起的不平衡，其结果，可以改善反射特性。本专利技术中，第一卷绕块也可以包含：第一及第二导线的一方位于第一卷绕层，且第一及第二导线的另一方位于第二卷绕层的第一层次部；和第一及第二导线均位于第一卷绕层的非层次部。由此，通过调整非层次部的匝数，可以使反射特性变化。本专利技术中，第二卷绕块也可以包含：第一及第二导线的一方位于第一卷绕层，且第一及第二导线的另一方位于第二卷绕层的第二层次部。由此，第一卷绕块与第二卷绕块的对称性变高，因此，可以得到良好的高频特性。本专利技术中，第一层次部的匝数和第二层次部的匝数也可以相等。由此，将第一及第二导线交叉的部分作为对称轴，第一层次部和第二层次部成为对称形状，因此，可以得到更优异的高频特性。本专利技术中，也可以在第一层次部中，第一导线位于第一卷绕层，且第二导线位于第二卷绕层，在第二层次部中，第一导线位于第二卷绕层，且第二导线位于第一卷绕层。由此，可以缩小第一导线与第二导线的长度的差。本专利技术所涉及的共模滤波器也可以进一步具备：第一凸缘部，其设置于卷芯部的轴向的一端；第二凸缘部，其设置于卷芯部的轴向的另一端；第一及第二端子电极，其设置于第一凸缘部，且分别连接有第一及第二导线的一端；和第三及第四端子电极，其设置于第二凸缘部，且分别连接有第一及第二导线的另一端，非层次部位于第一及第二导线的一端与第一层次部之间。由此，可以使第一及第二导线的一端附近的电容成分的附加方式变化。本专利技术中，对于非层次部的匝数，也可以第一及第二导线均为1匝，且以相互顺沿的方式卷绕。由此，可以改善10MHz～400MHz的频带中的反射特性。本专利技术中，也可以第一导线和第二导线不在第一卷绕块交叉，第一导线和第二导线在第二卷绕块交叉。由此，在第二及第三卷绕区域中，导线分别交叉，因此，可以使一端侧的一对导线的位置关系与另一端侧的一对导线的位置关系一致。本专利技术中，在第二卷绕块中，也可以第一导线和第二导线在最接近第一及第二导线的另一端的最终匝交叉。由此，第一卷绕块和第二卷绕块的对称性变高，因此，可以得到良好的高频特性。专利技术的效果这样，根据本专利技术，可以提高使一对导线在中途交叉的共模滤波器的反射特性。附图说明图1是表示本专利技术的优选的实施方式的共模滤波器10的外观的大致立体图；图2是用于更详细地说明第一及第二导线W1、W2的卷绕布局的示意图；图3是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝交叉的情形的示意图；图4是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝交叉的情形的另一示意图；图5是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝交叉的情形的又一示意图；图6是用于说明比较例的共模滤波器10X的卷绕布局的示意图；图7是表示实施方式的共模滤波器10和比较例的共模滤波器10X的反射特性(Sdd11特性)的图表；图8是用于说明第一变形例的共模滤波器10A的卷绕布局的示意图；图9是用于说明第二变形例的共模滤波器10B的卷绕布局的示意图；图10是用于说明第三变形例的共模滤波器10C的卷绕布局的示意图；图11是用于说明第四变形例的共模滤波器10D的卷绕布局的示意图；图12是用于说明第五变形例的共模滤波器10E的卷绕布局的示意图。符号的说明：10、10A～10E、10X共模滤波器20鼓型磁芯21第一凸缘部22第二凸缘部21b、22b安装面21s、22s外侧面21t、22t上表面23卷芯部30板状磁芯41第一端子电极42第二端子电极43第三端子电极44第四端子电极A1第一卷绕区域A2第二卷绕区域A3第三卷绕区域B1第一卷绕块B2第二卷绕块L1第一层次部L2第二层次部NL非层次部S1第一卷绕层S2第二卷绕层W1第一导线W2第二导线具体实施方式以下，一边参照附图，一边详细地说明本专利技术的优选的实施方式。图1是表示本专利技术的优选的实施方式的共模滤波器10的外观的大致立体图。如图1所示，本实施方式的共模滤波器10具备：鼓型磁芯20、板状磁芯30、第一～第四端子电极41～44、第一及第二导线W1、W2。鼓型磁芯20及板状磁芯30由Ni-Zn系铁氧体等导磁率比较高的磁性材料构成。另外，第一～第四端子电极41～44是由铜等的良导体构成的金属零件。第一～第四端子电极41～44也可以在鼓型磁芯20上直接烧接银浆等。鼓型磁芯20具有：第一凸缘部21、第二凸缘部22、和设置于它们之间的卷芯部23。卷芯部23具有将x方向设为轴向，在其两端分别设置第一及第二凸缘部21、22，且它们一体化而成的结构。板状磁芯30粘接于凸缘部21、22的上表面21t、22t。凸缘部21、22的上表面21t、22t构成xy平面，其相反侧的面用作安装面21b、22b。而且，第一及第二端子电极41、42设置于第一凸缘部21的安装面21b及外侧面21s，第三及第四端子电极43、44设置于第二凸缘部22的安装面22b及外侧面22s。外侧面21s、22s构成yz面。第一～第四端子电极41～44的固定通过粘接剂等进行。第一及第二导线W1、W2沿着相同方向卷绕于卷芯部23。而且，第一导线W1的一端及另一端分别连接于第一及第三端子电极41、43，第二导线W2的一端及另一端分别连接于第二及第四端子电极42、44。第一及第二导线W1、W2的匝数彼此相同。如图1所示，鼓型磁芯20的卷芯部23包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共模滤波器，其特征在于，具备：卷芯部；和沿着相同方向卷绕于所述卷芯部的第一及第二导线，所述卷芯部包含：位于轴向的一端侧的第一卷绕区域、位于所述轴向的另一端侧的第二卷绕区域、和位于所述第一及第二卷绕区域之间的第三卷绕区域，所述第一及第二导线构成卷绕于所述第一卷绕区域的第一卷绕块和卷绕于所述第二卷绕区域的第二卷绕块，所述第一导线和所述第二导线在所述第三卷绕区域中相互交叉，所述第一及第二卷绕块具有位于下层的第一卷绕层和位于所述第一卷绕层的上层的第二卷绕层，所述第一卷绕块中的所述第一卷绕层的匝数与所述第二卷绕层的匝数的差比所述第二卷绕块中的所述第一卷绕层的匝数与所述第二卷绕层的匝数的差多。

【技术特征摘要】
2018.01.05 JP 2018-0007501.一种共模滤波器，其特征在于，具备：卷芯部；和沿着相同方向卷绕于所述卷芯部的第一及第二导线，所述卷芯部包含：位于轴向的一端侧的第一卷绕区域、位于所述轴向的另一端侧的第二卷绕区域、和位于所述第一及第二卷绕区域之间的第三卷绕区域，所述第一及第二导线构成卷绕于所述第一卷绕区域的第一卷绕块和卷绕于所述第二卷绕区域的第二卷绕块，所述第一导线和所述第二导线在所述第三卷绕区域中相互交叉，所述第一及第二卷绕块具有位于下层的第一卷绕层和位于所述第一卷绕层的上层的第二卷绕层，所述第一卷绕块中的所述第一卷绕层的匝数与所述第二卷绕层的匝数的差比所述第二卷绕块中的所述第一卷绕层的匝数与所述第二卷绕层的匝数的差多。2.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，所述第一卷绕块包含：所述第一及第二导线的一方位于所述第一卷绕层，且所述第一及第二导线的另一方位于所述第二卷绕层的第一层次部；和所述第一及第二导线均位于所述第一卷绕层的非层次部。3.如权利要求2所述的共模滤波器，其特征在于，所述第二卷绕块包含：所述第一及第二导线的一方位于所述第一卷绕层，且所述第一及第二导线的另一方位于所述第二卷绕层的第二层次部。4.如权利要求3所述的共模滤波器，其特征在于，所述第一层次部的匝数与所述第二层次部的匝数相等。5.如权利要求3所述的共模滤波器，其特征在于，在所述第一层次部中，所述第一导线位于所述第一卷绕层，且所述第二导线位于所述第二卷绕层，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅井雄悟，小林努，占部大辅，铃木宽，伊藤惠美，友成寿绪，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP