一种2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种2‑芳基‑3‑醚基‑3‑吡唑丙烯腈类化合物的制备方法，采用一锅法制备工艺，先在有机溶剂中、在碱作用下，使式(II)所示化合物与式(III)所示化合物反应得到式(V)所示化合物，再在有机溶剂中、在催化剂作用下，使式(V)所示化合物与式(IV)所示化合物反应得到2‑芳基‑3‑醚基‑3‑吡唑丙烯腈类化合物。本发明专利技术提供得方法，具有操作简单、无需复杂的中间体提纯步骤、E型产物收率高等优点。

Preparation of 2-Aryl-3-Ether-3-Pyrazole Acrylonitrile Compounds

【技术实现步骤摘要】
一种2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法
本专利技术涉及一种2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法。
技术介绍
2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物是一类具有高杀虫活性、杀螨活性的化合物，其具有E式和Z式两种构型，其中E式构型具有较好的生物活性。现有合成2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的方法，一般采取缩合、中和、酰(烷)化分开的单元操作方法，有以下报道：(1)PCT专利申请WO9740009公开了在氢氧化钠和THF的反应体系中进行缩合反应；(2)PCT专利申请WO9944993公开了采取乙醇钠、乙醇的反应体系来进行缩合反应；(3)PCT专利申请WO2004087674公开了采取液态甲醇钠、庚烷/二甘醇二甲醚/二甘醇单乙醚的混合溶剂体系来进行缩合反应。上述报道的制备方法，均存在收率低、操作条件复杂等问题，不适于工业化生产。此外，现有方法制备的产物中均会产生不同比例的E式和Z式混合物。为提高产物中E式构型化合物的比例，目前一般采用异构化的方法来实现，但该异构化方法操作条件严格、繁琐，并产生一定的污染和危害，也同样不适于工业化生产。因此，需要对2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法做进一步改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法，具有操作简单、无需复杂的中间体提纯步骤、E型产物收率高等优点。本专利技术采用一锅法工艺来高效的制备2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物。“一锅法工艺”一种高效的有机合成方法，是指在反应过程中经多步反应，由原料出发不经中间体分离，直接得到目标化合物的方法。在本专利技术中，“一锅法工艺”是指由原料式(II)所示化合物与式(III)所述化合物反应完毕后，在不经中间处理的条件下再与原料式(V)所示化合物进行反应，最终生成目标产物2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物。本专利技术提供如下技术方案：一种2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法，所述方法包括：(1)在有机溶剂中，在碱作用下，式(II)所示化合物与式(III)所示化合物反应得到式(V)所示化合物：(2)在有机溶剂中，在催化剂作用下，式(V)所示化合物与式(IV)所示化合物反应得到式(I)所示的2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物:所述方法为一锅法制备工艺；上述结构式所示化合物中，各取代基如下：R1选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧亚甲基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R2选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R3选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧亚甲基；R4选自氢、卤素、硝基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、C1-C20烷砜基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R5选自氢、卤素、硝基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、C1-C20烷基羧酸酯、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R6选自氢、卤素、硝基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、C1-C20烷基羧酸酯。本专利技术提供的制备方法，上述式(I)所示化合物、式(II)所示化合物、式(III)所示化合物式(V)和所示化合物与式(IV)中，取代基R1选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧亚甲基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种2‑芳基‑3‑醚基‑3‑吡唑丙烯腈类化合物的制备方法，其特征在于所述方法包括：(1)在有机溶剂中，在碱作用下，式(II)所示化合物与式(III)所示化合物反应得到式(V)所示化合物：

【技术特征摘要】
1.一种2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法，其特征在于所述方法包括：(1)在有机溶剂中，在碱作用下，式(II)所示化合物与式(III)所示化合物反应得到式(V)所示化合物：(2)在有机溶剂中，在催化剂作用下，式(V)所示化合物与式(IV)所示化合物反应得到式(I)所示的2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物:所述方法为一锅法制备工艺；上述结构式所示化合物中，各取代基如下：R1选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧亚甲基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R2选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R3选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧亚甲基；R4选自氢、卤素、硝基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、C1-C20烷砜基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基和C1-C20烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R5选自氢、卤素、硝基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、C1-C20烷基羧酸酯、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R6选自氢、卤素、硝基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C3-C20环烷基、C3-C20卤代环烷基、C2-C20烯基、C2-C20卤代烯基、C2-C20炔基、C2-C20卤代炔基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基、C1-C20烷基羧酸酯。2.按照权利要求1所述的2-芳基-3-醚基-3-吡唑丙烯腈类化合物的制备方法，其特征在于所述结构式所示化合物中，各取代基如下：R1选自氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧亚甲基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基和C1-C6烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基和C1-C6烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R2选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C2-C6烯基、C2-C6卤代烯基、C2-C6炔基、C2-C6卤代炔基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基和C1-C6烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基和C1-C6烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R3选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧亚甲基；R4选自氢、卤素、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C2-C6烯基、C2-C6卤代烯基、C2-C6炔基、C2-C6卤代炔基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基、C1-C6烷砜基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基和C1-C6烷砜基中的至少一个取代的苯基、被选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基和C1-C6烷砜基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻吩基、呋喃基或噻唑基；R5选自氢、卤素、...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟良坤，许天明，黄红英，魏优昌，
申请(专利权)人：浙江省化工研究院有限公司，中化蓝天集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33