【技术实现步骤摘要】
存储卡和包括该存储卡的电子设备相关申请的交叉引用本申请要求2018年1月4日提交至韩国知识产权局的No.10-2018-0001384的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用合并于此。
本专利技术构思涉及一种存储卡和包括存储卡的电子设备,更具体地,涉及一种可以改善区域的利用并且能够实现稳定供电的存储卡以及包括存储卡的电子设备。
技术介绍
因为存储卡能够简单地存储大量信息并且是便携式的,所以存储卡已经广泛用于诸如移动电话、笔记本计算机等的电子设备中。存储卡具有各种尺寸以满足不同需求。已经开发出具有更小尺寸、更快存储速度和更大存储容量的存储卡,并将其投放市场以应对高速、小型化和高容量的需求。然而,用于更快存储速度的存储器规格以及实现稳定供电、高速操作、同时保持紧凑尺寸的方法已经落伍。
技术实现思路
本专利技术构思提供了一种存储卡,其可以改善区域的使用并且能够实现稳定的电力供应。本专利技术构思提供了一种包括存储卡的电子设备,其可以改善区域的使用并且能够实现稳定的电力供应。根据本专利技术构思的一个方面,提供一种包括基板、第一行端子和第二行端子的存储卡。基板具有在第一方向上延 ...
【技术保护点】
1.一种存储卡,包括:基板,其具有在第一方向上延伸的第一对侧边缘和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二对侧边缘;第一行端子,其被布置为邻近所述基板的插入侧边缘,所述第一行端子包括第一电源端子,所述插入侧边缘是所述第一对侧边缘中的一个;以及第二行端子,其被布置为比所述第一行端子远离所述插入侧边缘,所述第二行端子包括第二电源端子,其中,所述第一行端子和所述第二行端子中的至少一个端子包括在所述至少一个端子的暴露表面中的凹陷区。
【技术特征摘要】
2018.01.04 KR 10-2018-00013841.一种存储卡,包括:基板,其具有在第一方向上延伸的第一对侧边缘和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二对侧边缘;第一行端子,其被布置为邻近所述基板的插入侧边缘,所述第一行端子包括第一电源端子,所述插入侧边缘是所述第一对侧边缘中的一个;以及第二行端子,其被布置为比所述第一行端子远离所述插入侧边缘,所述第二行端子包括第二电源端子,其中,所述第一行端子和所述第二行端子中的至少一个端子包括在所述至少一个端子的暴露表面中的凹陷区。2.根据权利要求1所述的存储卡,其中,在所述至少一个端子的中心部分处所述凹陷区具有凹入的凹陷形状。3.根据权利要求2所述的存储卡,其中,所述凹入的凹陷形状的侧表面是锥形的。4.根据权利要求3所述的存储卡,其中,所述凹入的凹陷形状是圆锥形状。5.根据权利要求3所述的存储卡,其中,所述凹入的凹陷形状是截去顶部的圆锥形状,其具有朝向底部而减小的半径。6.根据权利要求5所述的存储卡,其中,所述凹入的凹陷形状的暴露的底表面的表面粗糙度大于每个端子的暴露的上表面的表面粗糙度,所述暴露表面包括所述暴露的底表面和所述暴露的上表面。7.根据权利要求2所述的存储卡,其中,所述第二行端子中的至少一个端子在所述第二方向上具有不同的长度,所述第一行端子和第二行端子中的每个端子包括具有所述凹入的凹陷形状的所述凹陷区,所述第一行端子的凹入的凹陷形状的中心位置位于平行于所述第一方向的线上,并且所述第二行端子的凹入的凹陷形状的中心位置位于平行于所述第一方向的线上。8.根据权利要求1所述的存储卡,其中,所述凹陷区具有轨道凹槽形状,所述轨道凹槽形状在所述第二方向上穿过所述至少一个端子中的每一个的中心部分。9.根据权利要求8所述的存储卡,其中,所述轨道凹槽形状具有侧表面,所述侧表面具有包括至少一个台阶的阶梯形状。10.根据权利要求1所述的存储卡,其中,所述凹陷区具有楔形凹陷形状,所述楔形凹陷形状具有所述第一方向上的宽度,该宽度沿着所述第二方向远离所述插入侧边缘而减小。11.一种存储卡,包括:基板,其具有在第一方向上延伸的第一对侧边缘和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二对侧边缘;第一行端子,其被布置为邻近所述基板的插入侧边缘,并包括第一电源端子,所述插入侧边缘是所述第一对侧边缘中的一个;第二行端子,其被布置为比所述第一行端子远离所述插入侧边缘,并且包括第二电源端子和第一数据端子;以及第三行端子,其被布置为比所述第二行端子远离所述插入侧边缘,并且包括第二数据端子,其中,所述第一行端子、第二行端子和第三行端子中的至少一个端子包括在所述至少一个端子的暴露表面中的凹陷区。12.根据权利要求11所述的存储卡,其中,在所述至少一个端子中的每一个的中心部分处所述凹陷区具有凹入的凹陷形状。13.根据权利要求11所述的存储卡,其中,所述凹陷区具有轨道凹槽形状,所述轨道凹槽形状在所述第二方向上穿过所述至少一个端子中的每一个的中心部分。14.根据权利要求11所述的存储卡,其中,所述凹陷区具有楔形凹陷形状,所述楔形凹陷形...
【专利技术属性】
技术研发人员:高丞完,李锡宪,韩硕在,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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