化合物、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于OLED技术领域并提供了一种具有式(I)所示结构的硼杂芘化合物，其中，L1和L2各自独立地选自苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基；R1和R2各自独立地选自C1‑C20烷基、C3‑C20环烷基、C1‑C20烷氧基、取代或未取代的咔唑基及其衍生物基团、吖啶基及其衍生物基团、二芳胺基及其衍生物基团等芳香基或杂芳基。在本发明专利技术中，硼杂芘结构不仅作为电子受体基团，还用作连接基团。在本发明专利技术的化合物中，通过在硼杂芘的硼原子上接入大位阻的基团，避免了化合物分子的聚集，避免了共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物，从而提高了发光效率。

Compounds, display panels and display devices

【技术实现步骤摘要】
化合物、显示面板以及显示装置
本专利技术涉及有机电致发光材料
，具体地涉及一种化合物以及包括该化合物的显示面板以及显示装置。
技术介绍
在有机电致发光材料中，红光材料的研究、制备以及应用相对落后，其原因主要有以下两点，一是红光材料的HOMO能级与LUMO能级间的能极差(Eg)一般较小，导致其能级匹配困难，空穴与电子不能有效地在发光层复合发光；二是红光材料在高浓度或固体薄膜状态下，因其分于间间距变小，浓度淬灭现象严重，影响其发光性能。因此，红光材料的研究与制备成为了目前荧光材料领域的研究热点之一。目前制作红色电致发光器件的主要方法包括掺杂型和非掺杂型两种类型。其中掺杂型红光材料主要有：DMC系列化合物、DPP、罗丹明B、TPBD、DCDDC等，而非掺杂型红光材料则相对更容易制备，且有助于解决红光材料中存在的多种缺陷。下面列出了一类比较常见的DCM类红光有机电致发光材料，DCM类化合物具有如下特点:(1)其荧光发射光谱随掺杂浓度的增大而发生红移；(2)DCM系列化合物存在明显的浓度猝灭效应，即器件的效率随掺杂浓度的增大而降低。因此出现了一个矛盾：当染料的掺杂浓度太小时，客体发光材料不能够有效地猝灭Alq3的荧光，使得器件的对外发光颜色偏黄色，而当掺杂浓度较大时器件效率却由于浓度猝灭效应而降低。在全色显示所需的红、绿、蓝三基色发光材料中，寻找达到实用化要求的红光染料是OLED领域最大的挑战之一。DCM类化合物能够发生分子内电荷转移过程，具有长波长的荧光发射，是一类很好的红色发光染料，已经在OLED中得到广泛的应用。但这一类发光染料仍存在一些缺点：(1)纯化分离困难，制备成本高；(2)发光波长不理想，发光颜色偏黄；(3)存在严重的浓度猝灭效应，只能作为客体发光材料实现红光发射；(4)吸收光谱同Alq3等主体材料的发光光谱重叠不好。目前实现发光材料波长增大(红移)的方法是通过增大分子结构来增大共轭体系，从而实现发光材料波长的红移。这种方法的缺点是:由于分子结构的增大，导致分子内平面性减弱，容易在高浓度或者固态薄膜状态下，产生聚集诱导荧光猝灭现象。因此，需要开发新的发光材料，解决现有技术中发光材料波长红移后，发光材料分子的聚集诱导的荧光猝灭的问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术的一个目的是提供一种化合物，所述化合物具有式(1)所示的结构：其中，L1和L2各自独立地选自苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基；R1和R2各自独立地选自C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺双芴基、取代或未取代的基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的噻蒽基、咔唑基及其衍生物基团、吖啶基及其衍生物基团、二芳胺基及其衍生物基团中的任意一种。在本专利技术中，硼杂芘结构不仅作为电子受体基团，还用作连接基团的。在本专利技术的化合物中，通过在硼原子上接入具有大位阻的基团，在增强分子内的有效电荷转移的同时，避免了化合物分子的聚集，避免了共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物，从而提高了发光效率。此外，本专利技术的化合物具有TADF特性，可以利用传统荧光分子跃迁禁阻得三线态激子来发光，从而提高器件效率。其根本原因在于本专利技术的化合物分子具有很大的刚性扭曲，降低了HOMO和LUMO之间的重叠，使得三重态和单重态之间的能级差可以降低到0.1eV，满足三线态能量向单线态逆向窜越的要求，从而提高发光效率。本专利技术的硼杂芘化合物作为TADF发光材料本身具有双极性，当将其用作发光层的材料时，可以大大提高两种载流子的传输能力和改善载流子平衡，提高荧光量子效率和降低器件电压。附图说明图1是本专利技术的硼杂芘化合物的化学通式；图2示出本专利技术的硼杂芘化合物M1的HOMO分布图；图3示出本专利技术的硼杂芘化合物M1的LUMO分布图；图4是本专利技术提供的OLED器件的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种显示装置的示意图。具体实施方式下面通过实施例和对比例进一步说明本专利技术，这些实施例只是用于说明本专利技术，本专利技术不限于以下实施例。凡是对本专利技术技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的范围，均应涵盖在本专利技术的保护范围中。本专利技术的一方面是提供一种硼杂芘化合物，所述硼杂芘化合物具有式(1)所示的结构：其中，L1和L2各自独立地选自苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基；R1和R2各自独立地选自C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺双芴基、取代或未取代的基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的噻蒽基、咔唑基及其衍生物基团、吖啶基及其衍生物基团、二芳胺基及其衍生物基团中的任意一种。芘是一种具有较高荧光效率的稠环芳烃，它的化学结构易于修饰，其固态薄膜具有较高的载流子迁移率。硼元素最外层空的p轨道与π-体系的π*轨道间可以形成p-π-π*共轭而降低体系的最低未占有轨道(LUMO)能级；另外，由于空p轨道的存在，通过在硼原子上引入大体积的芳香基团，使本专利技术的硼杂芘化合物表现出大的空间立体位阻效应，从而提高有机硼π-共轭化合物的稳定性。在本专利技术中，硼杂芘结构不仅作为电子受体基团，还用作连接基团的。在本专利技术的化合物中，通过在硼杂芘的硼原子上接入具有大位阻的基团，在增强分子内的有效电荷转移的同时，避免了化合物分子的聚集，避免了共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物。同时，通过形成D-π-A共轭结构，有效增强了分子内电荷转移，从而提高了发光效率。此外，本专利技术的化合物具有TADF特性，可以利用传统荧光分子跃迁禁阻得三线态激子来发光，从而提高器件效率。其根本原因在于本专利技术的化合物分子具有很大的刚性扭曲，降低了HOMO和LUMO之间的重叠，使得三重态和单重态之间的能级差可以降低到0.1eV，满足三线态能量向单线态逆向窜越的要求，从而提高发光效率。本专利技术的硼杂芘化合物作为TADF发光材料本身具有双极性，当将其用作发光层的材料时，可以大大提高两种载流子的传输能力和改善载流子平衡，提高荧光量子效率和降低器件电压。根据本专利技术所述化合物的一个实施方式，R1和R2各自独立地选自以下基团中的任意一种：Z选自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，所述化合物具有式(1)所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种化合物，所述化合物具有式(1)所示的结构：其中，L1和L2各自独立地选自苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基；R1和R2各自独立地选自C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺双芴基、取代或未取代的基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的噻蒽基、咔唑基及其衍生物基团、吖啶基及其衍生物基团、二芳胺基及其衍生物基团中的任一种。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R1和R2各自独立地选自以下基团中的任意一种：Z选自C原子、N原子、O原子或S原子；q选自0、1或2；U1、U2和U3各自独立地选自氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基；当Z为氧原子或硫原子时，q为0；#表示连接位置。3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，R1和R2各自独立地选自以下基团中的任意一种：4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R1和R2各自独立地选自以下基团中的任意一种：Z选自C原子、N原子、O原子、S原子或Si原子；X选自C原子、N原子、O原子或S原子；m、n、p和q各自独立地选自0、1或2；U1、U2、U3、U4各自独立地选自氢原子、C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C1-C6烷氧基、C6-C12芳基；当Z或X为氧原子或硫原子时，p或q为0；#表示连接位置。5.根据权利要求4所述的化合物，其特征在于，R1和R2各自独立地选自以下基团中的任意一种：其中，R和R’各自独立地选自氢原子、C1-C3烷基、苯基。6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R1和R2各自独立地选自以下基团中的任意一种：U1、U2各自独立地选自氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基；m、n各自独立地选自0、1或2；#表示连接位置。7.根据权利要求6所述的化合物，其特征在于，R1和R2各自独立地选自以下基团中的任意一种：其中，#表示连接位置。8.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪奎，张正川，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42