用于集成电路的自适应多层配电电网制造技术

技术编号:21554064 阅读:54 留言:0更新日期:2019-07-07 01:36
用于包括多个图块的硬宏的布局和布线阶段被修改,使得该图块中的一些图块被分配更强健的电网层,并且使得该图块中的其他图块被分配不太强健的电网层。

Adaptive Multilayer Distribution Network for Integrated Circuits

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于集成电路的自适应多层配电电网相关申请的交叉引用本申请要求于2017年2月14日提交的美国专利申请No.15/432,431的优先权,该美国专利申请要求于2016年11月18日提交的美国临时申请No.62/424,289的权益。
本申请涉及用于集成电路的电力分配,并且更具体地涉及集成电路自适应多层配电电网。
技术介绍
配电是集成电路设计中的关键因素。例如,诸如片上系统(SoC)的微处理器集成电路包含许多晶体管,这些晶体管可以从处于空闲转变为主动地开关。如此多的晶体管突然转变为激活状态导致晶体管的电源电压波动。如果由于这种波动而导致电源压降至最小要求值以下,则系统可能重置或出现错误。提供电源电压的电网的电阻是与响应于电路模块的突然激活而使压降最小化相关的重要因子。例如,取决于电力需求,与其他模块相比,可以增加电路模块中从电力轨到各种晶体管的通孔的数目(通孔密度)。另外,可以增加电力轨的宽度和密度。类似地,将一个电源域的轨耦合到主电力轨的磁头开关(headswitch)的数目可以取决于给定电路模块的电力需求而变化。最后,支持给定电力域的电力轨的去耦电容器的数目和密度也可以变化。因此,常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路模块,包括:第一多个图块,第二多个图块,其中所述集成电路模块占据半导体管芯上的覆盖区,并且其中所述覆盖区包括所述第一多个图块和所述第二多个图块;第一电网层,用于所述第一多个图块中的每个图块;以及第二电网层,用于所述第二多个图块中的每个图块,其中对于在金属层之间延伸的通孔,所述第一电网层具有超过所述第二电网层的通孔密度,所述金属层限定用于所述集成电路模块的电力轨和接地轨。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.18 US 62/424,289;2017.02.14 US 15/432,4311.一种集成电路模块,包括:第一多个图块,第二多个图块,其中所述集成电路模块占据半导体管芯上的覆盖区,并且其中所述覆盖区包括所述第一多个图块和所述第二多个图块;第一电网层,用于所述第一多个图块中的每个图块;以及第二电网层,用于所述第二多个图块中的每个图块,其中对于在金属层之间延伸的通孔,所述第一电网层具有超过所述第二电网层的通孔密度,所述金属层限定用于所述集成电路模块的电力轨和接地轨。2.根据权利要求1所述的集成电路模块,其中用于所述第一电网层的多个电力轨和接地轨具有的宽度超过用于所述第二电网层的多个电力轨和接地轨的宽度。3.根据权利要求1所述的集成电路模块,其中用于所述第一电网层的多个电力轨和接地轨具有的间距小于用于所述第二电网层的多个电力轨和接地轨的间距。4.根据权利要求1所述的集成电路模块,其中所述集成电路模块包括单个硬宏。5.根据权利要求1所述的集成电路模块,其中所述第一电网层包括具有不同通孔密度的多个电网层。6.根据权利要求1所述的集成电路模块,其中所述第一电网层包括比所述第二电网层数目更多的电力开关。7.根据权利要求4所述的集成电路模块,其中所述单个硬宏的本体具有包括最低通孔密度的电网层。8.一种用于集成电路的硬宏的物理设计的方法,所述硬宏包括多个图块,所述方法包括:将所述多个图块中的第一图块子集分配到第一电网层;在针对所述硬宏的布局和布线阶段期间,在时钟树合成之后标识所述第一图块子集中的图块中具有电源压降区域(热点)的第一图块,并且将用于所述第一图块的时钟驱动器去聚合,使得每个第一图块具有第一修改的热点,其中所述第一修改的热点小于所述热点;以及标识所述第一图块中具有超过用于所述硬宏的电源电压的阈值百分比的电源压降的第一图块,并且将所标识的第一图块调整为具有第二电网层,以形成具有第二修改的热点的第二图块,所述第二电网层与所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·H·钟M·波波维奇G·雷迪
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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