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本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层和p型层，其中，多量子阱层包括多层InGaN层和多层AlxGa1‑xN层交替层叠...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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