【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】超导量子位器件封装
技术介绍
量子计算是指涉及使用量子力学现象来操纵数据的计算系统的研究领域。这些量子力学现象(例如，叠加(其中，量子变量可以同时存在于多个不同的状态下)和纠缠(其中，多个量子变量具有相关状态，而不论它们之间在空间或时间上的距离如何))在经典计算世界中不具有类似物，因此不能用经典计算设备来实现。附图说明通过以下结合附图的详细描述将容易理解实施例。为了促进该描述，同样的附图标记标示同样的结构元素。在附图的图中，通过示例而非限制的方式示出了实施例。图1提供了根据本公开内容的一些实施例的实现超导量子位的示例性器件的示意图。图2提供了根据本公开内容的一些实施例的实现超导量子位的器件的示例性物理布局的示意图。图3提供了根据本公开内容的一些实施例的将具有超导量子位器件的管芯耦合到封装衬底的示例性超导量子位器件封装的示意图。图4提供了根据本公开内容的一些实施例的将具有超导量子位器件的管芯经由封装衬底耦合到另一管芯的示例性超导量子位器件封装的示意图。图5提供了根据本公开内容的一些实施例的将具有超导量子位器件的管芯耦合到具有前金属化叠层的封装衬底的示例性超导量子位器件封装...
【技术保护点】
1.一种超导量子位器件封装，包括：具有第一面和相对的第二面的管芯，其中，所述管芯包括量子器件，所述量子器件包括：多个超导量子位，其设置在所述管芯的第一面上，多个谐振器，其设置在所述管芯的第一面上，以及多个导电通路，其耦合在所述管芯的第一面处的导电触点与所述多个超导量子位中的相关联的超导量子位或所述多个谐振器中的相关联的谐振器之间；以及封装衬底，其具有第一面和相对的第二面，其中，导电触点设置在所述封装衬底的第二面处；以及第一级互连，其设置在所述管芯的第一面与所述封装衬底的第二面之间，以将所述管芯的第一面处的所述导电触点与所述封装衬底的第二面处的相关联的导电触点相耦合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种超导量子位器件封装，包括：具有第一面和相对的第二面的管芯，其中，所述管芯包括量子器件，所述量子器件包括：多个超导量子位，其设置在所述管芯的第一面上，多个谐振器，其设置在所述管芯的第一面上，以及多个导电通路，其耦合在所述管芯的第一面处的导电触点与所述多个超导量子位中的相关联的超导量子位或所述多个谐振器中的相关联的谐振器之间；以及封装衬底，其具有第一面和相对的第二面，其中，导电触点设置在所述封装衬底的第二面处；以及第一级互连，其设置在所述管芯的第一面与所述封装衬底的第二面之间，以将所述管芯的第一面处的所述导电触点与所述封装衬底的第二面处的相关联的导电触点相耦合。2.根据权利要求1所述的超导量子位器件封装，其中，所述封装衬底的第二面处的所述导电触点耦合到安置在所述封装衬底的第二面处的金属化叠层的两个或更多个导电层。3.根据权利要求2所述的超导量子位器件封装，其中，所述金属化叠层包括由介电层彼此分开的所述两个或更多个导电层。4.根据权利要求3所述的超导量子位器件封装，其中，所述两个或更多个导电层中的每个导电层以及所述介电层中的每个介电层具有在0.2微米与0.3微米之间的厚度。5.根据权利要求3所述的超导量子位器件封装，其中，所述介电层的介电材料在与所述多个谐振器相对的一个或多个区域中不存在。6.根据权利要求3所述的超导量子位器件封装，其中，所述金属化叠层在与所述多个谐振器相对的一个或多个区域中不存在。7.根据权利要求4-6中任一项所述的超导量子位器件封装，其中，所述两个或更多个导电层中的每个导电层包括一种或多种超导材料。8.根据权利要求1-6中任一项所述的超导量子位器件封装，其中，所述管芯是第一管芯，所述封装还包括：第二管芯，其具有第一面和相对的第二面，其中，所述第二管芯包括所述第二管芯的第一面处的一个或多个导电触点；以及附加的第一级互连，其设置在所述第二管芯的第一面与所述封装衬底的第二面之间，以将所述第二管芯的第一面处的所述导电触点与所述封装衬底的第二面处的相关联的导电触点相耦合。9.根据权利要求8所述的超导量子位器件封装，其中，所述第二管芯包括一个或多个非量子器件。10.根据权利要求1-6中任一项所述的超导量子位器件封装，其中，耦合在所述管芯的第一面处的所述导电触点与所述多个超导量子位中的相关联的超导量子位或所述多个谐振器中的相关联的谐振器之间的所述多个导电通路包括多个通量偏置线，所述多个通量偏置线耦合在所述管芯的第一面处的所述导电触点与所述多个超导量子位中的相关联的超导量子位之间。11.根据权利要求10所述的超导量子位器件封装，其中，所述第一级互连和所述封装衬底被配置为实现从控制逻辑到所述多个通量偏置线的电流的供应，以用于调谐所述多个超导量子位中的每个超导量子位的谐振频率。12.根据权利要求1-6中任一项所述的超导量子位器件封装，其中，耦合在所述管芯的第一面处的所述导电触点与所述多个超导量子位中的相关联的超导量子位或所述多个谐振器中的相关联的谐振器之间的所述多个导电通路包括多个驱动线，其耦合在所述管芯的第一面处的所述导电触点与所述多个超导量子位中的相关联的超导量子位之间。13.根据权利要求12所述的超导量子位器件封装，其中，所述第一级互连和所述封装衬底被配置为实现从控制逻辑到所述多个读出线的电流的供...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·罗伯茨，A·A·埃尔谢尔比尼，S·利夫，J·M·斯旺，R·考迪罗，Z·R·约斯科维茨，N·K·托马斯，R·皮拉里塞泰，H·C·乔治，J·S·克拉克，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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