一种电压检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电压检测电路，所述电路中的电阻R206、电阻R207、NMOS晶体管MN201、NMOS晶体管MN202、NMOS晶体管MN203组成的电路产生与输入电压VIN有关的偏置电流，PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202和PMOS晶体管MP203组成电流镜，PMOS晶体管MP202的电流流入第一节点，PMOS晶体管MP203的电流流入第二节点，第一节点电压通过电阻R201和电阻R204分压得到第三节点电压，第二节点电压通过电阻R203和电阻R205分压得到第四节点电压，比较器的正向输入端接第四节点，比较器的负向输入端接第三节点。该电路具有结构简单，工作电压低，功耗低，占用芯片面积小的特点。

A Voltage Detection Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种电压检测电路
本专利技术属于CMOS工艺集成电路领域，特别涉及一种电压检测电路。
技术介绍
电压检测电路在许多电源管理电路系统中存在，例如DC-DC、Chargepump以及锂电池保护芯片等。电压检测电路的基本功能是通过检测电路中的电压是否超过正常工作电压，来改变电路系统中一些电路模块的工作状态。如图2所示为常见的电压检测电路，包括PMOS晶体管MP101、PMOS晶体管MP102、PMOS晶体管MP103、电阻R101、电阻R102、电阻R103、电阻R104、PNP三级管Q11和Q12、以及运算放大器OP组成的基准电路，产生具有零温度系数的基准电压VREF，待检测电压VIN通过电阻R105以及R106分压产生电压VPI，比较器CMP判断电压VREF和电压VPI的高低，当VREF大于VPI时，比较器CMP的输出为低电平；当VREF小于VPI时，比较器输出为高电平。由于带隙基准中存在由运算放大器组成的闭环系统，需要较大的补偿电容来保证电路稳定性，导致该电路结构较为复杂、工作电压较高以及功耗较大的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电压检测电路，以解决上述问题。为实现上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压检测电路，其特征在于，包括电阻R201、电阻R202、电阻R203、电阻R204、电阻R205、PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203、PNP三极管Q21和PNP三极管Q22；PNP三极管Q21的发射极、PMOS晶体管MP202的漏极和电阻R201的一端连接于第一节点；PNP三极管Q22的发射极与电阻R202一端相连，电阻R202的另外一端、电阻R203的一端与PMOS晶体管MP203的漏极连接于第二节点；电阻R201的另外一端与电阻R204连接于第三节点；电阻R203的另外一端与电阻R205的一端连接于第四节点；PMOS晶体管MP201、PM...

【技术特征摘要】
1.一种电压检测电路，其特征在于，包括电阻R201、电阻R202、电阻R203、电阻R204、电阻R205、PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203、PNP三极管Q21和PNP三极管Q22；PNP三极管Q21的发射极、PMOS晶体管MP202的漏极和电阻R201的一端连接于第一节点；PNP三极管Q22的发射极与电阻R202一端相连，电阻R202的另外一端、电阻R203的一端与PMOS晶体管MP203的漏极连接于第二节点；电阻R201的另外一端与电阻R204连接于第三节点；电阻R203的另外一端与电阻R205的一端连接于第四节点；PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203组成电流镜。2.根据权利要求1所述的一种电压检测电路，其特征在于，还包括电阻R206、电阻R207、NMOS晶体管MN201、NMOS晶体管MN202和NMOS晶体管MN203；电阻R206一端连接输入电压VIN，一端连接NMOS晶体管MN201的栅极和NMOS晶体管MN202的漏极，NMOS晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，王红义，吴凯，
申请(专利权)人：西安华泰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61