发光二极管的外延片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型层，其中，多量子阱层包括多层InGaN层和多层AlxGa1‑xN层交替层叠形成的周期结构，其中，0＜x＜0.5，多层AlxGa1‑xN层中掺杂有Si，从n型GaN层一侧向p型层一侧，多层AlxGa1‑xN层中的Al的组分含量和Si的掺杂浓度均逐渐增大。可以减缓电子从n型GaN层一侧注入多量子阱层的速度，促进电子的横向扩展，提高电子和空穴在多量子阱层中的复合效率，从而使LED的发光效率得到进一步提高。

Epitaxy Wafer of Light Emitting Diode and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
发光二极管的外延片及其制作方法
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。目前GaN基LED外延片通常包括衬底和在衬底上依次生长的AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型层。LED通电后，载流子(包括n型GaN层的电子和p型层的空穴)会向多量子阱层迁移，并在多量子阱层中复合发光。随着技术的发展，现有LED的发光效率难以满足产品的要求，需要进一步提高LED的发光效率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制作方法，能够提高LED的发光效率。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型层，其中，所述多量子阱层包括多层InGaN层和多层AlxGa1-xN层交替层叠形成的周期结构，其中，0＜x＜0.5，所述多层AlxGa1-xN层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型层，其中，所述多量子阱层包括多层InGaN层和多层AlxGa1‑xN层交替层叠形成的周期结构，其中，0＜x＜0.5，所述多层AlxGa1‑xN层中掺杂有Si，从所述n型GaN层一侧向所述p型层一侧，所述多层AlxGa1‑xN层中的Al的组分含量和Si的掺杂浓度均逐渐增大。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型层，其中，所述多量子阱层包括多层InGaN层和多层AlxGa1-xN层交替层叠形成的周期结构，其中，0＜x＜0.5，所述多层AlxGa1-xN层中掺杂有Si，从所述n型GaN层一侧向所述p型层一侧，所述多层AlxGa1-xN层中的Al的组分含量和Si的掺杂浓度均逐渐增大。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，同一层所述AlxGa1-xN层中的Al的组分含量和Si的掺杂浓度均保持恒定。3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，从所述n型GaN层一侧向所述p型层一侧，同一层所述AlxGa1-xN层中的Al的组分含量和Si的掺杂浓度均逐渐增大。4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层中的Si的掺杂浓度为1016～1017cm-3。5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度为8～18nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王曼，孙正，周飚，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33