【技术实现步骤摘要】
微型LED显示面板的制备方法和微型LED显示面板
本专利技术实施例涉及微型LED显示
，尤其涉及一种微型LED显示面板的制备方法和微型LED显示面板。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)以其体积小、功率低、使用寿命长、高亮度以及主动发光等优点，而被广泛应用于照明及显示等
微型LED，又称微LED、mLED或μLED，是一种新型的平面显示技术，微型LED显示器具备单独像素元件的LED阵列，与目前广泛应用的液晶显示器相比，微型LED显示器具备更好的对比度，更快的响应速度，更低的能耗。由于微型LED是以芯片的形式单独被制造出来，尺寸在微米量级，因此，在制作显示器件的过程中，需要将巨量的微型LED芯片转移到基板适当的位置。目前，微型LED芯片在巨量转移至基板上时多采用倒装结构焊接，需要将微型LED芯片上的两个电极均与基板上的对应的电极进行对准，邦定难度高，容易出现对位偏差，导致巨量转移良率降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提出一种微型LED显示面板的制备方法和微型LED显示面板，以解决微型LED在巨量转移时邦定难...
【技术保护点】
1.一种微型LED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：在第一衬底上形成掩膜层，并在所述掩膜层上形成呈阵列排布的开孔；在每个所述开孔处生长LED外延结构，其中，每个LED外延结构由内到外依次包括第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，且所述第一类型半导体层的一部分填充满所述开孔；在所述掩膜层靠近所述LED外延结构的一侧，形成与每个所述LED外延结构中的所述第二类型半导体层对应电连接的第二电极；将所述LED外延结构转移到第二衬底上；剥离所述第一衬底；在所述掩膜层远离所述LED外延结构的一侧，形成与每个所述LED外延结构中的所述第一类型半导体层对应电连接的第一电极；将所述L...
【技术特征摘要】
1.一种微型LED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：在第一衬底上形成掩膜层，并在所述掩膜层上形成呈阵列排布的开孔；在每个所述开孔处生长LED外延结构，其中，每个LED外延结构由内到外依次包括第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，且所述第一类型半导体层的一部分填充满所述开孔；在所述掩膜层靠近所述LED外延结构的一侧，形成与每个所述LED外延结构中的所述第二类型半导体层对应电连接的第二电极；将所述LED外延结构转移到第二衬底上；剥离所述第一衬底；在所述掩膜层远离所述LED外延结构的一侧，形成与每个所述LED外延结构中的所述第一类型半导体层对应电连接的第一电极；将所述LED外延结构通过所述第一电极邦定至目标基板上；剥离所述第二衬底。2.根据权利要求1所述的微型LED显示面板的制备方法，其特征在于，所述开孔采用光刻工艺形成，每个开孔的孔径为1μm～10μm，相邻两个所述开孔的中心距为5μm～20μm；所述在每个所述开孔处生长LED外延结构，包括：采用金属有机物化学气相沉积法由各所述开孔内生长第一类型GaN微结构，并在所述第一类型GaN微结构上依次生长多量子阱发光层和第二类型GaN层。3.根据权利要求2所述的微型LED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一类型GaN微结构的生长温度为1000℃～1200℃，生长时间为300s～3000s，厚度为1μm～10μm。4.根据权利要求1所述的微型LED显示面板的制备方法，其特征在于，所述将所述LED外延结构转移到第二衬底上，包括：在所述LED外延结构之间填充可剥离胶，形成的胶层覆盖所述LED外延结构；将所述第二衬底贴合于所述胶层远离所述第一衬底一侧的表面；所述剥离所述第二衬底，包括：去除所述胶层。5.根据权利要求4所述的微型LED显示面板的制备方法，其特征在于，所述可剥离胶包括光刻胶；优选地，所述可剥离胶包括负性光刻胶。6.根据权利要求1所述的微型LED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述掩膜层远离所述LED外延结构的一侧，形成与每个所述LED外延结构中的所述第一类型半导体层对...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊腾，邢汝博，韦冬，郭恩卿，孙建明，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13
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